电化学刻蚀法制备LaB_6场发射微尖锥阵列 被引量：6

1

作者 王小菊 林祖伦 +3 位作者 祁康成 陈泽祥 汪志刚 蒋亚东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期429-432,共4页

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,... 采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性。在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性。该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 单晶LaB6 场发射阵列 电化学刻蚀 各向异性

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钛表面电化学刻蚀及HAP/Ti复合生物材料的研究 被引量：4

2

作者 庄燕燕 胡仁 +3 位作者 时海燕 胡皓冰 郭明 林昌健 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期230-233,共4页

电化学沉积法在光滑钛表面上得到的羟基磷灰石涂层存在着不耐载荷,应力作用下结合界面易被破坏的缺陷.本文采用电化学刻蚀技术在钛表面形成微观的粗糙结构.然后用电化学方法在粗糙化的钛表面直接沉积纯的羟基磷灰石,并应用XRD,SEM,FTIR... 电化学沉积法在光滑钛表面上得到的羟基磷灰石涂层存在着不耐载荷,应力作用下结合界面易被破坏的缺陷.本文采用电化学刻蚀技术在钛表面形成微观的粗糙结构.然后用电化学方法在粗糙化的钛表面直接沉积纯的羟基磷灰石,并应用XRD,SEM,FTIR漫反射光谱,电化学交流阻抗及拉伸结合力实验等对复合膜层的化学组成、结构及力学性能进行表征.结果表明,钛表面经粗糙化后可改善羟基磷灰石与钛基体之间的界面状况,显著提高羟基磷灰石涂层与钛基体的结合力.实验表明,电化学沉积可获得纳米尺度均匀致密的纯羟基磷灰石涂层,有望提高植入体的表面生物活性. 展开更多

关键词 电化学刻蚀 钛 表面微结构 电化学沉积 羟基磷灰石 生物陶瓷材料 表面沉积工艺

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利用电化学刻蚀工艺制备p型硅基大孔深通道阵列 被引量：1

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作者 高延军 端木庆铎 +2 位作者 王国政 李野 田景全 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1497-1500,共4页

在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了p型大孔深通道阵列的形成微观机制,同时解释了电化学刻蚀反应与HF... 在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了p型大孔深通道阵列的形成微观机制,同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系,指出了HF浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键。提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备p型大孔深通道阵列经济实用的方法,实验结果对其形成具有指导意义。 展开更多

关键词 电子物理学 电化学刻蚀 大孔深通道阵列 氢氟酸 p型硅

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基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作 被引量：3

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作者 杜立群 李庆峰 +1 位作者 李爰琪 赵文君 《航空制造技术》 2017年第17期16-20,共5页

为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作... 为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6%。刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0%。本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命。 展开更多

关键词 结合力 电化学刻蚀 微流控芯片模具 微电铸

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附加液膜电化学刻蚀法制备微细工具电极的工艺研究

5

作者 吴修娟 王道林 +1 位作者 胡孝昀 王赛甫 《现代制造工程》 CSCD 北大核心 2020年第12期88-92,共5页

为提高微细工具电极的微细程度,提出一种附加液膜电化学刻蚀法制备微细工具电极的新方法,进行相关工艺试验研究。对比试验结果表明,附加液膜电化学刻蚀法制备的工具电极尖端半径均比传统液膜电化学刻蚀法制备的半径小;附加液膜类型对工... 为提高微细工具电极的微细程度,提出一种附加液膜电化学刻蚀法制备微细工具电极的新方法,进行相关工艺试验研究。对比试验结果表明,附加液膜电化学刻蚀法制备的工具电极尖端半径均比传统液膜电化学刻蚀法制备的半径小;附加液膜类型对工具电极尖端半径影响试验结果表明,(胶水)附加液膜制备的工具电极尖端半径尺寸和电极锥度最小,其次为(植物油)附加液膜,最大为(去离子水)附加液膜;而初始半径为250μm的钨棒在附加液膜(胶水)试验中出现特例,这是由于刻蚀时间过长胶水固化而引起的工具电极尖端过腐蚀所导致。 展开更多

关键词 微细工具电极 电化学刻蚀 附加液膜 制备工艺

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液膜电化学刻蚀法制备纳米电极的数学模型

6

作者 吴修娟 王红军 +1 位作者 曾永彬 房晓龙 《电加工与模具》 2016年第A01期43-46,共4页

介绍了液膜电化学刻蚀法制备纳米电极的原理及过程。根据钨棒刻蚀后的几何形状、电化学反应的基本原理及液体表面张力相关理论,建立了纳米电极制备的数学模型,为液膜电化学刻蚀法制备纳米电极奠定了理论基础。

