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热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究 被引量:2
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作者 彭鸿雁 赵万邦 +2 位作者 赵立新 姜宏伟 孙丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期6-9,17,共5页
采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由... 采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。 展开更多
关键词 纳米晶金刚石膜 热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积 /甲烷/氢混合
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直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜
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作者 于威 王淑芳 +4 位作者 丁学成 韩理 刘志强 张连水 傅广生 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 2000年第1期78-82,共5页
采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法 ,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜 。
关键词 直流放电 化学沉积 金刚石 氮化碳
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射频辉光放电等离子体化学气相沉积类金刚石膜的性能研究
3
作者 陈灵 刘正义 +3 位作者 邱万奇 黄元盛 刘铁林 欧阳光胜 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期379-381,共3页
用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐... 用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐蚀、化学稳定性好。 展开更多
关键词 射频放电等离子体 化学沉积 类金刚石膜 制备 力学性能 学性能 化学性能
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射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积法制备类金刚石碳膜工艺与性能表征 被引量:2
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作者 陈冲 费振义 +5 位作者 亓永新 曹宁 张益博 王风 吕震 李木森 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2009年第5期7-12,共6页
使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(... 使用射频辉光放电等离子体辅助化学气相沉积技术(简称RFGDPECVD)在玻璃载玻片表面沉积类金刚石薄膜。用原子力显微镜(AFM)、摩擦试验仪、划痕试验机测定了其表面形貌、耐磨性及附着性。采用X射线光电子能谱(XPS)、分光光度计对两种气源(C4H10、C2H2)制备的DLC薄膜微观组成和透光率进行了检测和对比。结果表明:DLC薄膜的表面光滑、平整,表面粗糙度随沉积时间的增加单调递增;耐磨性及附着性优良;与C4H10相比使用C2H2作为碳源气体可以得到较高sp3含量和较低sp1含量的DLC膜;C2H2制备DLC薄膜的透光率低于C4H10;同一种碳源气体,反应流量比例越小,则DLC薄膜的透光性越好。 展开更多
关键词 射频放电等离子体辅助化学沉积 类金刚石薄膜 放电特性
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直流辉光放电CVD法均匀生长纳米金刚石薄膜的研究 被引量:1
5
作者 游志恒 满卫东 +5 位作者 吕继磊 阳硕 何莲 徐群峰 白华 江南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2746-2750,共5页
采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~40 nm的纳米金刚石薄膜。采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响。研究结果表明:金刚... 采用直流辉光放电化学气相沉积设备,以H2/CH4/Ar混合气体为工作气体,在2英寸硅片沉积出了晶粒尺寸为20~40 nm的纳米金刚石薄膜。采用SEM、Raman、微摩擦试验机等分析了不同CH4浓度、Ar浓度对NCD薄膜生长特性的影响。研究结果表明:金刚石薄膜的晶粒尺寸随着CH4浓度的增加而减小,但是过高的CH4浓度会导致石墨相大量生成;随着Ar浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸逐渐细化,但过量Ar的掺入会降低金刚石薄膜的质量;在合适的工艺参数下,薄膜摩擦系数最低可以降低到0.12,NCD薄膜的最大沉积直径为140 mm。 展开更多
关键词 直流放电 化学沉积 纳米金刚石 摩擦系数
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辉光功率对VHF-PECVD制备的硅基薄膜特性的影响(英文) 被引量:4
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作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 朱锋 魏长春 孙建 侯国付 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期662-666,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品。喇曼测试结果显示 :在不同硅烷浓度 (SC)条件下 ,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点 ;暗电导随晶化率也体现出不同的变化 ,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的 ;另外 ,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈“菜花”状和剖面为柱状的结构特征。 展开更多
关键词 功率 VHF-PECVD方法 制备 硅基薄膜 甚高频等离子体增强化学沉积 过渡区 微区喇曼 扫描电子显微镜
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硅掺杂辉光放电聚合物薄膜的成分结构分析 被引量:1
