检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程: 1; 作者朱兆旻赵青云于宝旗《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期679-683,共5页; 提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用... 展开更多; 关键词漏电流弹道效应玻耳兹曼输运方程高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于电荷的模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟被引量：1: 2; 作者罗衡邓联文 +3 位作者易图林黄生祥胡照文周克省《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,共4页; 半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,... 展开更多; 关键词半导体si 载流子迁移率玻耳兹曼方程计算模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

连续金属薄膜的电阻率研究被引量：10: 3; 作者范平伍瑞锋赖国燕《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期445-451,共7页; 运用玻耳兹曼方程研究金属薄膜中的电子输运 ,考虑了来自表面和晶粒间界的散射 ,计算连续金属薄膜的平行电阻率。得到的电阻率理论曲线与实验曲线符合得很好。弥补了F S理论在较薄厚度时电阻率理论结果与实验结果不相符的缺陷。; 关键词金属薄膜玻耳兹曼方程 F-S理论电阻率; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于电子输运参数的CF3I及CF3I-N2混合气体绝缘性能分析被引量：17: 4; 作者邓云坤马仪 +2 位作者赵谡肖登明张洪霞《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第7期1641-1651,共11页; 三氟碘甲烷(CF3I)因其优异的电气和物化性能被认为是最有可能替代六氟化硫(SF_6)的气体之一。采用玻耳兹曼方程计算纯CF3I及CF3I-N2混合气体的电子输运参数,分析这些参数随约化电场强度E/N和CF3I混合比例的变化规律,从微观角度研究CF3I... 展开更多; 关键词玻耳兹曼方程电子输运参数 CF3I混合气体 SF6替代气体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程: 1; 作者朱兆旻赵青云于宝旗; 机构江南大学物联网工程学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第9期679-683,共5页; 基金专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003); 文摘提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。; 关键词漏电流弹道效应玻耳兹曼输运方程高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于电荷的模型; Keywords drain current ballistic effect Boltzmann transport equation high electron mobility transistor（HEMT） charge-based model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟被引量：1: 2; 作者罗衡邓联文易图林黄生祥胡照文周克省; 机构中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室空军雷达学院理学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期112-115,共4页; 基金湖南省自然科学基金(10JJ5049) 国家自然科学基金(60771028) +1 种基金中南大学博士后基金(20091208) 粉末冶金国家重点实验室开放基金(PM200815); 文摘半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。; 关键词半导体si 载流子迁移率玻耳兹曼方程计算模拟; Keywords semiconductor Si, carrier mobility, Boltzmann statistical equation, calculation simulation; 分类号 TN373 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名连续金属薄膜的电阻率研究被引量：10: 3; 作者范平伍瑞锋赖国燕; 机构深圳大学理学院深圳丰华电脑有限公司; 出处《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期445-451,共7页; 文摘运用玻耳兹曼方程研究金属薄膜中的电子输运 ,考虑了来自表面和晶粒间界的散射 ,计算连续金属薄膜的平行电阻率。得到的电阻率理论曲线与实验曲线符合得很好。弥补了F S理论在较薄厚度时电阻率理论结果与实验结果不相符的缺陷。; 关键词金属薄膜玻耳兹曼方程 F-S理论电阻率; Keywords Metallic film,Bolatzmann equation,Fuchs Sondheimer theory,Resistivity; 分类号 O484.43 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于电子输运参数的CF3I及CF3I-N2混合气体绝缘性能分析被引量：17: 4; 作者邓云坤马仪赵谡肖登明张洪霞; 机构云南电网有限责任公司博士后工作站上海交通大学电气工程系云南电网有限责任公司电力科学研究院不详; 出处《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第7期1641-1651,共11页; 基金国家自然科学基金重点项目(51337006)、中国博士后科学基金(2016M602728)和南方电网公司科技项目(YNKJXM20160081)资助。; 文摘三氟碘甲烷(CF3I)因其优异的电气和物化性能被认为是最有可能替代六氟化硫(SF_6)的气体之一。采用玻耳兹曼方程计算纯CF3I及CF3I-N2混合气体的电子输运参数,分析这些参数随约化电场强度E/N和CF3I混合比例的变化规律,从微观角度研究CF3I及CF3I-N2混合气体的绝缘性能。结果表明,纯CF3I气体在均匀场中的绝缘强度约为SF_6的1.19倍;且当CF3I所占比例达到70%时,CF3I-N2混合气体能够达到与纯SF_6相当的绝缘性能。此外,CF3I混合气体在电场敏感性方面优于SF_6,但协同效应不如SF_6-N2混合气体显著。; 关键词玻耳兹曼方程电子输运参数 CF3I混合气体 SF6替代气体; Keywords Boltzmann equation electron transport parameters CF3I gas mixture replacement gas for SF6; 分类号 TM213 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程	朱兆旻赵青云于宝旗	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟	罗衡邓联文易图林黄生祥胡照文周克省	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	连续金属薄膜的电阻率研究	范平伍瑞锋赖国燕	《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心	1999	10	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于电子输运参数的CF3I及CF3I-N2混合气体绝缘性能分析	邓云坤马仪赵谡肖登明张洪霞	《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心	2018	17	在线阅读下载PDF 职称材料