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物理气相淀积成膜的计算机模拟
被引量：
3
1
作者
刘军
顾昌鑫
+2 位作者
韩继红
单莉英
华中一
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第2期94-101,共8页
运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系...
运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。
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关键词
物理气相淀积
计算机模拟
薄膜生长
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职称材料
题名
物理气相淀积成膜的计算机模拟
被引量：
3
1
作者
刘军
顾昌鑫
韩继红
单莉英
华中一
机构
复旦大学真空物理研究室
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1996年第2期94-101,共8页
文摘
运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。
关键词
物理气相淀积
计算机模拟
薄膜生长
Keywords
Physical vapor deposition,Computer simulation,Monte Carlo method
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
TN305.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
物理气相淀积成膜的计算机模拟
刘军
顾昌鑫
韩继红
单莉英
华中一
《真空科学与技术》
CSCD
1996
3
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引证文献
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