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作者 唐定平 何智兵 +4 位作者 陈志梅 谢征微 李玲 阳志林 闫建成 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期667-670,共4页
以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混合气体为工作气体,在不同TMS流量条件下,用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物(GDP)薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组... 以H2、反式二丁烯(T2B)和四甲基硅烷(TMS)混合气体为工作气体,在不同TMS流量条件下,用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了Si掺杂辉光放电聚合物(GDP)薄膜。采用傅里叶变换红外光谱表征了不同TMS流量下Si掺杂GDP薄膜的化学组成结构。X射线光电子能谱表征了Si掺杂GDP薄膜成分,分析了TMS流量对Si掺杂GDP薄膜化学结构与元素组成的影响。研究表明:薄膜中成功地掺入了Si元素;Si掺杂GDP薄膜中Si元素主要以Si—C,Si—H等键合形式存在;在TMS流量为0.5~2mL/min(标准状态)的范围内,薄膜中Si的原子浓度为0.72%~1.35%;随着TMS流量的逐渐增加,薄膜中Si含量逐渐增大。 展开更多
关键词 低压等离子体增强化学沉积 Si掺杂放电聚合物薄膜 X射线电子能谱 傅里叶变换红外
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掺氮金刚石电极性能及其氧化降解硝基苯研究 被引量:4
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作者 严世胜 彭鸿雁 +6 位作者 赵志斌 潘孟美 羊大立 阿金华 叶国林 王崇太 郭心玮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期565-569,共5页
采用热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备亚微米晶氮掺杂金刚石膜(NDD),采用SEM分析样品的表面形貌,分别用Hall测试和循环伏安法测试氮掺杂金刚石电极的电学和电化学性能。实验结果表明,当氮气流量低于30 sccm时,膜的电导率随氮... 采用热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备亚微米晶氮掺杂金刚石膜(NDD),采用SEM分析样品的表面形貌,分别用Hall测试和循环伏安法测试氮掺杂金刚石电极的电学和电化学性能。实验结果表明,当氮气流量低于30 sccm时,膜的电导率随氮气流量的增大略有提高;氮气流量继续增大则电导率迅速下降,电导率最大为5.091 S/cm。氮掺杂金刚石电极具有较好的伏安性能,在酸性、中性和碱性介质中均具有较宽的电位窗口和较低的背景电流。以硝基苯为目标污染物测试NDD材料作为阳极氧化降解的电催化性能。在0.1 mol/L Na2SO4溶液的支持电解质中,以氮掺杂金刚石为阳极降解0.5 mmol/L的硝基苯,反应时间300 min,硝基苯的降解率达到94%,化学需氧量(COD)去除率约68%。 展开更多
关键词 热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积 掺氮亚微米晶金刚石电极 电催化氧化 硝基苯降解
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GPCVD法低温合成纳米金刚石薄膜 被引量:1
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作者 葛大勇 赵庆勋 +1 位作者 杨保柱 何雷 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2011年第8期22-24,共3页
为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,... 为了在低温衬底(<500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si(100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理。对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析。结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40~90 nm,Raman光谱在1 331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰。XRD谱在2θ=43.907、5.30处出现了金刚石的(111)(、220)特征衍射峰。实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6%;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1 100~1 300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)(、111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1 300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长。 展开更多
关键词 纳米 金刚石薄膜 等离子体辅助热丝化学沉积
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制膜技术与装置
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《中国光学》 EI CAS 2001年第1期70-72,共3页
O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张... O484.1 2001010471直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜=Synthesis of diamond and carbonnitride by DC.glow discharge plasma enhancedchemical vapor deposition[刊,中]/于威,王淑芳, 丁学成,韩理,刘志强,张连水,傅广生(河北大学物理系.河北,保定(071002))∥河北大学学报.自然科学版.-2000,20(1).-78-82采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜。 展开更多
关键词 直流放电 等离子体增强化学沉积 制备 氮化碳薄膜 金刚石薄膜 自然科学版 学膜 多晶硅薄膜 技术方法 大学学报
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