-
题名深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
- 1
-
-
作者
成立
王振宇
武小红
范木宏
祝俊
赵倩
-
机构
江苏大学电气信息工程学院
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期35-40,共6页
-
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
-
文摘
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。
-
关键词
超大规模集成电路
纳米CMOS器件
离子束蚀刻
考夫曼离子源
电子回旋共振
电感耦合等离子体蚀刻器
-
Keywords
VLSI
nanometer CMOS device
ion beam etching
Kaufman ion source
ECR
inductively coupled plasma etcher(ICPE)
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
- 2
-
-
作者
许铭真
马金源
谭长华
谭映
王洁
靳磊
-
机构
北京大学微电子研究院
北信通微电子系统公司
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期365-367,375,共4页
-
文摘
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。
-
关键词
比例差值谱仪
甚大规模集成电路纳米尺度器件
参数检测
-
Keywords
proportional differential spectroscopic instrument
ULSI nano-meter devices
parameter measurement
-
分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术
被引量：4
- 3
-
-
作者
成立
王振宇
朱漪云
刘合祥
-
机构
江苏大学电气信息工程学院
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期28-33,共6页
-
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
-
文摘
在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一。本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点。
-
关键词
超大规模集成电路
纳米半导体器件制备技术
极紫外光刻
-
Keywords
ULSI
nanometer semiconductor fabrication technology
extremely ultraviolet lithography
EVVL
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名限散射角电子束光刻技术及其应用前景
被引量：2
- 4
-
-
作者
成立
赵倩
王振宇
祝俊
范木宏
刘合祥
-
机构
江苏大学电气信息工程学院
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期18-22,共5页
-
基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
-
文摘
在下一代光刻(NGL)技术中,限散射角电子束光刻(SCALPEL)技术工艺简单、成本较低,因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等,并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。
-
关键词
超大规模集成电路
纳米CMOS器件
电子束光刻
散射
技术优势
应用前景
-
Keywords
VLSI
nanometer CMOS device
electron-beam lithography
scattering
technique superiority
a pplication prospect
-
分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名刘玉岭：尚德创新报家国
- 5
-
-
-
出处
《教育与职业》
北大核心
2013年第22期11-11,共1页
-
文摘
几毫米见方的硅片上，数十亿个元器件用约为一根头发丝干分之一粗细的导线连接起来，这就要求硅片平整度要达到比这条导线还要精细数倍的纳米级甚至埃米级水平。如今，这一涉及硅片平整度的多项世界级难题被河北工业大学“极大规模集成电路平坦化工艺与材料”团队率先攻克。
-
关键词
大规模集成电路
创新
尚德
河北工业大学
平整度
硅片
元器件
纳米级
-
分类号
TN47
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
