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CMOS兼容高Q值微机电系统悬浮片上螺旋电感 被引量:7
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作者 卢冲赢 徐立新 +2 位作者 李建华 付博 欧修龙 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期634-639,共6页
利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因... 利用微机电系统(MEMS)表面微加工技术设计并制作了一种应用于无线电引信射频前端的CMOS兼容高Q值悬浮片上螺旋电感.电感的制作工艺在热预算和材料选择上均具有良好的CMOS兼容特性.通过采用铜金属悬浮线圈结构减小了片上螺旋电感损耗因素,显著提高了片上螺旋电感Q值.采用电磁场有限元分析软件HFSS对该电感模型进行了仿真研究,完成了悬浮片上螺旋电感的制备并进行了测量.测量结果表明:所设计的CMOS兼容MEMS悬浮片上螺旋电感Q值在1~7.6GHz测量频段均大于20,在7.4 GHz频段最大值达到了38. 展开更多
关键词 兵器科学与技术 微机电系统 CMOS兼容工艺 悬浮片上螺旋电感 Q值 无线电引信
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硅基片上螺旋电感宽带物理模型 被引量:1
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作者 郑薇 王向展 +4 位作者 任军 杨帆 尤焕成 李竞春 杨谟华 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期1254-1257,共4页
针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺... 针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。 展开更多
关键词 片上螺旋电感 物理模型 何等效电路 邻近效应 涡流损耗
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片上螺旋电感宽频带等效电路模型的建立 被引量:1
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作者 罗晓斌 于伟华 +1 位作者 吕昕 习国爱 《微波学报》 CSCD 北大核心 2014年第1期1-5,共5页
介绍了一种简单而有效的对片上螺旋电感建立集总等效电路模型的方法,并提出了用电容和电感补偿等效代替的思想,实现了9个参数的宽频带电路。通过仿真ADS中空气桥横跨式结构和电介质隔离地下通道式结构,该等效模型在26~40GHz带宽内获得... 介绍了一种简单而有效的对片上螺旋电感建立集总等效电路模型的方法,并提出了用电容和电感补偿等效代替的思想,实现了9个参数的宽频带电路。通过仿真ADS中空气桥横跨式结构和电介质隔离地下通道式结构,该等效模型在26~40GHz带宽内获得了S参数、有效电感值和Q值比较好的拟合效果,为片上螺旋电感的提参建模提供了快速、可行的方案。 展开更多
关键词 片上螺旋电感 集总电路模型 等效代替 宽频带
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宽带硅衬底RF片上螺旋电感物理模型
4
作者 任军 杨帆 +4 位作者 郑薇 尤焕成 王向展 李立萍 杨谟华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1517-1521,共5页
针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法... 针对高损耗硅衬底,源自部分元等效电路方法考虑了趋肤效应和邻近效应对螺旋电感中串联电感Ls、串联电阻Rs频率特性的制约,并基于全耦合变压器模型计入了复杂的衬底涡流损耗,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型.通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff、等效电阻Reff和Q值误差仅在7%以内.该模型可望用于硅基射频集成电路中电感进一步的理论探讨和优化设计. 展开更多
关键词 片上螺旋电感 物理模型 趋肤效应 邻近效应 衬底涡流损耗
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