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利用单片可编程系统对红外焦平面阵列进行实时非均匀性校正 被引量:6
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作者 代少升 张新立 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期854-858,共5页
针对红外焦平面阵列(IRFPA)非均匀性多点校正过程中涉及的数据量大,难于实现实时校正的特点,提出了利用Altera公司的单片可编程系统(SOPC)对红外焦平面阵列进行多点实时校正的方法。利用SOPC的NiosII处理器定制指令功能,实现了软件算法... 针对红外焦平面阵列(IRFPA)非均匀性多点校正过程中涉及的数据量大,难于实现实时校正的特点,提出了利用Altera公司的单片可编程系统(SOPC)对红外焦平面阵列进行多点实时校正的方法。利用SOPC的NiosII处理器定制指令功能,实现了软件算法的硬件化,有效提高了红外焦平面阵列实时非均匀性校正速度。实验结果表明:对相同的多点校正算法,利用SOPC硬件实现算法的校正速度比TMS320C6201 DSP硬件快1.5倍,且校正过程简单灵活,图像效果理想,能够很好地满足红外焦平面阵列实时非均匀性校正要求。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 可编程系统 均匀 多点实时校正
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非制冷红外探测器片上偏压逐点非均匀性校正方法
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作者 张宁 柴孟阳 +1 位作者 赵航斌 孙德新 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期682-687,共6页
针对非制冷红外焦平面阵列(Uncooled Infrared Focal Plane Array,UIRFPA)成像系统中普遍存在的非均匀性较差的问题,本文提出了一种基于探测器工作偏压对其输出影响来进行片上非均匀性校正(Non-uniformity Correction,NUC)的方法——探... 针对非制冷红外焦平面阵列(Uncooled Infrared Focal Plane Array,UIRFPA)成像系统中普遍存在的非均匀性较差的问题,本文提出了一种基于探测器工作偏压对其输出影响来进行片上非均匀性校正(Non-uniformity Correction,NUC)的方法——探测器片上偏压逐点NUC技术。该方法是在探测器每一个像元关键偏压VEB和VFID上使用DAC供电,通过在积分前对每个像元的偏压进行单独的调整来校正其信号输出值。在不影响探测器帧频的情况下,实现了非均匀性从1.9%降低到0.4%,有效改善了探测器原始信号的非均匀性,且具有很好的实时性。 展开更多
关键词 制冷红外探测器 关键偏压 均匀校正
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基于NIOSⅡ的红外图像实时非均匀性校正 被引量:1
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作者 张峰 刘上乾 李凡 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期71-74,共4页
实时红外图像非均匀性校正是红外热成像系统的基础。采用Altera公司的NIOSⅡ嵌入式软核CPU技术,提出了一种基于非线性拟合的实时校正方法以及利用FPGA为核心的硬件实现途径。针对校正中耗时的算法用FPGA中模块完成,采用NIOSⅡ处理器的... 实时红外图像非均匀性校正是红外热成像系统的基础。采用Altera公司的NIOSⅡ嵌入式软核CPU技术,提出了一种基于非线性拟合的实时校正方法以及利用FPGA为核心的硬件实现途径。针对校正中耗时的算法用FPGA中模块完成,采用NIOSⅡ处理器的自定制指令,使FPGA的并行性和DSP的灵活性完美结合在一起,极大的提高了系统的性能。该方法动态范围大,系统仅采用一片FPGA芯片,使得系统小型化成为可能。介绍了硬件电路的原理图以及工作过程并给出实验结果。实验证明了这种方法的优越性,并取得了满意的实验结果。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 均匀校正 线拟合 上可编程系统
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非均匀业务流下的片上网络缓冲区分配算法 被引量:1
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作者 金世燕 姚远程 +1 位作者 姜军 秦明伟 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2016年第7期2022-2025,共4页
针对片上网络的非均匀业务流,提出一种基于模拟退火遗传算法的缓冲区资源分配算法,对系统的有限缓冲区资源的分配问题进行了研究。该算法建立在二维Mesh结构的片上网络通信模型基础上,根据各节点间的业务流特征,估计出节点中各输入通道... 针对片上网络的非均匀业务流,提出一种基于模拟退火遗传算法的缓冲区资源分配算法,对系统的有限缓冲区资源的分配问题进行了研究。该算法建立在二维Mesh结构的片上网络通信模型基础上,根据各节点间的业务流特征,估计出节点中各输入通道的负载大小,再根据其负载情况采用模拟退火遗传算法进行缓冲区资源的分配,从而使整个网络的平均延时性能最优。实验中设置了不同的热点位置和热度,结果表明,该算法可以更合理地分配缓冲区资源,有效降低数据包的传输延时。在单热点通信流量下,热度为100%和300%时,可分别降低传输延时32.58%~65.29%和35.54%~70.38%;在双热点通信流量下,可降低传输延时52.02%~70.43%。同时,该算法具有良好的收敛性。 展开更多
关键词 上网络 均匀业务流 缓冲区分配 模拟退火遗传算法 延时 收敛
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精确测量的地幔体波走时及地幔非均匀性的强度(英文) 被引量:9
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作者 Akira YAMADA Yuhei OHTA 《地学前缘》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期37-47,共11页
