氧化石墨烯在碳化硅电化学机械抛光中的作用机制及工艺

1

作者 彭超 任荣浩 +4 位作者 王子睿 王永光 黄冬梅 朱睿 成锋 《材料工程》 北大核心 2025年第8期185-192,共8页

电化学机械抛光(electrochemical mechanical polishing,ECMP)技术是一项可以快速提高碳化硅(SiC)平坦化效率的新技术。基于其面临的抛光液配制复杂,无法同时兼顾材料高效去除及高表面质量等问题,研制了1种成分简单且环保的新型SiC-ECM... 电化学机械抛光(electrochemical mechanical polishing,ECMP)技术是一项可以快速提高碳化硅(SiC)平坦化效率的新技术。基于其面临的抛光液配制复杂,无法同时兼顾材料高效去除及高表面质量等问题,研制了1种成分简单且环保的新型SiC-ECMP抛光液,以氧化石墨烯(GO)为固体润滑剂,以金刚石悬浮液为基础。使用新型抛光液对SiC抛光,在获得表面粗糙度R_(a)为0.324 nm的光滑表面的同时保持材料去除率为2.38μm/h。采用宏观沉降实验、Zeta电势、粒径分析实验和TEM分析GO对抛光液稳定性的改善,利用接触角实验和摩擦磨损实验揭示其润滑作用机制。结果表明:抛光液中添加GO抑制了磨料的沉淀,抛光液粒径变小且分布更加均匀,浆液稳定性得到提高;GO润滑减小了抛光液与SiC表面的接触角,降低表面摩擦,达到了减磨润滑的效果。 展开更多

关键词 碳化硅 电化学机械抛光 润滑 氧化石墨烯

在线阅读 下载PDF 职称材料

铜化学机械抛光中电化学理论的应用研究 被引量：7

2

作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期106-108,121,共4页

概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可... 概述了电位 pH图、极化曲线、交流阻抗谱和开路电压测试等电化学方法在铜化学机械抛光 (Cu- CMP) 中的应用, 并分析了采用电化学方法进行CMP分析存在的问题, 指出采用以上电化学方法进行Cu -CMP分析有利于对Cu- CMP的过程的理解, 并可以为抛光液组分的选配提供依据。 展开更多

关键词 化学机械抛光 电化学 抛光液 铜 CMP分析

在线阅读 下载PDF 职称材料

弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为 被引量：3

3

作者 胡岳华 何捍卫 黄可龙 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1140-1143,共4页

在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂 ,对铜化学机械抛光技术 (CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试。考察了铜在有无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响 ,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位 (φE)和腐蚀电... 在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂 ,对铜化学机械抛光技术 (CMP)过程中的电化学行为进行了在线测试。考察了铜在有无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响 ,研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位 (φE)和腐蚀电流密度 (Jc)的变化规律 ,比较了抛光前及抛光过程中铜极化曲线的变化。定性地通过成膜的快慢及抛光过程中腐蚀电流密度的大小来说明抛光速率的高低。证明了以弱碱性溶液为介质、铁氰化钾为成膜剂、纳米γ Al2 O3 为磨粒的CMP配方的可行性。 展开更多

关键词 铜 化学机械抛光 电化学行为 弱碱性抛光液

在线阅读 下载PDF 职称材料

铜在甲胺介质铁氰化钾化学-机械抛光液中的电化学行为 被引量：2

4

作者 何捍卫 胡岳华 黄可龙 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第11期893-897,共5页

用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I... 用电化学测试技术研究了介质和成膜剂浓度对铜表面的成膜及抛光过程的影响 ,探讨了化学机械抛光的压力、转速与膜的厚度、致密性的关系 ,找出了可以定性说明抛光过程及抛光速率的电化学变量或腐蚀电位 ( E-corrosion)及腐蚀电流密度 ( I-corrosion) ,并据 E-corrosion及 I-corrosion的变化规律得到如下主要结论 :1 )介质及成膜剂浓度对铜表面钝化膜的厚度、致密性起关键作用 ;2 )膜的厚度、致密性决定了抛光的压力及转速 ;3) 展开更多

