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一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
被引量：
1
1
作者
史丽云
沈溧
+1 位作者
唐旻
高建军
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016年第9期82-85,95,共5页
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT...
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。
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关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
大信号
模型
片上
(
在片
)
测试
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职称材料
题名
一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
被引量：
1
1
作者
史丽云
沈溧
唐旻
高建军
机构
上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016年第9期82-85,95,共5页
基金
国家自然科学基金重点项目61234001
文摘
AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性。通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10%。实验测量结果表明,在0.1-40GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好。
关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
大信号
模型
片上
(
在片
)
测试
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
large-signal
model
on-wafer measurement
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法
史丽云
沈溧
唐旻
高建军
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2016
1
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