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带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计
被引量:
6
1
作者
李小飞
刘宏
+2 位作者
袁圣越
汪明亮
田彤
《现代电子技术》
北大核心
2015年第18期98-101,共4页
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~1...
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。
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关键词
低功耗
CMOS
环形压控振荡器
温度补偿
系统设计
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职称材料
基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计
被引量:
3
2
作者
梁仲凯
罗胜钦
《电子测量技术》
2010年第5期4-6,21,共4页
为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感...
为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3~7.5GHz和7.5~8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。
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关键词
压
控
振荡器
环形压控振荡器
电感峰值技术
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职称材料
CMOS可调谐环形压控振荡电路的设计
3
作者
曾德友
凌朝东
张艳红
《电力科学与技术学报》
CAS
2007年第2期72-75,共4页
介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器(VCO),采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范...
介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器(VCO),采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范围为3-1.0 MHz波形较好的信号.该电路易于集成、功耗低.
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关键词
环形压控振荡器
互补型开关
CSMC0.6μm
CMOS
时钟源
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职称材料
一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计
被引量:
4
4
作者
房军梁
张长春
+3 位作者
陈德媛
郭宇锋
刘蕾蕾
方玉明
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2014年第2期100-104,共5页
设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高...
设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能。后仿真结果表明,在电源电压为1.8 V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz^3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz。
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关键词
环形压控振荡器
双通路
相位噪声
线性度
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职称材料
基于CMOS工艺的622 MHz电荷泵锁相环设计
被引量:
1
5
作者
窦建华
张锋
潘敏
《现代电子技术》
2006年第9期75-77,共3页
设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁...
设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁相环的锁定时间为5.2μs,锁定范围约为100 MHz,输出中心频率622 MHz的最大周对周抖动为71ps,功耗为198 mW。此电荷泵锁相环电路可以应用于STM 1和STM 4两个速率级别的同步数字体系(SDH)系统。
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关键词
锁相环
电荷泵
环形压控振荡器
锁定范围
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职称材料
一种高性能4阶电荷泵锁相环的设计
被引量:
2
6
作者
陈志明
尹勇生
+1 位作者
邓红辉
梁上泉
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1326-1329,共4页
文章设计了一款完全集成的高性能4阶电荷泵锁相环。根据系统性能要求,该锁相环的环路滤波器选用3阶无源低通滤波,其他模块在典型结构的基础上采取了改进措施以获得高性能。首先,利用MATLAB进行系统建模,获得锁定时间和环路参数;然...
文章设计了一款完全集成的高性能4阶电荷泵锁相环。根据系统性能要求,该锁相环的环路滤波器选用3阶无源低通滤波,其他模块在典型结构的基础上采取了改进措施以获得高性能。首先,利用MATLAB进行系统建模,获得锁定时间和环路参数;然后给出了关键电路的结构以及前、后仿真的结果。在SMIC0.35μm 2P3M CMOS工艺条件下,该锁相环的正常工作范围为60~640MHz,400MHz时周期到周期抖动为96ps,面积为0.38mm^2。内嵌本电路的一种DAC芯片已交付数据,成功参加MPW项目流片。
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关键词
3阶环路滤波器
环形压控振荡器
4阶电荷泵锁相环
低抖动
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职称材料
版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路
被引量:
1
7
作者
胡心仪
林殷茵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期754-758,共5页
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小...
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。
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关键词
工艺波动
版图邻近效应(LPE)
标准单元
阈值电
压
压
控
环形
振荡器
(VCO)
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职称材料
题名
带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计
被引量:
6
1
作者
李小飞
刘宏
袁圣越
汪明亮
田彤
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所无线传感网与通信重点实验室
出处
《现代电子技术》
北大核心
2015年第18期98-101,共4页
基金
上海市经信委资助项目(13XI-32)
上海市科委资助项目(14521106200)
文摘
基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。
关键词
低功耗
CMOS
环形压控振荡器
温度补偿
系统设计
Keywords
low-power consumption
CMOS annular VCO
temperature compensation
system design
分类号
TN752-34 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计
被引量:
3
2
作者
梁仲凯
罗胜钦
机构
同济大学电子科学与技术系
出处
《电子测量技术》
2010年第5期4-6,21,共4页
文摘
为解耦RC常数的限制,将电感峰值技术应用于环形振荡器中。对传统的环形振荡器结构进行改进,设计了两款GHz级别的CMOS环形压控振荡器(VCO)。采用0.13μmCMOS制造工艺,在0.13V电源电压下进行Spice仿真。仿真测试结果表明,两个应用了电感峰值技术的VCO均有很高的振荡频率,分别达到3~7.5GHz和7.5~8.6GHz,还具有良好的线性度及抑制电源纹波的能力,电源电压波动敏感度分别为0.015%/1%@2.65GHz和0.024%/1%@8.43GHz。
关键词
压
控
振荡器
环形压控振荡器
电感峰值技术
Keywords
voltage controlled oscillator(VCO)
ring VCO
inductive peaking
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
CMOS可调谐环形压控振荡电路的设计
3
作者
曾德友
凌朝东
张艳红
机构
华侨大学元顺集成电路设计研发中心
出处
《电力科学与技术学报》
CAS
2007年第2期72-75,共4页
文摘
介绍作为芯片内部时钟源的环形压控振荡器(VCO),采用恒流源反相器为核心,应用互补型开关作为可变电阻器,并通过控制电压来调节电阻值,从而达到频率可调谐的目的.在Cadence Spectre下采用CSMC 0.6μm CMOS工艺进行仿真模拟,得到调谐范围为3-1.0 MHz波形较好的信号.该电路易于集成、功耗低.
