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面向微处理器核的片上老化检测模块设计 被引量:1
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作者 刘帅 虞致国 +1 位作者 洪广伟 顾晓峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第2期89-91,94,共4页
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统... 为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40%。所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94%以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护。 展开更多
关键词 微处理器 负偏压温度不稳定性 片上老化测量 细粒度
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