-
题名Ni/Au透明导电薄膜在GaN基LED中的应用
- 1
-
-
作者
王乐
郭伟玲
王嘉露
杨新
孙捷
-
机构
北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室
福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室
-
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第10期773-777,共5页
-
基金
科技部重点专项资助项目(2017YFB0403102)
-
文摘
为改善GaN基LED的p型氮化镓(p-GaN)与透明导电层之间的接触性能,采用磁控溅射法在p-GaN上制备了Ni/Au透明导电层。定性地分析了两种金属在薄膜中的作用,通过测量Ni/Au透明导电薄膜退火后的比接触电阻率、方块电阻和透过率来获取最优金属层厚度,Ni和Au的厚度分别为3 nm和5 nm。在400℃、空气氛围下退火1 min时,获得了低的比接触电阻率,薄膜方块电阻为102Ω/,采用环形传输线法测量的比接触电阻率为6.1×10-4Ω·cm2。薄膜的透过率在478 nm时达到了77.3%。使用该薄膜制备的LED,开启电压为2.5 V,在工作电流为20 mA时的工作电压为2.9 V,证实了所制备的Ni/Au薄膜可用于制备LED的透明导电层。
-
关键词
p型氮化镓(p-GaN)
Ni/Au薄膜
欧姆接触
比接触电阻率
环形传输线法
发光二极管(LED)
-
Keywords
p-type gallium nitride(p-GaN)
Ni/Au film
ohmic contact
specific contact resistivity
ring transmission line method
light emitting diode(LED)
-
分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
-
