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亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
被引量：
1
1
作者
韩名君
柯导明
+2 位作者
王保童
王敏
徐春夏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2237-2241,共5页
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小...
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
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关键词
金属氧化物半导体场效应管
电势解析模型
栅氧化层
空间电荷区
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职称材料
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
被引量：
3
2
作者
韩名君
柯导明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期94-98,共5页
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与M...
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.
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关键词
超浅结亚45nm
MOSFET
二维
电势
半
解析
模型
亚阈值电流
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职称材料
题名
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
被引量：
1
1
作者
韩名君
柯导明
王保童
王敏
徐春夏
机构
安徽大学电子信息工程学院
芜湖职业技术学院电子信息系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期2237-2241,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076086)
高等学校博士学科点专项科研基金(No.20103401110008)
文摘
本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.
关键词
金属氧化物半导体场效应管
电势解析模型
栅氧化层
空间电荷区
Keywords
metal-oxide-semiconductor field effect transistor （MOSFET）
potential analytical model
gate oxide layer
space charge region
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
被引量：
3
2
作者
韩名君
柯导明
机构
安徽大学电子信息工程学院
安徽工程大学电气工程学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期94-98,共5页
基金
国家自然科学基金(No.61076086
No.06070458)
高等学校博士学科点专项科研基金(No.2103401110008)
文摘
文章提出将亚阈值区超浅结MOSFET的氧化层和Si衬底划分为三个区域,得到三个区域的定解问题,并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数,首次得到超浅结亚45nm MOSFET的二维电势半解析模型,并给出了亚阈值电流模型.通过与Medici模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结15~45nm MOSFET的二维电势和电流.
关键词
超浅结亚45nm
MOSFET
二维
电势
半
解析
模型
亚阈值电流
Keywords
ultra shallow junctions sub-45nm M OSFETs
2-D potential semi-analytical model
sub-threshold current
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型
韩名君
柯导明
王保童
王敏
徐春夏
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
在线阅读
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职称材料
2
超浅结亚45nm MOSFET亚阈值区二维电势模型
韩名君
柯导明
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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职称材料
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