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题名全碳化硅大功率直流电源关键技术研究
被引量：3
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作者
李志君
黄波
黄小羽
郑琼林
李虹
邵天骢
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机构
北京交通大学电气工程学院
泰科天润半导体科技(北京)有限公司
国网北京市电力公司电缆分公司
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出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2021年第1期215-222,共8页
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基金
国家自然科学基金优秀青年基金资助项目(51822701)
国家自然科学基金重点资助项目(U1866211)。
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文摘
碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战。首先针对SiC器件抗冲击能力差的问题,引入嵌入式保护策略,应对直流电源外部冲击扰动和短路故障。其次,针对电磁干扰大的问题,设计了电磁干扰滤波器抑制传导干扰。最后,比较全Si C电源和传统全Si电源,以实验研究的方式验证功率器件使用SiC器件的技术优势。对全SiC大功率直流电源的关键技术进行全面研究和实验验证,为SiC半导体器件在大功率电能变换中的应用提供了有益参考,并为其优异性能提供坚实依据。
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关键词
碳化硅功率半导体器件
电力电子变换装置
嵌入式保护
电磁兼容
功率密度
效率
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Keywords
silicon carbide(SiC)power semiconductor device
power electronic converter
embedded protection
electromagnetic compatibility
power density
efficiency
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分类号
TM461
[电气工程—电器]
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