用波形相关法精确地测定了在世界各地发生的87个6级以上地震的P波, PP波和Pdiff波的503个走时数据。记录这些地震波形的是新建于西太平洋地区的海洋半球地震观测网。我们利用这些高精度的走时数据研究了地幔体波的走时残差的范围及地幔... 用波形相关法精确地测定了在世界各地发生的87个6级以上地震的P波, PP波和Pdiff波的503个走时数据。记录这些地震波形的是新建于西太平洋地区的海洋半球地震观测网。我们利用这些高精度的走时数据研究了地幔体波的走时残差的范围及地幔非均匀性的强度。结果表明,P波、PP波和Pdiff波的走时残差最大分别为9 s ,11 s和15 s ,这为地幔层析成像反演中应该使用的体波走时残差数据的范围提供了重要信息。超出这一范围的走时残差数据不应该用于反演中,以免歪曲成像结果。我们发现,当震中距小于40°时,P波走时残差的范围为-6到+9 s。而对于40°到99°之间的震中距,P波走时残差的范围为-3到+5s。由于震中距越大,P波穿透地幔越深,我们这一结果提供了直接和确凿的证据,表明上地幔和地幔转换带中的横向非均匀性的强度要远胜于下地幔。我们精确测量的Pdiff波的走时数据表明,在地幔底部存在显著的低速异常,可能与地幔热柱或者超级地幔柱有关。我们使用了一个最新的三维全球层析成像模型来解释这些体波走时数据的空间变化。 展开更多
关键词 地幔体波 地震层析成像 地幔均匀 地幔热柱 俯冲板
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抛光压力与表面活性剂对铜CMP均匀性的影响 被引量:10
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作者 赵亚东 刘玉岭 +2 位作者 栾晓东 牛新环 王仲杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期119-123,152,共6页
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为... 研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型表面活性剂浓度,得出WIWNU的变化规律。实验表明,在不同抛光压力下,铜去除速率有明显的变化。当抛光压力为0 psi(1 psi=6.89×103Pa)时,去除速率呈中间高边缘低。当压力为0.5 psi时,边缘处去除速率较高,且随着压力的增大,晶圆边缘处去除速率与晶圆中心处去除速率差将更明显,导致片内非一致性增大。通过添加非离子型表面活性剂,可以改善WIWNU。当压力为1.5 psi时,非离子型表面活性剂体积分数为5%,WIWNU可降低到3.01%,并且得到良好的平坦化结果。同时,非离子型表面活性剂对晶圆表面残留颗粒具有良好的去除作用。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 片内均匀(wiwnu) 抛光压力 离子型表面活 铜去除速率
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卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
7
作者 刘伟 吴仪 刘效岩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期861-865,871,共6页
随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增... 随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从1.02 nm/min线性提高到1.06 nm/min,腐蚀速率的非均匀性先是迅速降低,但当转速高于150 r/min后,基本保持在2.70%。喷淋臂在晶片中心定点喷射、匀速摆动和呈抛物线型摆动时,晶片腐蚀速率都约为1 nm/min,腐蚀速率均沿晶片中心到边缘径向降低,与定点喷射相比,喷淋臂在晶片表面摆动后,腐蚀速率的非均匀性明显降低,且抛物线摆动低于匀速摆动,达到1.48%。 展开更多
关键词 湿法腐蚀 卡盘转速 喷淋臂摆动方式 腐蚀速率 腐蚀均匀
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NURBS方法的深V型三体船稳性 被引量:4
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作者 胡开业 卢友敏 丁勇 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1273-1277,1294,共6页
为了掌握深V型三体船稳性特征,采用NURBS方法对其稳性进行了研究.利用NURBS技术建立了一深V型三体船模型并进行了相应的网格划分,给出了从传统二维型线图表示向三维立体表示的转化过程,并编制程序对其稳性进行计算和分析.研究表明,深V... 为了掌握深V型三体船稳性特征,采用NURBS方法对其稳性进行了研究.利用NURBS技术建立了一深V型三体船模型并进行了相应的网格划分,给出了从传统二维型线图表示向三维立体表示的转化过程,并编制程序对其稳性进行计算和分析.研究表明,深V型三体船的稳性较同吨位圆舭型三体船的稳性更为优异,片体布局和片体吃水的不同对三体船稳性有较大影响,增加片体与主体间的跨距可显著提高三体船的稳性,取适当的片体吃水值和底部横向斜升角对提高深V型三体船稳性有一定作用. 展开更多
关键词 均匀有理B样条 三体船 体布局
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碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响 被引量:1
9
作者 王月霞 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 闫辰奇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期770-774,共5页
