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铜膜化学机械抛光工艺优化
1
作者
李炎
刘玉岭
+4 位作者
李洪波
樊世燕
唐继英
闫辰奇
张金
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2014年第7期37-41,共5页
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7...
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。
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关键词
化学机械抛光
碱
性
抛光液
磨料
片内速率非均匀性
表面粗糙度
铜膜
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职称材料
题名
铜膜化学机械抛光工艺优化
1
作者
李炎
刘玉岭
李洪波
樊世燕
唐继英
闫辰奇
张金
机构
河北工业大学微电子研究所
河北科技大学化学与制药工程学院
河北联合大学信息工程学院
出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2014年第7期37-41,共5页
基金
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
河北省自然科学基金(E2013202247)
+1 种基金
河北省自然科学基金(F2012202094)
河北省教育厅基金(2011128)
文摘
对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175mL/min,抛光机转速为65r/min,0.5%磨料,0.5%氧化剂,7%鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善。
关键词
化学机械抛光
碱
性
抛光液
磨料
片内速率非均匀性
表面粗糙度
铜膜
Keywords
chemical mechanical polishing
alkaline slurry
abrasive
within wafer non uniformity of rate
surface roughness
copper film
分类号
TG175.3 [金属学及工艺—金属表面处理]
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作者
出处
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被引量
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1
铜膜化学机械抛光工艺优化
李炎
刘玉岭
李洪波
樊世燕
唐继英
闫辰奇
张金
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2014
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