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多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
1
作者
贺德衍
罗靖
程文娟
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000年第z2期643-645,共3页
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑...
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达～1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为～4.4 cm-1的poly-Si薄膜.
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关键词
poly-Si薄膜
生长表面反应
微波等离子体CVD
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职称材料
题名
多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
1
作者
贺德衍
罗靖
程文娟
机构
兰州大学物理系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000年第z2期643-645,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(69776007)
文摘
本文报道用反应气体SiF4和H2的微波等离子体化学气相沉积法低温(360℃)生长多晶Si(poly-Si)薄膜及其生长表面反应控制.实验发现,生长压力对晶粒的结晶取向有很大影响.改变SiF4与H2的流量比以选择等离子体中的活性集团,并结合外加偏压抑制带电粒子对薄膜生长表面的轰击是控制生长表面反应、制备高质量poly-Si薄膜的有效方法.用这种方法制备了H含量低达～1.0at.%、拉曼特征峰半高宽仅为～4.4 cm-1的poly-Si薄膜.
关键词
poly-Si薄膜
生长表面反应
微波等离子体CVD
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶Si薄膜的低温生长及其表面反应的控制
贺德衍
罗靖
程文娟
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
2000
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