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适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO(英文)
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作者 沈良国 张兴 赵元富 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期35-41,共7页
提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从... 提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从而改善瞬态响应性能。基于该缓冲器的LDO,其相位裕度大于55°,单位增益带宽可达1.7 MHz,在负载电流以50 mA/μs的速度阶跃变化时输出电压变化量小于100 mV。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 右半平面零点 片上集成输出电容 系统芯
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