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Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究
1
作者
马扬昭
谢中
+3 位作者
周艳明
夏丰金
冯双磊
李科
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期23-26,共4页
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;A...
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。
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关键词
Al2O3
基
陶瓷
基
底
玻璃基底ta-n薄膜反应磁控溅射氮分压
电阻温度系数
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职称材料
题名
Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究
1
作者
马扬昭
谢中
周艳明
夏丰金
冯双磊
李科
机构
湖南大学物理与微电子科学学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期23-26,共4页
基金
中央高校基本科研业务费(531107040232
53110704334)
文摘
在N2、Ar气氛中,采用反应直流磁控溅射法在Al2O3基陶瓷及玻璃基底上制备了Ta-N薄膜,并对各样品的形貌结构、化学组分及电学特性进行了比较分析研究。结果表明,沉积于Al2O3陶瓷及玻璃基底的Ta-N薄膜分别呈团簇状生长与层状紧密堆积生长;Al2O3陶瓷基底沉积的Ta-N为单相薄膜,而玻璃基底上的Ta-N薄膜,随N2、Ar流量比增加,呈单相向多相共存转变;薄膜表面形貌和微结构与基底材料的原始形貌和微结构紧密相关,这说明基底材料对薄膜的形成有重要的影响;N2、Ar流量比相同时,玻璃基底上沉积的Ta-N薄膜电性能优于Al2O3基陶瓷基底上沉积的Ta-N薄膜。
关键词
Al2O3
基
陶瓷
基
底
玻璃基底ta-n薄膜反应磁控溅射氮分压
电阻温度系数
Keywords
Al2O3-hased ceramic substrate, glass suhstrate,
ta-n
thin films, reactive magnetron sputtering,N2 partial pressure, temperature coefficient of resistance
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al_2O_3基陶瓷及玻璃基底制备Ta-N薄膜微结构与电学特性的比较研究
马扬昭
谢中
周艳明
夏丰金
冯双磊
李科
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
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职称材料
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