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基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 1; 作者何玉娟刘远章晓文《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 展开更多; 关键词热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1: 2; 作者王保顺崔江维 +4 位作者郑齐文席善学魏莹雷琪琪郭旗《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第5期384-388,共5页; 为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器... 展开更多; 关键词鳍式场效应晶体管热载流子注入效应总剂量效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI MOSFET器件的热载流子退化机理: 3; 作者章晓文恩云飞 +1 位作者赵文彬李恒《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期9-13,共5页; 介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能... 展开更多; 关键词绝缘体上硅热载流子注入效应失效机理可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法: 4; 作者甘应贤易茂祥 +3 位作者张林袁野欧阳一鸣梁华国《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1655-1660,共6页; 文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑... 展开更多; 关键词晶体管老化正偏置温度不稳定性(嗍) 热载流子注入(HCI)效应堆叠效应占空比开关概率; 在线阅读下载PDF 职称材料

微电子生产工艺可靠性评价与控制被引量：7: 5; 作者孔学东恩云飞 +1 位作者章晓文张晓明《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期1-5,共5页; 简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对... 展开更多; 关键词可靠性评估与时间有关的栅氧化层击穿热载流子注入效应电迁移效应工艺过程控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

集成电路可靠性评价技术被引量：4: 6; 作者孔学东章晓文恩云飞《中国集成电路》 2005年第1期83-86,共4页; 对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流... 展开更多; 关键词超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应热载流子注入效应圆片级可靠性评价失效机理可靠性模型可靠性测试测试结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

微电子工艺技术可靠性被引量：1: 7; 作者章晓文《电子质量》 2003年第9期U011-U013,共3页; 对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入... 展开更多; 关键词微电子工艺可靠性超大规模集成电路失效机理热载流子注入效应金属化电迁移效应氧化层; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析被引量：4: 1; 作者何玉娟刘远章晓文; 机构西安电子科技大学微电子学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61574048,61204112) 广东省省级科技计划项目(2017B090921001,2018A050506044); 文摘随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。; 关键词热载流子注入(HCI)效应低频噪声金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷氧化层陷阱电荷; Keywords hot carrier injection(HCI)effect low frequency noise metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) interface trap charge oxide layer trap charge; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究被引量：1: 2; 作者王保顺崔江维郑齐文席善学魏莹雷琪琪郭旗; 机构中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第5期384-388,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11605282,11505282,11805268) 中国科学青年创新促进会资助项目(2018473) 中国科学院西部之光资助项目(2019-XBQNXZ-A-003)。; 文摘为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多。主要原因是鳍间的耦合作用降低了热载流子密度,使得多鳍器件热载流子退化减弱;总剂量辐照后,器件电学参数发生退化,主要表现为阈值电压正向漂移及饱和电流增大,这些参数变化主要与辐照在FinFET氧化物中引入的陷阱电荷相关。; 关键词鳍式场效应晶体管热载流子注入效应总剂量效应; Keywords Fin field-effect transistor hot carrier injection effect total ionizing dose effect; 分类号 O474 [理学—半导体物理] TN386.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI MOSFET器件的热载流子退化机理: 3; 作者章晓文恩云飞赵文彬李恒; 机构信息产业部电子第五研究所中国电子科技集团公司第五十八研究所; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期9-13,共5页; 基金模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目(51433020101DZ1504) 电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室基金资助项目(514330504DZ1502); 文摘介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁。虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展。; 关键词绝缘体上硅热载流子注入效应失效机理可靠性; Keywords SOI （silicon on insulator） hot carder injection effect failure mechanism reliability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法: 4; 作者甘应贤易茂祥张林袁野欧阳一鸣梁华国; 机构合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥工业大学计算机与信息学院; 出处《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1655-1660,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61371025 61474036 61274036); 文摘文章考虑了晶体管堆叠效应对串联晶体管的信号占空比和开关概率的影响,提出了一种更精确的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI)和热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应的老化模型,并引入综合考虑信号占空比和开关概率的W值,根据W值的大小对输入信号重排序,以减小PBTI和HCI效应引起的电路老化。结果表明:与Hspice仿真结果相比,原有模型的平均误差为3.9%,而文中所提模型的平均误差能减小到1.4%;利用W值排序法进行晶体管输入信号重排序,逻辑门的寿命平均提高11.7%。; 关键词晶体管老化正偏置温度不稳定性(嗍) 热载流子注入(HCI)效应堆叠效应占空比开关概率; Keywords transistor aging positive bias temperature instability（PBTI） hot carrier injection（HCI）effect stacking effect input signal probability switching activity; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微电子生产工艺可靠性评价与控制被引量：7: 5; 作者孔学东恩云飞章晓文张晓明; 机构信息产业部电子第五研究所; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2004年第3期1-5,共5页; 文摘简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中,确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。; 关键词可靠性评估与时间有关的栅氧化层击穿热载流子注入效应电迁移效应工艺过程控制; Keywords reliability assessment TDDB HCI EM effect PCM; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名集成电路可靠性评价技术被引量：4: 6; 作者孔学东章晓文恩云飞; 机构信息产业部电子第五研究所; 出处《中国集成电路》 2005年第1期83-86,共4页; 文摘对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取器件的可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿。本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,强调了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。; 关键词超大规模集成电路 TDDB 电迁移效应热载流子注入效应圆片级可靠性评价失效机理可靠性模型可靠性测试测试结构; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微电子工艺技术可靠性被引量：1: 7; 作者章晓文; 机构信息产业部电子第五研究所分析中心; 出处《电子质量》 2003年第9期U011-U013,共3页; 文摘对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可靠性测试,获取可靠性模型参数和可靠性信息。超大规模集成电路主要的三个的失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移效应和氧化层的TDDB击穿,本文对这三种失效机理分别进行了介绍,对各自对应的可靠性模型进行了说明,列举了热载流子汪入效应的寿命评价实例,说明了可靠性评价的重要性,给出了可靠性评价在工艺中的应用流程图。; 关键词微电子工艺可靠性超大规模集成电路失效机理热载流子注入效应金属化电迁移效应氧化层; Keywords VLSIC, test structure, Metal Film EM,Reliabieity model Parameter,hot carrier injection TDDB; 分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析	何玉娟刘远章晓文	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究	王保顺崔江维郑齐文席善学魏莹雷琪琪郭旗	《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SOI MOSFET器件的热载流子退化机理	章晓文恩云飞赵文彬李恒	《电子产品可靠性与环境试验》	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	协同缓解PBTI和HCI老化效应的输入重排方法	甘应贤易茂祥张林袁野欧阳一鸣梁华国	《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	微电子生产工艺可靠性评价与控制	孔学东恩云飞章晓文张晓明	《电子产品可靠性与环境试验》	2004	7	在线阅读下载PDF 职称材料
6	集成电路可靠性评价技术	孔学东章晓文恩云飞	《中国集成电路》	2005	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	微电子工艺技术可靠性	章晓文	《电子质量》	2003	1	在线阅读下载PDF 职称材料