关键词 铜 化学-机械抛光 电化学行为 铁氰化钾 抛光液 成膜剂 抛光过程

在线阅读 下载PDF 职称材料

充液阀缸体脉冲电化学机械抛光研究 被引量：2

5

作者 赵雪松 李文江 《电加工与模具》 2003年第3期34-36,共3页

论述了脉冲电化学机械抛光的工作原理及充液阀缸体的加工方案、阴极设计、参数选择和加工效果。实验表明 ,脉冲电化学机械抛光是一种有效的镜面加工方法。该工艺的关键是如何使电化学作用与机械作用相匹配 。

关键词 液压缸 充液阀缸体 脉冲电化学机械抛光 工作原理 加工方案 钝化膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

潮湿颗粒电解质电化学机械抛光铜工件的接触特性研究

6

作者 董志刚 程吉瑞 +1 位作者 高尚 康仁科 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2023年第13期38-45,72,共9页

潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(Moist particle electrolyte electrochemical mechanical polishing,MPEECMP)作为新兴技术,仍存在难以获得高表面质量的问题。为解决该问题,深入研究电解质颗粒与工件的接触特性,采用离散元仿真软件Altai... 潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(Moist particle electrolyte electrochemical mechanical polishing,MPEECMP)作为新兴技术,仍存在难以获得高表面质量的问题。为解决该问题,深入研究电解质颗粒与工件的接触特性,采用离散元仿真软件Altair EDEM探究了工件倾斜角、转速对接触数量、接触力的影响规律,并进行MPE-ECMP工艺试验。研究结果表明,倾斜角为30°时,单位时间内电解质颗粒与工件的接触数量最多,且切向力最大,为3.38 mN;在90°时,切向力最小,为1.21 mN。随着工件转速增大,单位时间内电解质颗粒与工件的接触数量变少,电解质颗粒与工件接触的法向力、切向力呈增大趋势。当抛光电位(vs.Hg/Hg_(2)SO_(4))为0.8 V,工件倾斜角为30°,抛光1 h,表面粗糙度从S_(a)433.51 nm降低到S_(a)22.43 nm,降低了94.8%。结果证明了工件倾斜角、转速的调整可有效提高MPE-ECMP的抛光精度,表面粗糙度的降低是由接触数量及接触力共同决定的,EDEM可有效模拟电解质颗粒运动的流态特性,为MPE-ECMP的进一步研究奠定了基础。 展开更多

关键词 潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(MPE-ecmp) 离散元法 流场轨迹 接触特性 表面质量

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展 被引量：3

7

作者 许旺 张楷亮 杨保和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期521-524,589,共5页

多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,E... 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。 展开更多

关键词 化学机械抛光 铜互连 低介电常数 电化学机械抛光 平坦化技术 多孔

在线阅读 下载PDF 职称材料

脉冲电化学机械抛光工具设计及其应用 被引量：5

8

作者 赵雪松 杨明 《现代制造工程》 CSCD 2005年第7期47-49,共3页

针对具有复杂曲面模具,设计了几种结构、形状的阴极工具,并利用这些工具,采用脉冲电化学机械抛光的方法,对其中一种模具进行了抛光实验。实验表明,脉冲电化学机械抛光是一种有效的镜面加工方法。本工艺的关键是如何使电化学作用与机械... 针对具有复杂曲面模具,设计了几种结构、形状的阴极工具,并利用这些工具,采用脉冲电化学机械抛光的方法,对其中一种模具进行了抛光实验。实验表明,脉冲电化学机械抛光是一种有效的镜面加工方法。本工艺的关键是如何使电化学作用与机械作用相匹配,以得到最佳去膜效果。 展开更多

