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MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制
被引量:
3
1
作者
乔玉娥
刘岩
+3 位作者
丁晨
翟玉卫
梁法国
郑世棋
《中国测试》
北大核心
2017年第7期88-91,共4页
针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高...
针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件。经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题。
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关键词
MEMS
片
上测试系统
绝缘性能
片上高阻标准件
标定
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职称材料
题名
MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制
被引量:
3
1
作者
乔玉娥
刘岩
丁晨
翟玉卫
梁法国
郑世棋
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《中国测试》
北大核心
2017年第7期88-91,共4页
文摘
针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用Ga As半导体材料硼离子注入后的高绝缘特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于Ga As衬底的由2个金属电极构成的1 GΩ片上高阻标准件。组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出年稳定性优于0.1%的在片标准件。经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题。
关键词
MEMS
片
上测试系统
绝缘性能
片上高阻标准件
标定
Keywords
MEMS on-wafer test system
insulation performance
on-wafer high resistance standard
evaluation
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制
乔玉娥
刘岩
丁晨
翟玉卫
梁法国
郑世棋
《中国测试》
北大核心
2017
3
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职称材料
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