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熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的研究进展
被引量:
15
1
作者
崔园园
白瑞成
+3 位作者
孙晋良
任慕苏
张家宝
周春节
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期31-35,40,共6页
综述了熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的国内外研究和应用现状,重点分析了碳纤维预制体和C/C多孔体的制备,以及熔融渗硅过程对C/C-SiC复合材料性能和结构的影响,介绍了C/C-SiC复合材料作为热结构和摩擦材料在航空航天和先进摩擦制动系...
综述了熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的国内外研究和应用现状,重点分析了碳纤维预制体和C/C多孔体的制备,以及熔融渗硅过程对C/C-SiC复合材料性能和结构的影响,介绍了C/C-SiC复合材料作为热结构和摩擦材料在航空航天和先进摩擦制动系统中的应用,提出了C/C-SiC复合材料制备过程中存在的问题和今后研究的重点。
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关键词
C/C—SiC复合材料
熔融渗硅法
热结构材料
摩擦系统
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职称材料
碳化硅粉体对熔融渗硅法制备C_f/SiC复合材料结构的影响
被引量:
7
2
作者
周海军
董绍明
+2 位作者
丁玉生
王震
吴定星
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期119-121,共3页
以三维针刺碳纤维为预制体,含有微米级碳化硅粉体的酚醛树脂浆料为碳源,采用熔融渗硅(Molten Silicon Infiltration)法制备Cf/SiC复合材料,研究了碳化硅粉体的存在对制备Cf/SiC复合材料结构的影响。结果表明:预成型体中,微米级碳化硅粉...
以三维针刺碳纤维为预制体,含有微米级碳化硅粉体的酚醛树脂浆料为碳源,采用熔融渗硅(Molten Silicon Infiltration)法制备Cf/SiC复合材料,研究了碳化硅粉体的存在对制备Cf/SiC复合材料结构的影响。结果表明:预成型体中,微米级碳化硅粉体能有效的浸渍至纤维束中,并在裂解过程中因与基体碳热膨胀系数差异产生与粉体粒径相当的微裂纹,形成裂纹孔道结构,预成型体密度为1.32 g/cm3,开口气孔率为25%;复合材料中,裂纹的引入为熔融渗硅提供通道,但裂纹孔道尺寸过大影响了复合材料的进一步致密化,SEM表明在碳化硅颗粒周围形成闭气孔,复合材料密度为1.93 g/cm3,开口气孔率为7%。
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关键词
CF/SIC
复合材料
熔融渗硅法
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职称材料
题名
熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的研究进展
被引量:
15
1
作者
崔园园
白瑞成
孙晋良
任慕苏
张家宝
周春节
机构
上海大学复合材料研究中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期31-35,40,共6页
基金
上海市重点学科建设项目(S30107)
上海市科委自然基金项目(10ZR1411200)
上海大学创新基金项目
文摘
综述了熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的国内外研究和应用现状,重点分析了碳纤维预制体和C/C多孔体的制备,以及熔融渗硅过程对C/C-SiC复合材料性能和结构的影响,介绍了C/C-SiC复合材料作为热结构和摩擦材料在航空航天和先进摩擦制动系统中的应用,提出了C/C-SiC复合材料制备过程中存在的问题和今后研究的重点。
关键词
C/C—SiC复合材料
熔融渗硅法
热结构材料
摩擦系统
Keywords
C/C-SiC composites, liquid silicon infiltration, thermal structural materials, friction system
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
碳化硅粉体对熔融渗硅法制备C_f/SiC复合材料结构的影响
被引量:
7
2
作者
周海军
董绍明
丁玉生
王震
吴定星
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国科学院研究生院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第S1期119-121,共3页
基金
国家重点基础研究规划(863项目)(No.2006AA03Z565)
文摘
以三维针刺碳纤维为预制体,含有微米级碳化硅粉体的酚醛树脂浆料为碳源,采用熔融渗硅(Molten Silicon Infiltration)法制备Cf/SiC复合材料,研究了碳化硅粉体的存在对制备Cf/SiC复合材料结构的影响。结果表明:预成型体中,微米级碳化硅粉体能有效的浸渍至纤维束中,并在裂解过程中因与基体碳热膨胀系数差异产生与粉体粒径相当的微裂纹,形成裂纹孔道结构,预成型体密度为1.32 g/cm3,开口气孔率为25%;复合材料中,裂纹的引入为熔融渗硅提供通道,但裂纹孔道尺寸过大影响了复合材料的进一步致密化,SEM表明在碳化硅颗粒周围形成闭气孔,复合材料密度为1.93 g/cm3,开口气孔率为7%。
关键词
CF/SIC
复合材料
熔融渗硅法
Keywords
Cf/SiC
composites
molten silicon infiltration
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的研究进展
崔园园
白瑞成
孙晋良
任慕苏
张家宝
周春节
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
15
在线阅读
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职称材料
2
碳化硅粉体对熔融渗硅法制备C_f/SiC复合材料结构的影响
周海军
董绍明
丁玉生
王震
吴定星
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
7
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职称材料
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