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面向微处理器核的片上老化检测模块设计
被引量:
1
1
作者
刘帅
虞致国
+1 位作者
洪广伟
顾晓峰
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021年第2期89-91,94,共4页
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统...
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40%。所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94%以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护。
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关键词
微处理器
负偏压温度不稳定性
片上老化测量
细粒度
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职称材料
题名
面向微处理器核的片上老化检测模块设计
被引量:
1
1
作者
刘帅
虞致国
洪广伟
顾晓峰
机构
江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心电子工程系
出处
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021年第2期89-91,94,共4页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510)
江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(SICX18_0647)
江苏省重点研发计划资助项目。
文摘
为检测负偏压温度不稳定性(NBTI)效应导致的微处理器中组合逻辑路径延迟的增大,设计了一种可感知微处理器核NBTI效应的混合结构检测模块。检测模块包括老化延时探测模块及测量模块,能够准确测量NBTI效应造成的电路延时增量;相比于传统单一的延迟线结构,其面积开销降低40%。所设计的结构在ISCAS与OR1200核上实验,延时测量精度达到94%以上,可为微处理器的可靠性设计提供细粒度的防护。
关键词
微处理器
负偏压温度不稳定性
片上老化测量
细粒度
Keywords
microprocessor
negative bias temperature instability(NBTI)
on-chip aging measurement
fine-grained
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
面向微处理器核的片上老化检测模块设计
刘帅
虞致国
洪广伟
顾晓峰
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
2021
1
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