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面向甚大规模集成电路的时延驱动布局方法
被引量：
1
1
作者
吴为民
洪先龙
+1 位作者
蔡懿慈
顾钧
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1018-1022,共5页
本文针对甚大规模集成电路的时延驱动布局问题提出了一个新的解决途径 ,其策略是将结群技术应用于二次规划布局过程中 .结群的作用是可大幅度地降低布局部件的数量 .本文设计了一个高效的结群算法CARGO ,其优点是具有全局最优性并且运...
本文针对甚大规模集成电路的时延驱动布局问题提出了一个新的解决途径 ,其策略是将结群技术应用于二次规划布局过程中 .结群的作用是可大幅度地降低布局部件的数量 .本文设计了一个高效的结群算法CARGO ,其优点是具有全局最优性并且运行速度很快 .采用了一个基于路径的时延驱动二次规划布局算法对结群后的电路完成布局过程 .由于二次规划布局算法能够在很短时间内寻找到全局最优解 ,故本文的算法更有希望彻底解决甚大规模电路的布局问题 .在一组MCMC标准测试电路上对算法进行了测试 。
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关键词
结群
二次规划
时延驱动
布局
甚大规模集成电路
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职称材料
铜布线化学机械抛光技术分析
被引量：
5
2
作者
李秀娟
金洙吉
+2 位作者
苏建修
康仁科
郭东明
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期896-901,共6页
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组...
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。
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关键词
技术分析
化学机械抛光(CMP)
铜布线
甚大规模集成电路
材料去除机理
腐蚀抑制剂
碱性抛光液
研究成果
组成成分
H2O2
研究情况
研究重点
平坦化
重分析
氧化剂
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职称材料
用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
3
作者
许铭真
马金源
+3 位作者
谭长华
谭映
王洁
靳磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期365-367,375,共4页
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作...
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。
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关键词
比例差值谱仪
甚大规模集成电路
纳米尺度器件
参数检测
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职称材料
题名
面向甚大规模集成电路的时延驱动布局方法
被引量：
1
1
作者
吴为民
洪先龙
蔡懿慈
顾钧
机构
清华大学计算机科学与技术系
香港科技大学计算机科学系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第8期1018-1022,共5页
基金
国家自然科学基金 (No 697760 2 7)
973国家关键项目 (No G1 9980 30 4 1 1 )
文摘
本文针对甚大规模集成电路的时延驱动布局问题提出了一个新的解决途径 ,其策略是将结群技术应用于二次规划布局过程中 .结群的作用是可大幅度地降低布局部件的数量 .本文设计了一个高效的结群算法CARGO ,其优点是具有全局最优性并且运行速度很快 .采用了一个基于路径的时延驱动二次规划布局算法对结群后的电路完成布局过程 .由于二次规划布局算法能够在很短时间内寻找到全局最优解 ,故本文的算法更有希望彻底解决甚大规模电路的布局问题 .在一组MCMC标准测试电路上对算法进行了测试 。
关键词
结群
二次规划
时延驱动
布局
甚大规模集成电路
Keywords
Algorithms
Global optimization
Quadratic programming
VLSI circuits
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
铜布线化学机械抛光技术分析
被引量：
5
2
作者
李秀娟
金洙吉
苏建修
康仁科
郭东明
机构
大连理工大学
出处
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期896-901,共6页
基金
国家自然科学基金资助重大项目(50390061)
文摘
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。
关键词
技术分析
化学机械抛光(CMP)
铜布线
甚大规模集成电路
材料去除机理
腐蚀抑制剂
碱性抛光液
研究成果
组成成分
H2O2
研究情况
研究重点
平坦化
重分析
氧化剂
Keywords
ULSI
CMP
chemical mechanism
slurry
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
3
作者
许铭真
马金源
谭长华
谭映
王洁
靳磊
机构
北京大学微电子研究院
北信通微电子系统公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期365-367,375,共4页
文摘
比例差值谱仪运用了独创的在线综合检测分析的专利技术——比例差值谱技术,实现了半导体器件的关键电学特征参数如饱和电流、饱和电压、阈值电压、载流子迁移率等直接、准确、便捷地提取和薄膜材料的缺陷分析。该产品是基于Windows操作系统计算机程控的适用于半导体器件表征和可靠性评估应用的集成化分析仪器。
关键词
比例差值谱仪
甚大规模集成电路
纳米尺度器件
参数检测
Keywords
proportional differential spectroscopic instrument
ULSI nano-meter devices
parameter measurement
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面向甚大规模集成电路的时延驱动布局方法
吴为民
洪先龙
蔡懿慈
顾钧
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
铜布线化学机械抛光技术分析
李秀娟
金洙吉
苏建修
康仁科
郭东明
《中国机械工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
用于半导体器件参数检测的比例差值谱仪
许铭真
马金源
谭长华
谭映
王洁
靳磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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职称材料
已选择
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