ULSI制造中Cu的电化学机械抛光 被引量：2

1

作者 储向峰 白林山 李玉琢 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第2期115-118,共4页

电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研... 电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150～200mL/min、抛光台转速为30～40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。 展开更多

关键词 超大规模集成电路 铜 电化学机械抛光 化学机械抛光 抛光机理

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潮湿颗粒电解质电化学机械抛光铜工件的接触特性研究

2

作者 董志刚 程吉瑞 +1 位作者 高尚 康仁科 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2023年第13期38-45,72,共9页

潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(Moist particle electrolyte electrochemical mechanical polishing,MPEECMP)作为新兴技术,仍存在难以获得高表面质量的问题。为解决该问题,深入研究电解质颗粒与工件的接触特性,采用离散元仿真软件Altai... 潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(Moist particle electrolyte electrochemical mechanical polishing,MPEECMP)作为新兴技术,仍存在难以获得高表面质量的问题。为解决该问题,深入研究电解质颗粒与工件的接触特性,采用离散元仿真软件Altair EDEM探究了工件倾斜角、转速对接触数量、接触力的影响规律,并进行MPE-ECMP工艺试验。研究结果表明,倾斜角为30°时,单位时间内电解质颗粒与工件的接触数量最多,且切向力最大,为3.38 mN;在90°时,切向力最小,为1.21 mN。随着工件转速增大,单位时间内电解质颗粒与工件的接触数量变少,电解质颗粒与工件接触的法向力、切向力呈增大趋势。当抛光电位(vs.Hg/Hg_(2)SO_(4))为0.8 V,工件倾斜角为30°,抛光1 h,表面粗糙度从S_(a)433.51 nm降低到S_(a)22.43 nm,降低了94.8%。结果证明了工件倾斜角、转速的调整可有效提高MPE-ECMP的抛光精度,表面粗糙度的降低是由接触数量及接触力共同决定的,EDEM可有效模拟电解质颗粒运动的流态特性,为MPE-ECMP的进一步研究奠定了基础。 展开更多

关键词 潮湿颗粒电解质电化学机械抛光(MPE-ECMP) 离散元法 流场轨迹 接触特性 表面质量

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新型铜互连方法——电化学机械抛光技术研究进展 被引量：3

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作者 许旺 张楷亮 杨保和 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期521-524,589,共5页

多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,E... 多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP)技术带来了巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP)应运而生,ECMP在很低的压力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的ECMP技术进行了回顾和讨论。 展开更多

关键词 化学机械抛光 铜互连 低介电常数 电化学机械抛光 平坦化技术 多孔

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TB2钛合金电化学机械抛光试验研究 被引量：3

4

作者 魏颖 房晓龙 曲宁松 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2023年第10期77-84,共8页

航天器用星箭连接带的材料为TB2钛合金,对表面质量要求严格。提出电化学–电化学机械组合抛光TB2钛合金的方法,通过机械作用控制表面TiCl4黏性层厚度,设计了固结磨料工具阴极,搭建了电化学机械抛光试验系统。开展了不同组合形式的电化... 航天器用星箭连接带的材料为TB2钛合金,对表面质量要求严格。提出电化学–电化学机械组合抛光TB2钛合金的方法,通过机械作用控制表面TiCl4黏性层厚度,设计了固结磨料工具阴极,搭建了电化学机械抛光试验系统。开展了不同组合形式的电化学–电化学机械组合抛光优选试验,研究了电压、工具转速、进给速度等工艺参数对组合抛光后表面质量的影响,最后,在电压25 V、工具阴极转速100 r/min、工具阴极进给速度30 mm/min,电化学抛光1次+电化学机械抛光1次组合形式交替加工15次的条件下,获得了表面粗糙度Ra0.031μm、Sa0.082μm的表面。实现了TB2钛合金薄板零件的连续抛光。 展开更多

关键词 TB2钛合金 电化学机械抛光 组合抛光 薄板零件 表面粗糙度

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基于硫代水杨酸基电解液的纯铜电化学机械抛光反应机理研究

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作者 吴頔 康仁科 +3 位作者 牛林 潘博 郭晓光 郭江 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期221-226,共6页