关键词 脉冲电流 电化学机械抛光 工具设计 模具型腔

在线阅读 下载PDF 职称材料

光电化学机械抛光装置设计 被引量：2

9

作者 张高振 朱祥龙 +2 位作者 董志刚 康仁科 赵杨 《制造技术与机床》 北大核心 2023年第2期40-45,共6页

针对第三代半导体材料氮化镓(GaN)光电化学机械抛光的加工需求,研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置。设计了紫外光可直接照射到GaN晶片表面的抛光盘单元,加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电... 针对第三代半导体材料氮化镓(GaN)光电化学机械抛光的加工需求,研制了具有紫外光照射、电压加载和机械抛光功能的光电化学机械抛光(PECMP)装置。设计了紫外光可直接照射到GaN晶片表面的抛光盘单元,加工区稳定加载电压且与装置绝缘的电气回路,抛光盘和工件盘能够独立回转的驱动机构,并且抛光盘可以往复移动、抛光压力可以可调加载。建立了PECMP装置的整机三维模型,通过静力学分析和模态分析,优化了抛光盘和龙门等关键部件结构。搭建了PECMP抛光装置,并进行了性能测试,实现了可施加的光照强度0~200 mW·cm^(−2),电压大小0~10±0.1 V,绝缘电阻150 MΩ,抛光盘转速10~100 r/min,工件转速10~200 r/min,抛光盘往复移动速度1~100 mm/s,压力加载范围0~200 N,满足2英寸GaN晶片的PECMP加工需求。 展开更多

关键词 光电化学机械抛光 抛光装置 GAN

在线阅读 下载PDF 职称材料

TB2钛合金电化学机械抛光试验研究 被引量：3

10

作者 魏颖 房晓龙 曲宁松 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2023年第10期77-84,共8页

航天器用星箭连接带的材料为TB2钛合金,对表面质量要求严格。提出电化学–电化学机械组合抛光TB2钛合金的方法,通过机械作用控制表面TiCl4黏性层厚度,设计了固结磨料工具阴极,搭建了电化学机械抛光试验系统。开展了不同组合形式的电化... 航天器用星箭连接带的材料为TB2钛合金,对表面质量要求严格。提出电化学–电化学机械组合抛光TB2钛合金的方法,通过机械作用控制表面TiCl4黏性层厚度,设计了固结磨料工具阴极,搭建了电化学机械抛光试验系统。开展了不同组合形式的电化学–电化学机械组合抛光优选试验,研究了电压、工具转速、进给速度等工艺参数对组合抛光后表面质量的影响,最后,在电压25 V、工具阴极转速100 r/min、工具阴极进给速度30 mm/min,电化学抛光1次+电化学机械抛光1次组合形式交替加工15次的条件下,获得了表面粗糙度Ra0.031μm、Sa0.082μm的表面。实现了TB2钛合金薄板零件的连续抛光。 展开更多

关键词 TB2钛合金 电化学机械抛光 组合抛光 薄板零件 表面粗糙度

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳化硅晶体电化学机械抛光工艺研究 被引量：5

11

作者 王磊 吴润泽 +2 位作者 牛林 安志博 金洙吉 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2022年第4期504-510,共7页

针对碳化硅晶体抛光效率低的问题,研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺,对比NaOH、NaNO_(3)、H_(3)PO_(4)3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。选用0.6 mol/L的NaNO_(3)作为电化学机械抛光过程的电解液,使用金刚石–氧化铝混合磨粒,... 针对碳化硅晶体抛光效率低的问题,研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺,对比NaOH、NaNO_(3)、H_(3)PO_(4)3种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果。选用0.6 mol/L的NaNO_(3)作为电化学机械抛光过程的电解液,使用金刚石–氧化铝混合磨粒,通过正交试验研究载荷、转速、电压、磨粒粒径对电化学机械抛光碳化硅晶体的表面质量和材料去除率的影响。采用优选的试验参数进行抛光试验,结果表明:在粗抛阶段可实现20.259μm/h的高效材料去除,在精密抛光阶段可获得碳化硅表面粗糙度Sa为0.408 nm的光滑表面。 展开更多

关键词 碳化硅 电化学机械抛光 电化学氧化 混合磨粒 材料去除率

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于硫代水杨酸基电解液的纯铜电化学机械抛光反应机理研究

12

作者 吴頔 康仁科 +3 位作者 牛林 潘博 郭晓光 郭江 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期221-226,共6页

