期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
被引量：
2
1
作者
奚雪梅
张兴
+2 位作者
倪卫华
阎桂珍
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期44-46,共3页
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出...
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .
展开更多
关键词
CMOS/SOI
环振电路
集成
电
路
在线阅读
下载PDF
职称材料
0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
2
作者
毕津顺
海潮和
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期490-493,共4页
研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体...
研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为158 ps。同时,对PDSOI CMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚阈值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论。
展开更多
关键词
部分耗尽绝缘体上硅
CMOS器件
环振电路
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
被引量：
2
1
作者
奚雪梅
张兴
倪卫华
阎桂珍
王阳元
机构
北京大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期44-46,共3页
文摘
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .
关键词
CMOS/SOI
环振电路
集成
电
路
Keywords
CMOS/SOI
MOSFET
ring oscillator
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
2
作者
毕津顺
海潮和
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第6期490-493,共4页
文摘
研究了0.8μm部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)CMOS器件和电路,开发出成套的0.8μmPDSOI CMOS工艺。经过工艺投片,获得了性能良好的器件和电路。其中,当工作电压为5 V时,基于浮体SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为49.5 ps;基于H型栅体引出SOI CMOS技术的0.8μm101级环振单级延时为158 ps。同时,对PDSOI CMOS器件的特性,如浮体效应、背栅特性、反常亚阈值斜率、击穿特性和输出电导变化等进行了讨论。
关键词
部分耗尽绝缘体上硅
CMOS器件
环振电路
Keywords
partially depleted silicon-on-insulator
CMOS devices
ring oscillators
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
奚雪梅
张兴
倪卫华
阎桂珍
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究
毕津顺
海潮和
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
