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LHPG法单晶光纤生长中的熔区控制技术被引量：7: 1; 作者顾菊观沈永行 +1 位作者陈曙英赵渭忠《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期20-23,共4页; 采用激光加热基座生长法 (LHPG)生长单晶光纤 ,研究晶体源棒的熔球大小、籽晶点入深度与熔区长度、生长速度、生长质量的关系及控制技术。; 关键词单晶光纤激光加热基座生长法源棒熔球熔区长度晶体生长生长速度 LHPG法; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚乙烯燃气管道电熔接头熔区应力分析被引量：3: 2; 作者胡安琪聂新宇 +3 位作者姚登樽陈贤朋郑津洋施建峰《压力容器》北大核心 2019年第5期21-28,20,共9页; 电熔焊接是聚乙烯管道最常用的连接方法之一,电熔接头的设计对管道系统安全至关重要。电熔接头焊接界面应力分布的准确分析是电熔接头设计的基础。采用理论公式推导和有限元分析相结合的方法,研究电熔接头在内压、轴向力和温度变化作用... 展开更多; 关键词聚乙烯管电熔接头熔区长度应力分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属钚区熔提纯过程中的溶质再分布优化被引量：1: 3; 作者黄俊任清波 +2 位作者许刚刘勋蒙大桥《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第B05期69-74,共6页; 基于多次区熔过程中的溶质分布模型，以试棒中部杂质去除最大化为目标，采用源于生物进化理论的遗传算法优化计算金属钚多次区熔过程中的熔区长度，最后采用优化的熔区长度计算多次区熔后试棒中的溶质再分布．计算结果表明，相对于固定... 展开更多; 关键词溶质分布模型遗传算法优化熔区长度溶质再分配; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究被引量：3: 4; 作者马英俊林泉 +4 位作者于洪国马会超许兴李万朋许所成《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1555-1561,共7页; GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载... 展开更多; 关键词砷化镓水平布里奇曼法位错密度熔区长度窄熔区技术载流子浓度分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LHPG法单晶光纤生长中的熔区控制技术被引量：7: 1; 作者顾菊观沈永行陈曙英赵渭忠; 机构湖州师院物理系浙江大学物理系; 出处《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期20-23,共4页; 基金浙江省自然科学基金资助项目 ( 6 0 0 0 85 ); 文摘采用激光加热基座生长法 (LHPG)生长单晶光纤 ,研究晶体源棒的熔球大小、籽晶点入深度与熔区长度、生长速度、生长质量的关系及控制技术。; 关键词单晶光纤激光加热基座生长法源棒熔球熔区长度晶体生长生长速度 LHPG法; Keywords single crystal fiber LHPG growth molten sphere molten zone length; 分类号 TN253 [电子电信—物理电子学] O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚乙烯燃气管道电熔接头熔区应力分析被引量：3: 2; 作者胡安琪聂新宇姚登樽陈贤朋郑津洋施建峰; 机构浙江大学能源工程学院中国石油天然气管道科学研究院有限公司浙江庆发管业科技有限公司高压过程装备与安全教育部工程研究中心; 出处《压力容器》北大核心 2019年第5期21-28,20,共9页; 基金国家自然科学基金项目(51575480,51842501) 中央高校基本科研业务费专项资金项目(2017FZA4012); 文摘电熔焊接是聚乙烯管道最常用的连接方法之一,电熔接头的设计对管道系统安全至关重要。电熔接头焊接界面应力分布的准确分析是电熔接头设计的基础。采用理论公式推导和有限元分析相结合的方法,研究电熔接头在内压、轴向力和温度变化作用下的应力分布情况,发现接头焊接界面应力分布呈现中间小、两边大的规律。定义端部应力集中系数为界面峰值应力与平均应力的比值,分析得到应力集中系数随熔区长度的关系,结果可为基于内压与轴向力的电熔接头熔区设计提供理论参考。; 关键词聚乙烯管电熔接头熔区长度应力分布; Keywords polyethylene pipes electrofusion joint fusion zone length stress distribution; 分类号 TH49 [机械工程—机械制造及自动化] TG404 [金属学及工艺—焊接]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属钚区熔提纯过程中的溶质再分布优化被引量：1: 3; 作者黄俊任清波许刚刘勋蒙大桥; 机构中国工程物理研究院材料研究所清华大学工程物理系; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第B05期69-74,共6页; 文摘基于多次区熔过程中的溶质分布模型，以试棒中部杂质去除最大化为目标，采用源于生物进化理论的遗传算法优化计算金属钚多次区熔过程中的熔区长度，最后采用优化的熔区长度计算多次区熔后试棒中的溶质再分布．计算结果表明，相对于固定的熔区长度，优化区熔长度条件下杂质分离效果明显提高：采用优化的区熔长度。15次区熔提纯后在试棒中部80％部分可获得相对较低的溶质含量．; 关键词溶质分布模型遗传算法优化熔区长度溶质再分配; Keywords Redistribution model of solute Genetic algorithm Optimization Molten zone length Redistribution of solute; 分类号 O641 [理学—物理化学] TG146.8 [金属学及工艺—金属材料]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究被引量：3: 4; 作者马英俊林泉于洪国马会超许兴李万朋许所成; 机构有研光电新材料有限责任公司; 出处《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1555-1561,共7页; 文摘 GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10000 cm^-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污。; 关键词砷化镓水平布里奇曼法位错密度熔区长度窄熔区技术载流子浓度分布; Keywords GaAs horizontal Bridgeman method dislocation density melting zone length narrow melting zone technique distribution of carrier concentration; 分类号 O78 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	LHPG法单晶光纤生长中的熔区控制技术	顾菊观沈永行陈曙英赵渭忠	《材料科学与工程》 CSCD 北大核心	2001	7	在线阅读下载PDF 职称材料
2	聚乙烯燃气管道电熔接头熔区应力分析	胡安琪聂新宇姚登樽陈贤朋郑津洋施建峰	《压力容器》北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	金属钚区熔提纯过程中的溶质再分布优化	黄俊任清波许刚刘勋蒙大桥	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究	马英俊林泉于洪国马会超许兴李万朋许所成	《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心	2020	3	在线阅读下载PDF 职称材料