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大尺寸MAPbI_3单晶的制备及光电性能研究 被引量:1
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作者 张婵婵 张方辉 +2 位作者 丁利苹 朱晓婷 李荣金 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期67-74,共8页
采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI_3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI_2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃... 采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150μm左右)高质量的MAPbI_3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI_2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20sccm、20min.将MAPbI_3单晶放置在空气中50天后,其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性,发现其开关比高达10~4,响应度为3.8×10~4 A/W,且具有较快的响应速度(上升时间:0.03s;下降时间:0.15s).该MAPbI_3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用. 展开更多
关键词 甲胺基碘化铅单晶 大尺寸 高质量 光电探测器 响应度
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