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高效率F类对讲机功率放大器的设计与实现
被引量：
1
1
作者
南敬昌
刘磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期295-298,共4页
研究了F类射频功率放大器的电路结构与工作原理,并设计了一个工作频段为405～415MHz、输出功率为30dBm、功率附加效率达到65%的高效率低谐波失真的F类对讲机功率放大器。为了达到设计指标,设计采用了一些特殊的方法,包括采用两级单端结...
研究了F类射频功率放大器的电路结构与工作原理,并设计了一个工作频段为405～415MHz、输出功率为30dBm、功率附加效率达到65%的高效率低谐波失真的F类对讲机功率放大器。为了达到设计指标,设计采用了一些特殊的方法,包括采用两级单端结构功率放大器结构、F类功率放大器输出匹配网络,并针对谐波失真过大进行了片外滤波器的设计,有效地滤除了谐波(各阶谐波小于-69dBc)。最后采用2μm GaAs HBT工艺F类对讲机功率放大器,经过对实际芯片的测试证明结果完全满足设计指标。
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关键词
F类射频功率放大器
单端结构
输出匹配网络
谐波失真
片外滤波器
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职称材料
题名
高效率F类对讲机功率放大器的设计与实现
被引量：
1
1
作者
南敬昌
刘磊
机构
辽宁工程技术大学电子与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期295-298,共4页
文摘
研究了F类射频功率放大器的电路结构与工作原理,并设计了一个工作频段为405～415MHz、输出功率为30dBm、功率附加效率达到65%的高效率低谐波失真的F类对讲机功率放大器。为了达到设计指标,设计采用了一些特殊的方法,包括采用两级单端结构功率放大器结构、F类功率放大器输出匹配网络,并针对谐波失真过大进行了片外滤波器的设计,有效地滤除了谐波(各阶谐波小于-69dBc)。最后采用2μm GaAs HBT工艺F类对讲机功率放大器,经过对实际芯片的测试证明结果完全满足设计指标。
关键词
F类射频功率放大器
单端结构
输出匹配网络
谐波失真
片外滤波器
Keywords
Class F power amplifier
single end structure
output match net
THD
filter out of chip
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高效率F类对讲机功率放大器的设计与实现
南敬昌
刘磊
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
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