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p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
1
作者
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品...
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
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关键词
光伏
铸造单晶硅
光致
衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
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职称材料
题名
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
1
作者
程尚之
周春兰
王文静
机构
中国科学院电工研究所太阳能光伏与热利用重点实验室
中国科学院大学
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第11期14-19,共6页
基金
国家自然科学基金面上项目(61874120)。
文摘
光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。
关键词
光伏
铸造单晶硅
光致
衰减
热辅助光诱导衰减
载流子寿命
缺陷
Keywords
photovoltaic
cast mono silicon
LID
LeTID
carrier lifetime
defects
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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作者
出处
发文年
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1
p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析
程尚之
周春兰
王文静
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
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