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反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
被引量：
2
1
作者
罗健
张小伟
代波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第9期1668-1674,共7页
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微...
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。
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关键词
氧化镍薄膜
自旋
塞贝克效应
反应磁控溅射
热自旋电子学器件
反铁磁体
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职称材料
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
2
作者
李强
杨贝贝
+1 位作者
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化...
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
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关键词
自旋
相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热自旋电子学器件
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职称材料
题名
反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
被引量：
2
1
作者
罗健
张小伟
代波
机构
西南科技大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第9期1668-1674,共7页
基金
西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室资助项目(20fksy23)。
文摘
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。
关键词
氧化镍薄膜
自旋
塞贝克效应
反应磁控溅射
热自旋电子学器件
反铁磁体
Keywords
nickel oxide thin film
spin Seebeck effect
reactive magnetron sputtering
thermal spintronics device
antiferromagnet
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
2
作者
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
机构
湖北民族学院新材料与机电工程学院
湖北民族学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
基金
湖北省自然科学基金(2014CFB619,2014CFB342)
湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006)
湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)。
文摘
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
关键词
自旋
相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热自旋电子学器件
Keywords
spin-dependent Seebeck effect
SiN-SiC nano thin film
spin caloritronics device
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
罗健
张小伟
代波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021
2
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职称材料
2
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
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0
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引证文献
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