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不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
1
作者
赵鹏程
张振中
+7 位作者
姚斌
李炳辉
王双鹏
姜明明
赵东旭
单崇新
刘雷
申德振
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期1430-1434,共5页
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的...
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。
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关键词
ZNO
高背景电子浓度
生长室真空
氢杂质
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职称材料
题名
不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
1
作者
赵鹏程
张振中
姚斌
李炳辉
王双鹏
姜明明
赵东旭
单崇新
刘雷
申德振
机构
发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院大学
吉林大学物理学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第11期1430-1434,共5页
基金
国家自然科学基金(10974197
11104265)资助项目
文摘
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。
关键词
ZNO
高背景电子浓度
生长室真空
氢杂质
Keywords
ZnO
high electron concentration
chamber vacuum
hydrogen
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
赵鹏程
张振中
姚斌
李炳辉
王双鹏
姜明明
赵东旭
单崇新
刘雷
申德振
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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