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基于图形衬底表面化学水浴法的硫化铅薄膜均匀性研究
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作者 马睿 杨冬 +1 位作者 冷重钱 申钧 《红外》 CAS 2024年第11期17-27,共11页
硫化铅(PbS)等铅盐材料因较低的俄歇复合系数,是非制冷红外探测领域中备受关注的材料。化学水浴法被广泛用于硫化铅等薄膜的制备。然而该方法在图形化衬底上存在薄膜生长不均匀的问题。基于多次曝光显影技术,比较了不同预处理工艺对图... 硫化铅(PbS)等铅盐材料因较低的俄歇复合系数,是非制冷红外探测领域中备受关注的材料。化学水浴法被广泛用于硫化铅等薄膜的制备。然而该方法在图形化衬底上存在薄膜生长不均匀的问题。基于多次曝光显影技术,比较了不同预处理工艺对图形化衬底上薄膜生长均匀性的影响,在金属和绝缘衬底表面上均实现了硫化铅薄膜的均匀生长。基于优选预处理方法制备的硫化铅探测器的结果表明,图形衬底预处理可明显改善探测器在光电流、响应度和噪声等方面的性能,其中响应度可提升1.2倍。本文提供的硫化铅薄膜制备方法,不仅可在图形化衬底上生长均匀性一致的硫化铅薄膜,还可以修复受损衬底,有利于在读出电路表面实现硫化铅基焦平面阵列探测器的一体化加工。 展开更多
关键词 化学水浴法 硫化铅 生长均匀性 光电探测器 红外探测器
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