关键词 液膜电化学刻蚀 纳米电极 纳米电解加工 数学模型

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金属表面微坑阵列掩膜电化学刻蚀技术研究

7

作者 杜立群 位广彬 +1 位作者 杨彤 陈胜利 《电加工与模具》 2015年第2期29-32,37,共5页

采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模,通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响,解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响,得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论,并通过调节溶液p H值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析... 采用负胶光刻工艺制备了微坑阵列胶模,通过实验分析了抛光工艺对刻蚀均匀性的影响,解决了微坑阵列刻蚀缺陷的问题。研究了酸洗对基板刻蚀的影响,得出酸洗可改善刻蚀均匀性的结论,并通过调节溶液p H值的方法解决了溶液沉淀的问题。分析了掩膜孔径对刻蚀均匀性的影响,并利用自行搭建的电化学刻蚀装置完成了直径60μm、深11μm的微坑阵列刻蚀。实验结果验证了掩膜电化学刻蚀工艺的可行性,为金属表面微小图形的制作提供了一种可行的方案。 展开更多

关键词 UV-LIGA 微坑阵列 电化学刻蚀 酸洗

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含氟水溶液中电化学刻蚀氟化WO_3薄膜电极增强可见光光电化学性能 被引量：5

8

作者 李文 冷文华 +4 位作者 牛振江 李想 费会 张鉴清 曹楚南 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第12期2427-2432,共6页

报道了在含氟的酸性水溶液中,对电沉积制备的WO3薄膜电极进行电化学刻蚀,并采用光电化学、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱、光致发光(PL)等方法对电极进行了表征.结果表明,刻蚀使电极比表... 报道了在含氟的酸性水溶液中,对电沉积制备的WO3薄膜电极进行电化学刻蚀,并采用光电化学、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱、光致发光(PL)等方法对电极进行了表征.结果表明,刻蚀使电极比表面积增大,质量减少,重要的是可使电极表面状态发生变化.在相同催化剂质量和比表面积的条件下,这种变化显著提高了WO3薄膜电极在可见光和紫外-可见光照下的光电转换性能.机理研究表明,电极光电化学性能提高可归因于刻蚀使电极表面发生氟化,光生载流子表面复合中心数目减少,平带电位负移.刻蚀对电极的吸光性质和晶体结构等未检测出明显变化.氟化电极在酸性中具有良好的光电化学稳定性. 展开更多

关键词 WO3 电化学刻蚀 氟化 光电化学 可见光

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基于硝酸钾溶液的GaN电化学刻蚀技术 被引量：3

9

作者 李昂 王伟凡 +2 位作者 周桃飞 王建峰 徐科 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第10期778-782,812,共6页

采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀... 采用基于硝酸钾溶液的电化学刻蚀工艺,通过横向刻蚀牺牲层的方法,在金属有机化学气相沉积法生长的氮化镓(GaN)外延层上实现了纳米孔与纳米薄膜两种结构。通过扫描电子显微镜(SEM)对GaN的表面和截面进行了对比表征。结果表明,由于在刻蚀过程中氧气的产生,相比于稳定性很好的SiO2,易于氧化剥落的光刻胶在大电压刻蚀下存在着明显的缺陷;在刻蚀电压为12~22 V时牺牲层可以被刻蚀出纳米孔结构,且随着电压的增加刻蚀孔也会增大;在刻蚀电压为23 V及以上电压时牺牲层被完全去除;刻蚀过程中刻蚀速率逐渐降低,100μm的纳米薄膜可在270 s时制作完成。 展开更多

关键词 电化学刻蚀 硝酸钾 GaN纳米孔 横向刻蚀 GaN纳米薄膜(NMS)

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电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列

10

作者 李国庆 刘爱民 +2 位作者 潘萌 杜晓书 郭凡 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1145-1147,共3页

电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.

关键词 电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM

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电化学刻蚀法制备铝合金超疏水表面及其润湿性转变 被引量：15

11

作者 赵树国 陈阳 +2 位作者 马宁 李景春 单宝峰 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期115-120,共6页

目的通过简易环保的方法在铝合金基体上制备超疏水表面。方法采用电化学刻蚀和空气中保存法在铝合金基体上制备超疏水表面,用扫描电子显微镜、粗糙度测量仪和光学接触角测量仪对所得样品的微观形貌、表面粗糙度和润湿性进行分析。结果... 目的通过简易环保的方法在铝合金基体上制备超疏水表面。方法采用电化学刻蚀和空气中保存法在铝合金基体上制备超疏水表面,用扫描电子显微镜、粗糙度测量仪和光学接触角测量仪对所得样品的微观形貌、表面粗糙度和润湿性进行分析。结果水滴在铝合金表面的接触角随着保存时间的增加而增大,电化学刻蚀所得超亲水表面逐渐表现出超疏水特性。12 d后表面趋于稳定,水滴在铝合金表面的接触角和滚动角分别为(152.3±4.5)°和(6.4±2.2)°。随着电化学刻蚀时间的增加,铝合金表面的润湿性减小。热处理可以使超疏水表面转为超亲水表面,在空气中保存后表面又恢复疏水性。结论试验所用中性环保的NaCl溶液作为电解液,极大地降低了试验对人体和环境的危害。并未使用有害的二次化学涂层作为表面能修饰材料,提高了试验的安全性和超疏水表面的稳定性。通过此简单环保的电化学刻蚀和空气中保存的方法成功地在铝合金基体上制备出了超疏水表面,所得表面展现出良好的疏水特性。 展开更多

