平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计

1

作者 王彩琳 聂代祚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期40-44,共5页

通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析，指出了传统设计方法的缺点，提出了一种新的优化设计方法，使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配。

关键词 平面型 电力半导体器件 击穿电压

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电力半导体器件的现状及发展趋势 被引量：1

2

作者 陈烨 吴济钧 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期33-39,共7页

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功... 叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。 展开更多

关键词 电力半导体器件 集成电路 MOS控制晶闸管

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电力半导体器件的发展 被引量：2

3

作者 李柏龄 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期20-21,24,共3页

介绍了电力半导体器件的发展，指出了该器件由高频化走向智能化的发展趋势。本文还展望了不断开拓的电力半导体器件应用领域。

关键词 自关断裂器件 高频化 智能化 电力半导体器件

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电力半导体模块

4

作者 金淮丰 《农村电气化》 北大核心 2002年第8期44-44,共1页

关键词 电力半导体模块 电力电子半导体器件 MOS结构 电力电子技术

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大容量电力电子装备关键器件及系统可靠性综合分析与评估方法综述 被引量：40

5

作者 雷万钧 刘进军 +2 位作者 吕高泰 吕春林 曹瑞 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期3353-3361,共9页

大容量电力电子装备的可靠性综合分析与评估方法对装备的优化设计至关重要,而其核心问题仍未被解决。通过对器件的物理失效机理分析,可以获得不同关键器件的不同失效模式,建立多物理场耦合下的可靠性研究的理论基础,更为准确地针对具体... 大容量电力电子装备的可靠性综合分析与评估方法对装备的优化设计至关重要,而其核心问题仍未被解决。通过对器件的物理失效机理分析,可以获得不同关键器件的不同失效模式,建立多物理场耦合下的可靠性研究的理论基础,更为准确地针对具体器件、系统、物理场以及不同时间尺度展开可靠性量化评估。介绍了电力半导体器件、电容器和装备相关的可靠性研究现状,分析了器件失效物理机理、可靠性分析方法,总结了现有研究存在的问题,提出了相应的解决方案,展望了大容量电力电子装备可靠性的未来研究方向。 展开更多

关键词 电力电子可靠性 大容量电力电子装备 失效物理机理 电力半导体器件 电容器 可靠性建模

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20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究 被引量：3

6

作者 李思渊 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期36-55,共20页

全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ Ｓ Ｉ Ｄ）的开拓性研究成果，包括 Ｓ Ｉ Ｄ 基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究， Ｓ Ｉ Ｄ产品的研制以及 Ｓ Ｉ Ｄ

关键词 静电感应器件 SID 电力半导体器件 SIT SITH

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中职学校电力电子课程教学思考

7

作者 郑淑青 《河北农业科技》 2008年第10期55-55,共1页

“电力电子技术”课程是电气工程及其自动化专业重要的专业基础课程。电力电子技术又称电力电子学，是电工技术的分支之一，国际电气和电子工程师协会（IEEE）的电力电子学会将电力电子技术表述为：有效地使用电力半导体器件，应用电路... “电力电子技术”课程是电气工程及其自动化专业重要的专业基础课程。电力电子技术又称电力电子学，是电工技术的分支之一，国际电气和电子工程师协会（IEEE）的电力电子学会将电力电子技术表述为：有效地使用电力半导体器件，应用电路和设计理论以及分析工具，实现对电能的高效变换和控制的一门技术。本文将探讨如何提高教学质量，使学生全面地掌握这门课程，为构建完整的专业知识体系服务。 展开更多

关键词 电力电子技术 电子课程 电气工程及其自动化专业 教学思考 中职学校 电力半导体器件 专业基础课程 电力电子学

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一种新颖的用于消除PWM逆变器输出共模电压的有源滤波器 被引量：43

8

作者 姜艳姝 徐殿国 +1 位作者 陈希有 马洪飞 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第10期125-129,共5页

pWM逆变器在应用中会产生共模电压, 共模电压在IGBT的高速开关期间产生充放电电流。此电流通过电机内部的寄生电容产生流入地线的漏电流。漏电流过大将对电源产生电磁干扰,还会使电机轴承过早毁坏,从而影响系统运行的可靠性。文中提出... pWM逆变器在应用中会产生共模电压, 共模电压在IGBT的高速开关期间产生充放电电流。此电流通过电机内部的寄生电容产生流入地线的漏电流。漏电流过大将对电源产生电磁干扰,还会使电机轴承过早毁坏,从而影响系统运行的可靠性。文中提出了一种新颖的可以有效消除脉冲宽度调制(PWM)逆变器产生的共模电压的有源滤波器。这个有源滤波器由一个单相逆变器和一个五绕组共模变压器组成,可以产生与PWM逆变器输出的电压幅值相等,相位相反的共模电压,通过五绕组共模变压器叠加到逆变器输出中,从而有效消除感应电机端的共模电压。这种有源滤波器结构简单,控制容易。文中通过理论分析,仿真和实验结果证明了这种结构的有效性。 展开更多