针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦... 针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响。在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响。实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓。片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升。当氧化剂体积分数为3%时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82%,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果。 展开更多
关键词 化学机械平坦化(CMP) 抛光液 铜粗抛(P1) 片内均匀(wiwnu) 剩余高低差
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STI CMP中SiO_(2)/CeO_(2)混合磨料对SiO_(2)介质层CMP性能的影响 被引量:7
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作者 刘志 王辰伟 +4 位作者 周建伟 张新颖 刘光耀 李越 闫妹 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期865-872,共8页
为了在浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)过程中提高对SiO_(2)介质层去除速率的同时保持晶圆表面一致性,研究了SiO_(2)/CeO_(2)混合磨料的协同作用以及对SiO_(2)介质层去除速率及一致性的影响。结果显示,相比于单一磨料,采用混合磨料... 为了在浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)过程中提高对SiO_(2)介质层去除速率的同时保持晶圆表面一致性,研究了SiO_(2)/CeO_(2)混合磨料的协同作用以及对SiO_(2)介质层去除速率及一致性的影响。结果显示,相比于单一磨料,采用混合磨料能够兼顾介质去除速率和一致性。采用质量分数10%SiO_(2)(粒径为80 nm)与质量分数0.7%CeO_(2)磨料混合抛光后,对介质层的去除速率达到347 nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为9.38%。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察颗粒状态发现,晶圆表面吸附大量的SiO_(2)颗粒会阻碍CeO_(2)磨料与晶圆表面接触,从而降低对晶圆中心的去除速率,使化学作用更均匀。通过将小粒径SiO_(2)磨料(40 nm)与CeO_(2)磨料混合,使介质层去除速率进一步提升至374 nm/min, WIWNU降低到8.83%,用原子力显微镜(AFM)表征抛光后晶圆的表面质量,小粒径SiO_(2)混合磨料抛光后的SiO_(2)介质层表面粗糙度为0.35 nm,在达到较高抛光性能的同时获得了较好的表面质量。 展开更多
关键词 化学机械平坦化(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 混合磨料 片内均匀(wiwnu) 协同作用
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碱性铜精抛液中表面活性剂ADS对平坦化效果的影响 被引量:6
11
作者 王彦 王胜利 +3 位作者 王辰伟 田胜骏 腰彩红 田骐源 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期838-843,共6页
研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内非均匀性和表面粗糙度进行了测试。实... 研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内非均匀性和表面粗糙度进行了测试。实验结果表明,当阴离子表面活性剂ADS的质量分数为0.2%时,抛光液的表面张力降低,铜的去除速率为202.5 nm·min^(-1),去除速率片内非均匀性减小到4.15%,抛光后铜膜的碟形坑高度从132 nm降低到68.9 nm,表面粗糙度减小到1.06 nm。与未添加表面活性剂相比,晶圆表面的平坦化效果得到改善。 展开更多
关键词 铜精抛液 化学机械抛光(CMP) 十二烷基硫酸铵(ADS) 片内均匀(wiwnu) 平坦化
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非制冷红外焦平面成像系统中SOC设计
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作者 芦浩 龙华保 杜玲变 《科学技术与工程》 2010年第25期6287-6290,共4页
非制冷红外系统中要求偏置、信号读出电路体积小,由此提出基于片上系统(SOC)集成的设计方法。详细描述了该成像处理系统的硬件设计原理及基于SOC的非均匀校正的设计。该系统集成了非制冷红外探测器驱动电路,模数转电路,以及图像信息处... 非制冷红外系统中要求偏置、信号读出电路体积小,由此提出基于片上系统(SOC)集成的设计方法。详细描述了该成像处理系统的硬件设计原理及基于SOC的非均匀校正的设计。该系统集成了非制冷红外探测器驱动电路,模数转电路,以及图像信息处理电路等多种功能,提高了成像系统集成度,并且有工作稳定和体积较小的优点。 展开更多
关键词 制冷红外焦平面阵列 上系统 均匀校正
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铜膜化学机械抛光工艺优化
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作者 李炎 刘玉岭 +4 位作者 李洪波 樊世燕 唐继英 闫辰奇 张金 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2014年第7期37-41,共5页
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7... 对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。 展开更多
关键词 化学机械抛光 抛光液 磨料 片内速率均匀 表面粗糙度 铜膜
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