关键词 铝合金 超疏水表面 电化学刻蚀 保存法 加热处理 环保

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核物理电化学刻蚀分析中智能化高压电源的研制

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作者 米昶 解统颜 苑伟 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2009年第11期64-67,共4页

提出了一种用于电化学刻蚀（ECE）分析的可编程高压电源实现方案。利用MAX038作为波形发生器,采用P89LPC936 MCU进行控制。电源的输出频率可达2 kHz,电压峰—峰值可达8000 V。由于系统采用了MCU控制,提高了电源的输出频率和电压的精度,... 提出了一种用于电化学刻蚀（ECE）分析的可编程高压电源实现方案。利用MAX038作为波形发生器,采用P89LPC936 MCU进行控制。电源的输出频率可达2 kHz,电压峰—峰值可达8000 V。由于系统采用了MCU控制,提高了电源的输出频率和电压的精度,增强了电源的可靠性,并具有工作数据的记录功能。 展开更多

关键词 智能化 高压电源 电化学刻蚀 MAX038 单片机

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燃料电池多孔电极的电化学刻蚀处理及性能

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作者 邓若燚 夏章讯 +2 位作者 孙瑞利 王素力 孙公权 《电源技术》 CAS 北大核心 2020年第2期196-199,248,共5页

采用电化学阴极刻蚀的方法对磁控溅射制备的铂气体扩散电极进行处理,考察了不同刻蚀电势和时间所制备样品的电化学行为。结果表明,与未刻蚀的电极相比,刻蚀后的电极电化学活性面积(ECSA)提高16.6%,氧还原半波电位正移15~20 mV,质量比活... 采用电化学阴极刻蚀的方法对磁控溅射制备的铂气体扩散电极进行处理,考察了不同刻蚀电势和时间所制备样品的电化学行为。结果表明,与未刻蚀的电极相比,刻蚀后的电极电化学活性面积(ECSA)提高16.6%,氧还原半波电位正移15~20 mV,质量比活性(MA)和面积比活性(SA)分别提高27.2%和48.4%。X射线衍射光谱法(XRD)、透射电子显微镜法(TEM)等物性表征表明刻蚀后的电极中铂的晶型并未改变,但其分散性和颗粒形状有所变化,推测为电极电化学活性面积提高,因此提高了电极氧还原性能。 展开更多

关键词 燃料电池 气体扩散电极 电化学刻蚀

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激光冲击效应下的力学电化学微细刻蚀加工 被引量：8

14

作者 张朝阳 李中洋 +1 位作者 王耀民 毛卫平 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1310-1315,共6页

在所构建的纳秒脉冲激光电化学加工系统中,利用激光辐照和脉冲电化学刻蚀复合的方法对铝合金进行了加工试验,研究了激光穿过溶液作用于物质时产生的力效应和电化学效应对加工质量的影响。试验结果表明:高能脉冲激光透过电解液辐照在工... 在所构建的纳秒脉冲激光电化学加工系统中,利用激光辐照和脉冲电化学刻蚀复合的方法对铝合金进行了加工试验,研究了激光穿过溶液作用于物质时产生的力效应和电化学效应对加工质量的影响。试验结果表明:高能脉冲激光透过电解液辐照在工件表面时,激光在电解液中产生的冲击波力效应和射流冲击力效应会使工件发生弹性变形,从而改变电极电势,提高电流密度,加速了对工件的刻蚀。激光产生的力效应能够去除加工区的钝化层,使其发生电化学反应,而非加工区不发生反应,从而显著增强了电化学的定域蚀除能力。最后,利用力学电化学效应,在浓度为0.5mol/L的NaNO3溶液中实现了线宽140μm左右、深宽比较大的微细刻蚀加工,获得了较好的加工质量和成形精度。 展开更多

