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p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
被引量：
4
1
作者
李立华
熊伯俊
+4 位作者
杨超伟
李雄军
万志远
赵鹏
刘湘云
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期534-539,共6页
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、...
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R_(0)A等性能参数进行测试分析。测试结果表明,器件的有效像元率在99.78%~99.9%之间,器件的NETD均小于21 mK。实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备。
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关键词
碲镉汞红外探测器
p-on-n长波器件
焦平面性能测试
NETD
暗电流
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职称材料
题名
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
被引量：
4
1
作者
李立华
熊伯俊
杨超伟
李雄军
万志远
赵鹏
刘湘云
机构
昆明物理研究所
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第3期534-539,共6页
基金
红外专项项目(LZX20190302)。
文摘
As注入掺杂的p-on-n结构器件具有暗电流小、R_(0)A值高、少子寿命长等优点,是长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件发展的重要趋势。介绍了由昆明物理研究所研究制备的77 K温度下截止波长为9.5μm、10.1μm和71 K下14.97μm的p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件,对器件的响应率、NETD、暗电流及R_(0)A等性能参数进行测试分析。测试结果表明,器件的有效像元率在99.78%~99.9%之间,器件的NETD均小于21 mK。实现了p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件的有效制备。
关键词
碲镉汞红外探测器
p-on-n长波器件
焦平面性能测试
NETD
暗电流
Keywords
HgCdTe infrared detector
p-on-n long wave detector
Focal plane performance tests
NETD
Dark current
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
p-on-n长波、甚长波碲镉汞红外焦平面器件技术研究
李立华
熊伯俊
杨超伟
李雄军
万志远
赵鹏
刘湘云
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
4
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