关键词
环形压控振荡器
互补型开关
CSMC0.6μm
CMOS
时钟源
Keywords
voltage controlled ring oscillator
complementary switch
CSMC 0.6 μm
CMOS
Inner clock source
分类号
TN495 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计
被引量:
4
4
作者
房军梁
张长春
陈德媛
郭宇锋
刘蕾蕾
方玉明
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室
出处
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2014年第2期100-104,共5页
基金
国家自然科学基金(61076073)
教育部博士点基金(20133223120005
+6 种基金
20133223110003)
中国博士后科学基金(2012M521126)
江苏省自然科学基金(BK20130878
BK2012435)
南京邮电大学科研项目(NY211016
NY213145)
南京邮电大学科学技术创新培训计划(SJD2012006)资助项目
文摘
设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能。后仿真结果表明,在电源电压为1.8 V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz^3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz。
关键词
环形压控振荡器
双通路
相位噪声
线性度
Keywords
ring-VCO
CMOS
dual-delay paths
phase noise
linearity
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于CMOS工艺的622 MHz电荷泵锁相环设计
被引量:
1
5
作者
窦建华
张锋
潘敏
机构
合肥工业大学计算机与信息学院
出处
《现代电子技术》
2006年第9期75-77,共3页
文摘
设计了由饱和区MOS电容调谐的环形压控振荡器(RVCO),并将其用于电荷泵锁相环(CPPLL)电路,其中电荷泵部分采用了能消除过冲注入电流的新型电荷泵电路,并采用SmartSpice软件和0.6μm混合信号的CMOS工艺参数进行了仿真。仿真结果表明,此锁相环的锁定时间为5.2μs,锁定范围约为100 MHz,输出中心频率622 MHz的最大周对周抖动为71ps,功耗为198 mW。此电荷泵锁相环电路可以应用于STM 1和STM 4两个速率级别的同步数字体系(SDH)系统。
关键词
锁相环
电荷泵
环形压控振荡器
锁定范围
Keywords
phase locked loop
charge pump
ring voltage- controlled oscillator
locked range
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
一种高性能4阶电荷泵锁相环的设计
被引量:
2
6
作者
陈志明
尹勇生
邓红辉
梁上泉
机构
合肥工业大学应用物理系
合肥工业大学电气与自动化工程学院
出处
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1326-1329,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目
文摘
文章设计了一款完全集成的高性能4阶电荷泵锁相环。根据系统性能要求,该锁相环的环路滤波器选用3阶无源低通滤波,其他模块在典型结构的基础上采取了改进措施以获得高性能。首先,利用MATLAB进行系统建模,获得锁定时间和环路参数;然后给出了关键电路的结构以及前、后仿真的结果。在SMIC0.35μm 2P3M CMOS工艺条件下,该锁相环的正常工作范围为60~640MHz,400MHz时周期到周期抖动为96ps,面积为0.38mm^2。内嵌本电路的一种DAC芯片已交付数据,成功参加MPW项目流片。
关键词
3阶环路滤波器
环形压控振荡器
4阶电荷泵锁相环
低抖动
Keywords
3rd order loop filter
ring VCO
4th order CPPLL
low jitter
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN911.8 [电子电信—通信与信息系统]
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职称材料
题名
版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路
被引量:
1
7
作者
胡心仪
林殷茵
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期754-758,共5页
文摘
随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版图。如何精确测量相同标准单元的不同版图的器件波动具有很大的挑战。提出了一个高分辨率、高速且测试便利的器件波动检测电路,用来对6种优化LPE引入的器件波动影响的标准单元版图进行测试。电路在28 nm工艺上进行了流片验证,电路面积为690μm×350μm,并对全晶圆进行了测试。通过分析NMOS和PMOS的测试结果,对比了不同版图形式应对LPE影响的效果,进而为代工厂设计和优化标准单元版图,尽可能减小LPE引入的器件波动提供参考。
关键词
工艺波动
版图邻近效应(LPE)
标准单元
阈值电
压
压
控
环形
振荡器
(VCO)
Keywords
process variation
layout proximity effect(LPE)
standard cell
threshold voltage
voltage controlled oscillator(VCO)
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计
李小飞
刘宏
袁圣越
汪明亮
田彤
《现代电子技术》
北大核心
2015
6
在线阅读
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职称材料
2
基于电感峰值技术的环形压控振荡器设计
梁仲凯
罗胜钦
《电子测量技术》
2010
3
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职称材料
3
CMOS可调谐环形压控振荡电路的设计
曾德友
凌朝东
张艳红
《电力科学与技术学报》
CAS
2007
0
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职称材料
4
一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计
房军梁
张长春
陈德媛
郭宇锋
刘蕾蕾
方玉明
《南京邮电大学学报(自然科学版)》
北大核心
2014
4
在线阅读
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职称材料
5
基于CMOS工艺的622 MHz电荷泵锁相环设计
窦建华
张锋
潘敏
《现代电子技术》
2006
1
在线阅读
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职称材料
6
一种高性能4阶电荷泵锁相环的设计
陈志明
尹勇生
邓红辉
梁上泉
《合肥工业大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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职称材料
7
版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路
胡心仪
林殷茵
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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