随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机... 随着国防和电子工业领域的发展,纯铜精密零件对表面粗糙度的要求随之提高.在硫代水杨酸(TSA)的络合作用下,电化学机械抛光(ECMP)可避免加工应力引起的变形并获得低表面粗糙度的纯铜表面,但由于TSA存在多个官能团,其与纯铜材料的反应机理难以阐明.通过对电位动态极化和ECMP试验,优化了工作电位,实现在2 V(饱和甘汞电极为参考电极)下进行ECMP,使工件表面粗糙度减少96.7%;并对试验中生成的缓蚀膜进行X射线能谱(EDS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和质谱分析,阐明了纯铜材料与TSA基电解液的反应机理,即2个TSA分子脱质子生成[C12H8(COO)2SO2]2-,[C12H8(COO)2SO2]2-转化为[C14H8O6S]4-,然后[C14H8O6S]4-与铜离子结合形成配位化合物[C14H8O6SCu]2-;此外,在反应产物中检测到[C12H8(COOH)2S2](二硫代水杨酸,DTSA)的存在,为快速合成DTSA提供了新的可能. 展开更多

关键词 硫代水杨酸 电化学机械抛光 铜 反应机理

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先进的工艺流程控制拓展电化学机械抛光工艺相容性(英文) 被引量：1

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作者 Antoine Manens Paul Miller +1 位作者 Eashwer Kollata Alain Duboust 《电子工业专用设备》 2008年第6期24-27,32,共5页

电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制。马拉松式运行展现了在保持工艺规程同时具有扩展设备消耗性部件使用期限的能力。一种终点算法可以接受前馈控制数据... 电化学机械抛光与化学机械抛光工艺相比提供了更大的控制能力,而一个多区的阴极允许对圆片内部均匀性进行精确的控制。马拉松式运行展现了在保持工艺规程同时具有扩展设备消耗性部件使用期限的能力。一种终点算法可以接受前馈控制数据调整一些方法并有效地减少圆片内部表面形貌的变异。 展开更多

关键词 工艺控制 化学机械抛光 电化学机械抛光 片内均匀性 终点算法

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模具电化学-机械抛光技术及装备 被引量：3

7

作者 季仁良 《航空制造技术》 北大核心 2003年第3期73-75,共3页

着重论述了电化学 -机械抛光工艺及装备的研制方法 ,提出了初步的应用范围。试验表明这种工艺方法具有加工范围广、精度高和生产效率高等优点 。

关键词 模具 电化学-机械抛光工艺 抛光装备 导电锉 导电油石

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单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量：7

8

作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页

为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多

关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 电化学机械抛光(ECMP) 催化辅助 固结磨粒抛光

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65nm技术节点的CMP技术

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作者 童志义 《电子工业专用设备》 2006年第10期8-13,共6页

概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战,给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。

关键词 CMP设备市场 65nm节点 铜互连 电化学机械抛光 无应力抛光 后CMP清洗

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CMP的最新动态 被引量：5

10

作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2005年第1期7-9,共3页

介绍了当前CMP的最新动态,包括CMP设备市场、电化学机械抛光、新型300mm晶圆CMP设备和阻挡层研磨版等。

关键词 化学机械抛光 电化学机械抛光 阻挡层研磨液版

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以SiC为代表的第三代半导体超硬材料平坦化前沿技术

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作者 刘宜霖 张博 +2 位作者 吴昊 丁明明 王胜 《电子工业专用设备》 2025年第2期21-25,共5页

SiC因其超硬的材料特性、稳定的化学性质,在传统CMP中存在材料去除率提升困难、抛光成本偏高的劣势。介绍了光辅助化学机械抛光(PCMP)、电化学机械抛光(ECMP)、超声辅助化学机械抛光(UACMP)、等离子体辅助抛光(PAP)4种。针对SiC平坦化... SiC因其超硬的材料特性、稳定的化学性质,在传统CMP中存在材料去除率提升困难、抛光成本偏高的劣势。介绍了光辅助化学机械抛光(PCMP)、电化学机械抛光(ECMP)、超声辅助化学机械抛光(UACMP)、等离子体辅助抛光(PAP)4种。针对SiC平坦化的新技术方法及基本原理,在传统CMP技术的化学侵蚀与机械研磨协同作用的基础上,通过引入光催化作用、电化学阳级氧化作用、抛光液超声振动与空化作用、等离子体侵蚀作用,达到了提升SiC材料去除率、提高SiC表面质量、降低抛光成本的目的。 展开更多

关键词 碳化硅 化学机械抛光 光辅助化学机械抛光 电化学机械抛光 超声辅助化学机械光 等离子体辅助抛光

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