关键词 PWM逆变器 共模电压 有源滤波器 电力半导体器件

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非对称型门极换流晶闸管阻断特性的设计与优化 被引量：8

9

作者 王彩琳 高勇 张新 《西安理工大学学报》 CAS 2005年第2期129-133,共5页

分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过... 分析了非对称型门极换流晶闸管(GCT)的结构和工作原理,提出了阻断特性的设计方法,并依此建立了非对称型GCT的结构模型;利用MEDICI软件对其正向IV特性和电场分布进行了模拟,分析了穿通型耐压结构的击穿机理,证实了设计的合理性;另外通过对GCT结构参数的优化,指出当n缓冲层的浓度为5×1016cm-3时,可获得比较理想的阻断特性。 展开更多

关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 门极可关断晶闸管 穿通击穿 电场分布

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非线性电容Pspice模型的建立 被引量：2

10

作者 吴建强 李浩昱 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期44-46,共3页

提出了一种基于MicroSim公司的通用电子电路仿真软件Pspice上的新颖的非线性器件的仿真方法，并以非线性电容为例具体加以实现该模型是一个通用子电路模型，并且可以应用于任何电路仿真及电力半导体器件建模中由于在该模型的建立中采取... 提出了一种基于MicroSim公司的通用电子电路仿真软件Pspice上的新颖的非线性器件的仿真方法，并以非线性电容为例具体加以实现该模型是一个通用子电路模型，并且可以应用于任何电路仿真及电力半导体器件建模中由于在该模型的建立中采取了非线性函数的曲线拟合方法，使得原先在Pspice中无法实现的非线性器件可以通过易于实现的受控源来模拟拟合多项式函数．本文以见公司的功率电子器件IGBT手册所给出的栅漏电容特性与仿真结果加以对比，证明了本方法的准确性及实用性．在实际应用中，该模型结合其它的非线性器件模型成功地构造了功率电子器件IGBT．同时，该思想也可以应用于大部分仿真软件中的非线性元件建模中． 展开更多

关键词 仿真 非线性电容 PSPICE模型 电力半导体器件

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IEC-GCT阳极结构参数的优化设计 被引量：1

11

作者 张如亮 高勇 +1 位作者 王彩琳 马丽 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2010年第4期388-392,共5页

在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上... 在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上的氧化层宽度对通态特性影响较小,并给出了优化设计后的结构参数。 展开更多

关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 注入效率 阳极短路比

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Cu 表面氧化规律及其对铜-陶瓷材料键合强度的影响 被引量：1

12

作者 张晓辉 徐传骧 朱宏伟 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期12-15,共4页

在用于电力半导体模块的新型封装材料ＣｕＡｌ２Ｏ３陶瓷直接键合基板中，Ｃｕ与Ａｌ２Ｏ３间形成的键合，是通过ＣｕＡｌＯ化学键，以Ｃｕ２Ｏ为中介形成的，其键合强度主要受ＣｕＣｕ２Ｏ之间的结合力限制．从而可以认为，铜... 在用于电力半导体模块的新型封装材料ＣｕＡｌ２Ｏ３陶瓷直接键合基板中，Ｃｕ与Ａｌ２Ｏ３间形成的键合，是通过ＣｕＡｌＯ化学键，以Ｃｕ２Ｏ为中介形成的，其键合强度主要受ＣｕＣｕ２Ｏ之间的结合力限制．从而可以认为，铜箔表面的氧化层对键合强度起着极为重要的作用．为此，文中对Ｃｕ表面的氧化规律、氧化层厚度与时间和温度间的关系及其对ＤＣＢ板界面键合强度的影响进行了仔细的研究，获得了较理想的结果． 展开更多

关键词 电力半导体器件 陶瓷 键合 氧化

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DCB 材料的无损检测技术研究

13

作者 张晓辉 钟力生 徐传骧 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期55-59,共5页

ＤＣＢ材料的键合有效面积是影响ＤＣＢ材料质量的关键因素．根据ＤＣＢ材料的特点，将局部放电和介质电容测量技术相结合，应用于检测ＤＣＢ材料键合质量，并从理论上进行了较为系统的研究，获得了较理想的结果，从而发展了一种对ＤＣ... ＤＣＢ材料的键合有效面积是影响ＤＣＢ材料质量的关键因素．根据ＤＣＢ材料的特点，将局部放电和介质电容测量技术相结合，应用于检测ＤＣＢ材料键合质量，并从理论上进行了较为系统的研究，获得了较理想的结果，从而发展了一种对ＤＣＢ材料键合质量进行无损检测的、方便实用的新方法． 展开更多