随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机... 随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机理难以阐明.通过对电位动态极化和ECMP试验,优化了工作电位,实现在2 V(饱和甘汞电极为参考电极)下进行ECMP,使工件表面粗糙度减少96.7%;并对试验中生成的缓蚀膜进行X射线能谱(EDS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和质谱分析,阐明了纯铜材料与TSA基电解液的反应机理,即2个TSA分子脱质子生成[C12H8(COO)2SO2]2-,[C12H8(COO)2SO2]2-转化为[C14H8O6S]4-,然后[C14H8O6S]4-与铜离子结合形成配位化合物[C14H8O6SCu]2-;此外,在反应产物中检测到[C12H8(COOH)2S2](二硫代水杨酸,DTSA)的存在,为快速合成DTSA提供了新的可能. 展开更多

关键词 硫代水杨酸 电化学机械抛光 铜 反应机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

模具电化学-机械抛光技术及装备 被引量：3

13

作者 季仁良 《航空制造技术》 北大核心 2003年第3期73-75,共3页

着重论述了电化学 -机械抛光工艺及装备的研制方法 ,提出了初步的应用范围。试验表明这种工艺方法具有加工范围广、精度高和生产效率高等优点 。

关键词 模具 电化学-机械抛光工艺 抛光装备 导电锉 导电油石

在线阅读 下载PDF 职称材料

单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光 被引量：2

14

作者 考政晓 张保国 +5 位作者 于璇 杨盛华 王万堂 刘旭阳 韦伟 马腾达 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期628-634,共7页

通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速... 通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H2O2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H2O2、pH值为12的SiO2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H2O2抛光液中引入适量的NaNO3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H2O2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 单晶SiC 电化学腐蚀 化学机械抛光(CMP) 氧化剂 去除速率

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于铜电化学机械抛光的羟基乙叉二膦酸基电解液反应机理研究

15

作者 吴由頁 康仁科 +2 位作者 郭江 刘作涛 金洙吉 《电加工与模具》 2020年第3期38-43,共6页

在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(vs.SCE)限制了反应过程中的材料去除率。为解决此问题,在较高电位下对铜进行动电位腐蚀、静电位腐蚀和ECM... 在铜电化学机械抛光(ECMP)工艺中,羟基乙叉二膦酸(HEDP)可与其他水处理剂协同抑制电解并使金属表面光滑,而传统的操作电位低于4 V(vs.SCE)限制了反应过程中的材料去除率。为解决此问题,在较高电位下对铜进行动电位腐蚀、静电位腐蚀和ECMP试验,研究工艺可行性并探索电解液的反应机理。结果表明:在6 V(vs.SCE)下,能最大程度地提高铜片的表面粗糙度和材料去除率。反应机理推测:从工作电极电离得到的铜离子与两个HEDP分子反应生成配位化合物[CuL2]6-后与K+结合形成配位化合物[KCuL2]5-。 展开更多

关键词 羟基乙叉二膦酸 电化学机械抛光 反应机理

在线阅读 下载PDF 职称材料

氧化剂含量对304不锈钢化学机械抛光的影响 被引量：1

16

作者 季明捷 陈国美 +2 位作者 倪自丰 张鑫 郑世坤 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期152-158,共7页

为了探究氧化剂含量对304不锈钢化学机械抛光的影响及其作用机制,采用过氧化氢作为氧化剂,研究不同氧化剂质量分数下304不锈钢材料去除率及表面粗糙度值的变化规律,并基于接触角和电化学试验分析过氧化氢在抛光过程中的作用机制。结果表... 为了探究氧化剂含量对304不锈钢化学机械抛光的影响及其作用机制,采用过氧化氢作为氧化剂,研究不同氧化剂质量分数下304不锈钢材料去除率及表面粗糙度值的变化规律,并基于接触角和电化学试验分析过氧化氢在抛光过程中的作用机制。结果表明:化学机械抛光过程中过氧化氢含量的增加有利于304不锈钢表面氧化膜的生成,从而有效提高304不锈钢的材料去除率及表面质量;但是过高的过氧化氢含量会导致304不锈钢表面氧化膜致密,使得化学作用与机械作用失衡从而造成304不锈钢表面质量下降;当过氧化氢质量分数为0.04%时,抛光后304不锈钢表面粗糙度值最低,仅有2.5 nm,材料去除率达到324.21 nm/min。 展开更多

