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集成CMOS行波放大器的设计和仿真
被引量：
3
1
作者
李富华
李征帆
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1781-1784,共4页
采用有耗片内螺旋电感和 0 .1 8μm CMOS工艺对集成行波放大器进行了设计 ,其仿真增益在 1 4GHz的频带内大于 1 5 d B.仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响 ,该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用 .
关键词
集成CMOS行波放大器
设计
微波集成电路
增益
片内螺旋电感
计算机仿真
在线阅读
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职称材料
题名
集成CMOS行波放大器的设计和仿真
被引量：
3
1
作者
李富华
李征帆
机构
上海交通大学电子工程系
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1781-1784,共4页
基金
国家"九五"重点科技攻关项目 (97-773 -0 4-0 1(5 ) )
文摘
采用有耗片内螺旋电感和 0 .1 8μm CMOS工艺对集成行波放大器进行了设计 ,其仿真增益在 1 4GHz的频带内大于 1 5 d B.仿真了有耗片内螺旋电感的分布参数对放大器增益的影响 ,该仿真结果对放大器的设计和优化具有很好的指导作用 .
关键词
集成CMOS行波放大器
设计
微波集成电路
增益
片内螺旋电感
计算机仿真
Keywords
microwave integrated circuit
traveling-wave amplifier (TWA)
gain
on-chip spiral inductor
分类号
TN722.56 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
集成CMOS行波放大器的设计和仿真
李富华
李征帆
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
3
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