关键词 电力半导体器件 DCB材料 无损检测 电工陶瓷材料

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改进工艺的1000A/2500V逆阻型GTO

14

作者 张昌利 陈治明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期39-42,共4页

论述了１０００Ａ、２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管（ＧＴＯ）的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化（ＴＣＥ）、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折... 论述了１０００Ａ、２５００Ｖ大功率逆阻型可关断晶闸管（ＧＴＯ）的基本设计原则，给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化（ＴＣＥ）、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术，使逆阻型ＧＴＯ的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化，从而获得了具有优良开关特性的ＧＴＯ元件。 展开更多

关键词 电力半导体器件 可关断晶闸管 大功率 逆阻型

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一种适用于MOSFET的自保护驱动电路

15

作者 王生德 翟玉 《郑州大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期59-61,共3页

提出一种 Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 高频载波桥式整流驱动电路．该电路不须悬浮电源，实现高低压隔离，具有频率响应快、线路简单可靠、控制灵活等特点，在故障状态下具有自保护功能．

关键词 电力半导体器件 MOSFET 自保护驱动电路

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基于TCAD的门极换流晶闸管的研究

16

作者 苏陶 刘玉欣 何晓雄 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期285-286,302,共3页

文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研... 文章基于ISE公司的半导体仿真软件TCAD系列软件对GCT进行了模拟,通过建立的GCT模型,研究了透明阳极结构和栅极数目对通态特性的影响。模拟结果表明,透明阳极中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素,杂质总量越多,通态压降越低。研究成果对GCT器件的设计和制造具有重要的参考价值。 展开更多

关键词 门极换流晶闸管(GCT) 透明阳极 通态特性 栅极数目 电力半导体器件

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高压Trench IGBT的研制 被引量：3

17

作者 唐红祥 计建新 +2 位作者 孙向东 孙永生 曹亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期258-262,共5页

介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型D... 介绍了当前绝缘栅双极晶体管(IGBT)的几种结构及沟槽型IGBT的发展现况,分析了高电压沟槽型非穿通(NPT)IGBT的结构及工艺特点。通过理论分析计算出初步器件的相关参数,再利用ISE仿真软件模拟器件的结构及击穿和导通特性,结合现有沟槽型DMOS工艺流程,确定了器件采用多分压环加多晶场板的复合终端、条状元胞、6μm深度左右沟槽、低浓度背面掺杂分布与小于180μm厚度的器件结构,可以很好地平衡击穿特性与导通特性对器件结构的要求。成功研制出1 200 V沟槽型NPT系列产品,并通过可靠性考核,经过电磁炉应用电路实验,结果表明IGBT器件可稳定工作,满足应用要求。该设计可适合国内半导体生产线商业化生产。 展开更多

关键词 电力半导体器件 高压 沟槽 非穿通 绝缘栅双极晶体管

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我校又有四项研究成果通过鉴定

18

作者 柯言 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1983年第1期18-,共1页

1982年年底,我校又有四项应用研究成果通过鉴定.两项有价值的原子能射线的应用低能核物理研究所和北京椿树整流器厂等单位完成的电子辐照在电力半导体器件制造中的应用,对多种系列的电力半导体器件多次进行了不同能量、剂量。

关键词 研究成果 电力半导体器件 核物理研究 剂量率 电子辐照 一次合格率 管芯 固体催化剂 工艺条件 关断时间

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晶闸管应用技术中抗干扰问题

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作者 黄才信 滕彩碧 《热带农业工程》 1994年第Z1期55-60,共6页

晶闸管是一种新型半导体开关器件,这种电力半导体器件具有反应快、重量轻、体积小、能量消耗低、无噪音,容易维修等优点,它已成为目前半导体变流技术发展的基础。特别是它能节能,所以发展很迅速。与此相适应,在1970年国际电工委员会上,... 晶闸管是一种新型半导体开关器件,这种电力半导体器件具有反应快、重量轻、体积小、能量消耗低、无噪音,容易维修等优点,它已成为目前半导体变流技术发展的基础。特别是它能节能,所以发展很迅速。与此相适应,在1970年国际电工委员会上,针对当时的静止电力变流器,提出了电力电子学科的概念,认为电力电子学就是应用电力技术领域中的电子学,它是电气工程三大主要领域:电子、电力和控制之间的边缘学科。而晶闸管及其应用技术是这学科的最基础部分。 展开更多

关键词 晶闸管 应用技术 高次谐波 控制系统 电力半导体器件 电源变压器 V形缺口 抗干扰措施 电压波形 感性负载

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图书

20

《电气制造》 2011年第11期79-79,共1页

实用起重机电气技术手册本手册是在2002版《实用起重机电气技术手册》基础上,按照GB/T3811-2008《起重机设计规范》进行修订的,并重点补充了原手册出版近10年作者:傅德源主编书号:978-7-111-34587-9定价:268.

关键词 电力半导体器件 基本原理 电机工业 机械工业 起重机 柔性交流输电系统 电气技术 图书 出版物

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