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双层异质结碲镉汞甚长波红外焦平面探测器研究进展 被引量:4
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作者 谭振 刘世光 +3 位作者 田震 宋淑芳 吴卿 周立庆 《红外》 CAS 2020年第4期1-7,共7页
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K... 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了p--on--n异质结材料。基于湿法腐蚀、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了第一支台面型碲镉汞甚长波红外焦平面器件。在60 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.28μm,有效像元率为94.5%,平均峰值探测率为8.98×10^10 cm·Hz^1/2·W^-1。 展开更多
关键词 双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器
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Ⅱ类超晶格甚长波红外探测器的发展 被引量:2
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作者 王忆锋 余连杰 钱明 《光电技术应用》 2011年第2期45-52,共8页
由Ⅲ-V族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著。带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面。这些特有的性质... 由Ⅲ-V族半导体材料InAs/GaSb或InAs/Ga1-xInxSb构成的Ⅱ类超晶格(T2SL)光电探测器近年来在理论结构设计及试验器件实现方面进展显著。带隙工程和能带结构工程使得T2SL比碲镉汞材料具有某些优势,特别是很小的窄带隙方面。这些特有的性质,例如较大的有效电子质量、重空穴带和轻空穴带之间的较大间距可以抑制俄歇复合,使其成为一种很有吸收力的甚长波红外(VLWIR)探测器材料。通过归纳和分析近年来刊发的有关文献资料,介绍了T2SL/VLWIR探测器发展中的有关问题,例如基本概念、结构、性能优化、数值建模、电学性能等。 展开更多
关键词 Ⅱ类超晶格 红外探测器 甚长波红外
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深低温工作甚长波面阵红外探测器封装技术
3
作者 方志浩 付志凯 +1 位作者 王冠 张磊 《红外》 CAS 2024年第5期18-22,共5页
基于甚长波红外探测器对低于液氮温度工作环境的需求,提出了一种深低温工作甚长波红外探测器封装技术。通过对杜瓦组件漏热和芯片电学引出结构的优化设计,可控制芯片在30 K低温工作时整个杜瓦组件的静态热耗为0.65 W,最冷端位置的静态... 基于甚长波红外探测器对低于液氮温度工作环境的需求,提出了一种深低温工作甚长波红外探测器封装技术。通过对杜瓦组件漏热和芯片电学引出结构的优化设计,可控制芯片在30 K低温工作时整个杜瓦组件的静态热耗为0.65 W,最冷端位置的静态热耗为0.3 W,与之适配的两级脉管制冷机冷量可以满足上述热耗需求。完成了探测器组件的封装测试。结果表明,在制冷机膨胀机热端空气冷却测试条件下,探测器芯片部分可达到35 K的温度;杜瓦的外轮廓小于Φ130 mm×180 mm。该项技术成果促进了深低温工作的甚长波面阵红外探测器封装技术的发展。 展开更多
关键词 超低温 甚长波红外探测器 封装技术
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甚长波碲镉汞红外探测器的发展 被引量:6
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作者 王忆锋 李培智 +1 位作者 刘黎明 王丹琳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第7期373-382,共10页
天基红外技术对于远程弹道导弹防御具有重要作用。当飞来的导弹位于地球阴影区域时,作为背阳的结果,空间温度很低,导弹呈现为一个微弱的冷目标,峰值波长在甚长波红外(VLWIR,大于14μm)波段,这时就需要VLWIR探测器。VLWIR对于大面阵碲镉... 天基红外技术对于远程弹道导弹防御具有重要作用。当飞来的导弹位于地球阴影区域时,作为背阳的结果,空间温度很低,导弹呈现为一个微弱的冷目标,峰值波长在甚长波红外(VLWIR,大于14μm)波段,这时就需要VLWIR探测器。VLWIR对于大面阵碲镉汞焦平面(FPA)器件的设计来说是一种非常具有挑战性的波段。它要求高均匀性、低缺陷率、高量子效率、低暗电流和低噪声。主要通过对近年来刊发的部分有关英语文献资料的归纳分析,介绍了有关VLWIR/MCT技术的发展状况,其中一个发展趋势是从n-on-p空位掺杂器件结构转向非本征掺杂p-on-n器件结构。 展开更多
关键词 甚长波红外 碲镉汞 红外探测器 弹道导弹防御
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甚长波碲镉汞红外探测器制备研究 被引量:3
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作者 田震 宋淑芳 +2 位作者 邢艳蕾 孙浩 刘世光 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第10期1527-1531,共5页
报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器... 报道了碲镉汞甚长波红外焦平面探测器的最新研究进展。采用水平液相外延In掺杂和垂直液相外延As掺杂技术生长了高质量的p-on-n型双层异质结材料。并通过提高材料质量将双层异质结材料的双晶衍射半峰宽控制在30 arcsec以内。基于台面器件加工、表侧壁钝化以及In柱互连工艺,制备了640×512,25μm碲镉汞甚长波红外焦平面器件。通过进一步优化了材料生长和芯片制备工艺,在65 K的工作温度下,该器件的截止波长为14.35μm,有效像元率为98.06%,平均峰值探测率为8.09×10^(10)cm·Hz^(1/2)·W^(-1)。 展开更多