关键词 脉冲激光 激光冲击 电化学刻蚀 力学电化学效应 复合加工

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金属的电化学微区刻蚀方法 被引量：3

15

作者 蒋利民 田中群 +3 位作者 刘柱方 毛秉伟 黄海苟 孙建军 《电化学》 CAS CSCD 2002年第2期139-147,共9页

本文概述了现行的金属微区刻蚀方法并详细地介绍几种电化学刻蚀方法 ,比较了掩膜法、扫描电化学显微镜法、约束刻蚀剂层法、电化学扫描遂道显微镜法和超短电位脉冲法各自的特点 .从加工精度 (能否进行微米和纳米级加工 )、加工效率 (工... 本文概述了现行的金属微区刻蚀方法并详细地介绍几种电化学刻蚀方法 ,比较了掩膜法、扫描电化学显微镜法、约束刻蚀剂层法、电化学扫描遂道显微镜法和超短电位脉冲法各自的特点 .从加工精度 (能否进行微米和纳米级加工 )、加工效率 (工序复杂程度 ,能否批量制造或复制 )、可用范围 (主要是能否加工复杂三维立体结构 )等各项因素进行了综合分析 ,结果表明 ,各种加工方法各有其优缺点 ,从总的效果来看 。 展开更多

关键词 金属 电化学刻蚀 约束刻蚀剂层技术 微加工

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Si深刻蚀光助电化学方法的研究 被引量：1

16

作者 雷耀虎 郭金川 +1 位作者 赵志刚 牛憨笨 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期517-521,共5页

光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程... 光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响。着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响。理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大。为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术。 展开更多

关键词 光照 电化学刻蚀 扩散 N型硅

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电化学定域性刻蚀多孔InP光波导

17

作者 尤明慧 祝煊宇 +3 位作者 李雪 董明雪 王勇 曲轶 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第12期964-968,981,共6页

采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中... 采用电子束光刻技术与电化学定域性刻蚀技术制备了多孔InP光波导。使用扫描电子显微镜对电化学定域性刻蚀方法制备的多孔InP进行表征和分析,研究了电流密度、掩模图形和刻蚀时间对定域性刻蚀制备的多孔InP结构的影响。电化学刻蚀过程中,分别利用掩模图形诱导刻蚀方向,改变电流密度调整孔隙大小和深度,改变刻蚀时间控制形成的多孔结构的深度。采用电化学定域性刻蚀与电子束光刻技术相结合,在InP衬底上制备具有光学传输特性的光波导结构。反射率测试结果表明,采用波长900 nm的入射光,多孔结构具有导波模式。使用500μm长的InP多孔结构所制备波导的损耗约为9.92 dB/cm。多孔结构InP光波导在光子集成领域具有较好的应用价值和前景。 展开更多

关键词 多孔InP 电子束光刻 电化学刻蚀 定域性 波导

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单晶LaB_6场发射阵列的电化学腐蚀工艺 被引量：7

18

作者 王小菊 林祖伦 +2 位作者 祁康成 王本莲 蒋亚东 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1195-1198,共4页

六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列... 六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB6的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H3PO4是刻蚀单晶LaB6的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙。另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生,不利于提高发射体的场增强因子。此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10-4Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA。 展开更多

关键词 六硼化镧 单晶 场发射阵列阴极 电化学刻蚀

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基于聚丙烯酰胺凝胶软印章的电化学纳米加工(英文)

19

作者 孙文 樊海涛 +2 位作者 张大霄 胡冬洁 周勇亮 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期262-266,共5页

电化学刻蚀使用腐蚀性小的电解质溶液,且溶液可使用周期长,是一种环境友好的加工工艺.本文采用聚丙烯酰胺水凝胶(PAG)作为软印章,辅以优化工艺,将电化学湿印章技术(E-WETS)的加工精度从几十微米提高到了200纳米.将新配制的聚丙烯酰胺水... 电化学刻蚀使用腐蚀性小的电解质溶液,且溶液可使用周期长,是一种环境友好的加工工艺.本文采用聚丙烯酰胺水凝胶(PAG)作为软印章,辅以优化工艺,将电化学湿印章技术(E-WETS)的加工精度从几十微米提高到了200纳米.将新配制的聚丙烯酰胺水凝胶浇注在具有纳米结构的软模板表面,固化后脱模并保存于0.2mol·L-1KCl溶液中,在合适电位和压力下,对硅片表面金膜进行电化学湿法刻蚀,分别研究了聚丙烯酰胺水凝胶的聚合条件、电化学加工电位以及水凝胶表面压力对加工结果的影响.实验表明,在最优条件下可加工出直径为200纳米的特征点阵结构,且该方法具有较好的可靠性和稳定性。 展开更多

关键词 微纳加工 电化学刻蚀 软印章 聚丙烯酰胺水凝胶

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腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究 被引量：4

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作者 蒋稳 邹宇 +5 位作者 伍建春 展长勇 朱敬军 安竹 杨斌 黄宁康 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期2222-2226,共5页

采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐... 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。 展开更多

关键词 中子探测器 电化学刻蚀 多孔硅阵列 形貌

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