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ZnSe单晶生长及性能研究
被引量：
6
1
作者
卢利平
刘景和
+3 位作者
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期215-218,共4页
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测...
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。
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关键词
ZnSe单晶
物理气相输运法
高压坩埚下降法
透过率
吸收系数
发光效率
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职称材料
ZnSe单晶的生长
被引量：
5
2
作者
顾庆天
魏景谦
+3 位作者
吕孟凯
史伟
王继扬
房昌水
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期147-,共1页
ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第...
ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪?
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关键词
ZnSe晶体
激光材料
物理气相输运法
化学
气
相
输
运法
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职称材料
Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能
被引量：
3
3
作者
刘长友
介万奇
+3 位作者
张滨滨
査钢强
王涛
谷智
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1382-1386,共5页
采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019...
采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。
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关键词
硒化锌
Cr2+掺杂
物理气相输运法
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职称材料
题名
ZnSe单晶生长及性能研究
被引量：
6
1
作者
卢利平
刘景和
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
机构
长春理工大学材料与化工学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期215-218,共4页
基金
兵器工业集团公司项目(GDZX2003)资助
文摘
采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体。研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响。对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好。对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70%。
关键词
ZnSe单晶
物理气相输运法
高压坩埚下降法
透过率
吸收系数
发光效率
Keywords
ZnSe single crystal
physical vapor transportation method
high-pressure Bridgman method
transmittance
分类号
O78 [理学—晶体学]
O734 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnSe单晶的生长
被引量：
5
2
作者
顾庆天
魏景谦
吕孟凯
史伟
王继扬
房昌水
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期147-,共1页
文摘
ZnSe是一种优良的发光材料 ,它具有直接跃迁型能带结构 ,禁带度为 2 .7eV ;宽的透光范围 ( 0 .5 2 0 μm) ;较高的发光效率 ;低的吸收系数 ,近年来一直是研究蓝绿光的热门材料。自从1 991年Hasse等人在GaAs衬底上外延ZnSe制成世界上第一只蓝绿光半导体激光器后 ,各国纷纷开展深入研究。目前 ,已经得到在室温下连续工作 40 0h的激光器。但是由于GaAs和ZnSe热膨胀系数和晶格常数的差异引起的缺陷 ,严重影响器件的寿命 ,为了克服这个问题 ,现正研究在ZnSe衬底上进行同质外延生长。这就需要大块的优质单晶 ,因此 ,我们对ZnSe单晶的生长展开了研究。我们采用物理气相输运法 (PVT)和化学气相输运法 (CVT)生长 ,均得到ZnSe单晶。CVT法采用I2 作输运剂 ,生长温度 85 0℃左右 ,温度梯度 2℃ ,晶体由于I2 进入晶相显桔黄色 ,生长面为 ( 1 0 0 )和 ( 1 1 1 )。PVT法生长温度在 1 0 5 0℃左右 ,温度梯度为 2℃ ,晶体只有 ( 1 1 0 )面自然显露 ,由于Zn含量的不同而呈现不同的颜色 ,我们研究了Zn/Se比例对晶体质量及性能的影响。用 30 %NaOH溶液对晶体 ( 1 1 1 )晶片进行腐蚀 ,蚀坑密度低于 2× 1 0 4/cm2 ;采用高分辨X射线衍射仪对 ( 1 0 0 )晶片进行了一系列测试。结果表明我们生长的单晶具有良好的结晶性质 ,无孪?
关键词
ZnSe晶体
激光材料
物理气相输运法
化学
气
相
输
运法
Keywords
ZnSe crystal
Laser material
physical vapor transport
chemi cal vapor transport
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能
被引量：
3
3
作者
刘长友
介万奇
张滨滨
査钢强
王涛
谷智
机构
西北工业大学材料学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期1382-1386,共5页
基金
教育部博士学科点新教师基金(20106102120016)
凝固技术国家重点实验室自主课题(74-QP-2011)
文摘
采用物理气相输运法(PVT),以Cr2+∶ZnSe多晶为原料,在源区温度约为1000℃、温差为6～7℃条件下生长2周,获得了体积约为0.7 cm3的Cr2+∶ZnSe晶体。紫外-可见-近红外透过光谱显示,Cr2+∶ZnSe样品在1770 nm左右出现了强吸收;Cr2+浓度在1019atoms/cm3数量级,与原料中Cr2+浓度基本一致,反映了较低温度PVT法生长有利于获得预期的Cr2+掺杂浓度。荧光测试结果表明,Cr2+∶ZnSe样品谱线对称性好,发射峰位约在2400 nm,线宽约600 nm;室温荧光寿命为5.52×10-6s。数据分析结果表明,Cr2+∶ZnSe样品的吸收截面和发射截面峰值分别为1.1×10-18 cm2和2.3×10-18 cm2。
关键词
硒化锌
Cr2+掺杂
物理气相输运法
Keywords
：zinc selenide
Cr^2＋ doping
physical vapor transportation
分类号
O782 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnSe单晶生长及性能研究
卢利平
刘景和
李建立
万玉春
张亮
曾繁明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ZnSe单晶的生长
顾庆天
魏景谦
吕孟凯
史伟
王继扬
房昌水
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
Cr2＋：ZnSe中红外激光晶体生长及光谱性能
刘长友
介万奇
张滨滨
査钢强
王涛
谷智
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
3
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职称材料
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