关键词 双层异质结 甚长波红外 碲镉汞 红外焦平面探测器
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甚长波量子阱红外探测器中的双激发态工作机理 被引量:1
6
作者 刘希辉 周孝好 +5 位作者 王禄 孙庆灵 廖开升 黄亮 李志锋 李宁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期14-22,共9页
通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果,提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型... 通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果,提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型,并阐明了其中束缚态-准束缚态跃迁模式中准束缚态的物理特性,包括隧穿特性和热离化特性,以及不同工作条件下这两种物理过程在形成光电流时的主导性.同时,验证了甚长波量子阱红外探测器件的第一激发态随外界工作条件的变化会呈现出准束缚到准连续的变化特性.最后,揭示了在甚长波量子阱红外探测器工作中束缚态-准束缚态跃迁工作模式对于降低器件暗电流、提升器件工作温度、提高器件探测率的有效性. 展开更多
关键词 长波量子阱红外探测器 准束缚态 准连续态 探测率
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BDI型甚长波IRFPA读出电路研究与设计 被引量:1
7
作者 郝立超 陈洪雷 +2 位作者 李辉 黄爱波 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第6期1782-1787,共6页
针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大,且工作在高背景环境下等特点,设计了一种具有记忆功能背景抑制的32×32甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采用基于高增益负反馈运放的缓冲直接注入级(BDI)结构作为... 针对甚长波红外(VLWIR)探测器动态结阻抗过低、暗电流较大,且工作在高背景环境下等特点,设计了一种具有记忆功能背景抑制的32×32甚长波红外焦平面(IRFPA)读出电路。该电路采用基于高增益负反馈运放的缓冲直接注入级(BDI)结构作为输入级,大幅降低了输入阻抗,提高了注入效率,并使探测器处于稳定偏压状态。同时,该电路采用具有记忆功能的背景抑制电路,有效提高了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),改善了动态范围和对比度。基于HHNECCZ6H0.35μm1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。实测结果表明:50K低温下电路功能正常,输出范围大于2V,读出速率达到2.5MHz,RMS噪声小于0.3mV,线性度优于99%,功耗小于100mW。 展开更多
关键词 甚长波红外焦平面 读出电路 缓冲注入级 背景抑制 高增益运放
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甚长波碲镉汞光伏探测器伏安特性分析
8
作者 林立 刘世光 +1 位作者 田震 程杰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第11期1666-1670,共5页
分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性... 分析了注入同质结N-on-P和液相外延异质结P-on-N碲镉汞甚长波红外探测器在不同工作温度下的I-V特性,并对R-V特性进行了仿真计算,对比了扩散电流、产生-复合电流、表面漏电流、带间隧穿电流和缺陷辅助隧穿电流等暗电流对两种器件R-V特性的不同影响。 展开更多
关键词 大气超光谱 甚长波红外探测器 碲镉汞 I-V特性 R-V特性
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具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路 被引量:1
9
作者 郝立超 陈洪雷 +4 位作者 李辉 陈义强 赖灿雄 黄爱波 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期3293-3298,共6页
甚长波红外(VLWIR)波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。为了满足现阶段甚长波红外探测器对读出电路高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、长积分时间等需求,设计了一种具有记... 甚长波红外(VLWIR)波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。为了满足现阶段甚长波红外探测器对读出电路高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、长积分时间等需求,设计了一种具有记忆功能背景抑制结构的共享型读出电路。该电路采用2×2四个相邻的探测器像元共用一个读出电路单元的共享缓冲直接注入级(SBDI)结构,增大了单元电路的面积,在单元内实现了具有记忆功能背景抑制结构的设计,其总积分电容达到8.8 p F,有效延长了积分时间和红外焦平面的信噪比(SNR),并改善了动态范围和对比度。基于HHNEC CZ6H 0.35μm 1P4M标准CMOS工艺,完成了电路的流片制造。仿真及测试结果表明:在50 K温度下电路功能正常,其动态范围大于90 d B,线性度优于99.9%,积分时间可达74μs,达到了设计要求。该读出电路适用于甚长波红外探测器。 展开更多
关键词 背景抑制 SBDI 甚长波红外 读出电路 共享套筒式运放
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