关键词 304不锈钢 化学机械抛光 氧化剂 电化学

在线阅读 下载PDF 职称材料

螺旋电极电化学机械复合抛光的试验研究

17

作者 柴牧舟 郭钟宁 刘江文 《电加工与模具》 2007年第3期55-58,共4页

介绍了一种使用螺旋式线型工具电极的电化学机械抛光新工艺。通过试验分析了加工过程中电化学机械复合作用机理及主要工艺参数对加工件表面质量的影响,实现了将较高的表面粗糙度值降至Ra0.25μm以下的加工效果。

关键词 电化学机械抛光 复合加工 螺旋电极 表面质量

在线阅读 下载PDF 职称材料

单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量：7

18

作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页

为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 电化学机械抛光(ecmp) 催化辅助 固结磨粒抛光

在线阅读 下载PDF 职称材料

过氧化氢抛光液体系中钌的化学机械抛光研究 被引量：8

19

作者 储向峰 王婕 +2 位作者 董永平 乔红斌 张王兵 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期421-427,共7页

本文研究了过氧化氢(H2O2)抛光液体系中金属钌的化学机械抛光行为,采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了氧化剂和络合剂对腐蚀效果的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌.结果表明:在过氧化氢抛光液体系中,... 本文研究了过氧化氢(H2O2)抛光液体系中金属钌的化学机械抛光行为,采用电化学分析方法和X射线光电子能谱仪(XPS)分析了氧化剂和络合剂对腐蚀效果的影响,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌.结果表明:在过氧化氢抛光液体系中,金属钌表面钝化膜的致密度和厚度与醋酸(CH3COOH)和H2O2的浓度有关.抛光液中醋酸主要通过促进阳极反应的进行从而增强抛光液对金属钌的化学作用,CH3COOH作为络合剂比三乙醇胺(TEA)或酒石酸(C4H6O6)得到的抛光速率更高.低浓度H2O2通过增强抛光液对金属钌的化学腐蚀,抛光速率增大,较高浓度H2O2可能通过在金属表面形成较厚的氧化膜,抛光速率下降.XPS图谱说明钌片浸泡在含醋酸介质过氧化氢体系抛光液后,钌、氧原子相对含量之比约为2∶3,而且金属钌被氧化到四价和八价,这可能是因为金属钌表面生成RuO2和RuO4.抛光后的金属钌表面在5μm×5μm范围内平均粗糙度Sa由抛光前的33 nm降至6.99 nm. 展开更多

关键词 钌 化学机械抛光 电化学检测 过氧化氢 络合剂

在线阅读 下载PDF 职称材料

铜抛光液的电化学行为研究 被引量：4

20

作者 李秀娟 郭东明 +1 位作者 康仁科 金洙吉 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1144-1147,共4页

为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅片的氧化、溶解和腐蚀抑制行为,以双氧水为氧化剂,柠檬酸为络合剂,苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂,在pH5的条件下进行抛光液的电化学行为研究.测试了铜在... 为分析用于超大规模集成电路(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)所使用抛光液的添加剂对铜硅片的氧化、溶解和腐蚀抑制行为,以双氧水为氧化剂,柠檬酸为络合剂,苯丙三唑(BTA)为腐蚀抑制剂,在pH5的条件下进行抛光液的电化学行为研究.测试了铜在抛光液中的极化曲线、交流阻抗谱以及静腐蚀量.试验结果表明:添加络合剂柠檬酸降低了原来处于钝化状态下的铜抛光液系统的阻抗;加入缓蚀剂BTA后,Cu-H2O2-Citric acid-BTA系统的交流阻抗值增大.测试到的Cu-H2O2-Citric acid系统由于存在铜的不可逆氧化过程,导致了Warburg阻抗的存在;添加BTA后,在铜的表面生成了CuBTA的缓蚀膜,抑制了铜的腐蚀并改变了铜在Cu-H2O2-Citric acid系统中的电化学反应过程. 展开更多

关键词 化学机械抛光 电化学 交流阻抗谱 电极过程

在线阅读 下载PDF 职称材料