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带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计 被引量:6
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作者 李小飞 刘宏 +2 位作者 袁圣越 汪明亮 田彤 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期98-101,共4页
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~1... 基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。 展开更多
关键词 低功耗 CMOS环形压控振荡器 温度补偿 系统设计
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基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计 被引量:3
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作者 梁仲凯 罗胜钦 《电子测量技术》 2010年第5期4-6,21,共4页
为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感... 为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3~7.5GHz和7.5~8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。 展开更多
关键词 振荡器 环形压控振荡器 电感峰值技术
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CMOS可调谐环形压控振荡电路的设计
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作者 曾德友 凌朝东 张艳红 《电力科学与技术学报》 CAS 2007年第2期72-75,共4页
介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器(VCO),采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范... 介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器(VCO),采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范围为3-1.0 MHz波形较好的信号.该电路易于集成、功耗低. 展开更多
关键词 环形压控振荡器 互补型开关 CSMC0.6μm CMOS 时钟源
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一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计 被引量:4
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作者 房军梁 张长春 +3 位作者 陈德媛 郭宇锋 刘蕾蕾 方玉明 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2014年第2期100-104,共5页
设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高... 设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能。后仿真结果表明,在电源电压为1.8 V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz^3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 环形压控振荡器 双通路 相位噪声 线性度
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基于CMOS工艺的622 MHz电荷泵锁相环设计 被引量:1
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作者 窦建华 张锋 潘敏 《现代电子技术》 2006年第9期75-77,共3页
设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁... 设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁相环的锁定时间为5.2μs,锁定范围约为100 MHz,输出中心频率622 MHz的最大周对周抖动为71ps,功耗为198 mW。此电荷泵锁相环电路可以应用于STM 1和STM 4两个速率级别的同步数字体系(SDH)系统。 展开更多
关键词 锁相环 电荷泵 环形压控振荡器 锁定范围
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一种高性能4阶电荷泵锁相环的设计 被引量:2
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作者 陈志明 尹勇生 +1 位作者 邓红辉 梁上泉 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1326-1329,共4页
文章设计了一款完全集成的高性能4阶电荷泵锁相环。根据系统性能要求,该锁相环的环路滤波器选用3阶无源低通滤波,其他模块在典型结构的基础上采取了改进措施以获得高性能。首先,利用MATLAB进行系统建模,获得锁定时间和环路参数;然... 文章设计了一款完全集成的高性能4阶电荷泵锁相环。根据系统性能要求,该锁相环的环路滤波器选用3阶无源低通滤波,其他模块在典型结构的基础上采取了改进措施以获得高性能。首先,利用MATLAB进行系统建模,获得锁定时间和环路参数;然后给出了关键电路的结构以及前、后仿真的结果。在SMIC0.35μm 2P3M CMOS工艺条件下,该锁相环的正常工作范围为60~640MHz,400MHz时周期到周期抖动为96ps,面积为0.38mm^2。内嵌本电路的一种DAC芯片已交付数据,成功参加MPW项目流片。 展开更多
关键词 3阶环路滤波器 环形压控振荡器 4阶电荷泵锁相环 低抖动
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版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路 被引量:1
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作者 胡心仪 林殷茵 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期754-758,共5页
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小... 随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。 展开更多
关键词 工艺波动 版图邻近效应(LPE) 标准单元 阈值电 环形振荡器(VCO)
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