以四硫代钼酸铵和水合肼为原料,通过简单的水热合成与乙醇溶剂热处理相结合的方法制备含S缺陷的MoS_(2),考查其电化学析氢反应(HER)性能,并利用第一性原理密度泛函理论对其电化学性能进行理论计算,结果表明:S缺陷对MoS_(2)的HER性能具...以四硫代钼酸铵和水合肼为原料,通过简单的水热合成与乙醇溶剂热处理相结合的方法制备含S缺陷的MoS_(2),考查其电化学析氢反应(HER)性能,并利用第一性原理密度泛函理论对其电化学性能进行理论计算,结果表明:S缺陷对MoS_(2)的HER性能具有显著影响,经乙醇溶剂热处理24 h所得样品Eth24h-MoS_(2)的Tafel斜率约为69 mV/dec,达到10 mA/cm 2电流密度时其过电位为237 mV,相比原始MoS_(2)均有较大幅度的降低,且具有良好的电化学稳定性;随着S缺陷密度的增加,MoS_(2)的带隙逐渐降低,其导电性改善,缺陷位置和非缺陷位置的H吸附自由能ΔG_( H )均随之迅速降低,且H吸附位点距离S缺陷位置越近,ΔG_( H )越小.展开更多
基金supported by National Natural Science Foundation of China (No. 22075063, No. U1932205, No. 22102041)Fundamental Research Funds for the Central Universities (FRFCU5710092520)+4 种基金Chinesisch-Deutschen Zentrum für Wissenschaftsf?rderung (M0281)Natural Science Funds of Heilongjiang Province (No. ZD2019B001)Heilongjiang Touyan Team (HITTY-20190033)the Natural Science Fund for Distinguished Young Scholars of Chongqing ( cstc2021jcyj-jqX0003)“Young Scientist Studio” and Chongqing Research Institute of HIT。
文摘以四硫代钼酸铵和水合肼为原料,通过简单的水热合成与乙醇溶剂热处理相结合的方法制备含S缺陷的MoS_(2),考查其电化学析氢反应(HER)性能,并利用第一性原理密度泛函理论对其电化学性能进行理论计算,结果表明:S缺陷对MoS_(2)的HER性能具有显著影响,经乙醇溶剂热处理24 h所得样品Eth24h-MoS_(2)的Tafel斜率约为69 mV/dec,达到10 mA/cm 2电流密度时其过电位为237 mV,相比原始MoS_(2)均有较大幅度的降低,且具有良好的电化学稳定性;随着S缺陷密度的增加,MoS_(2)的带隙逐渐降低,其导电性改善,缺陷位置和非缺陷位置的H吸附自由能ΔG_( H )均随之迅速降低,且H吸附位点距离S缺陷位置越近,ΔG_( H )越小.
