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石墨烯纳米带异质结的热自旋输运性质的研究
被引量：
1
1
作者
汤晓琴
叶雪梅
+1 位作者
谭兴毅
任达华
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期642-648,共7页
石墨烯纳米带及其异质结因其丰富而优异的物理性质,引起了人们的广泛关注。基于密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了不同宽度碳链N(N=6、8、10)的单氢钝化和双氢钝化的石墨烯纳米带所构成的异质结的热自旋输运特征,在N=6体系中...
石墨烯纳米带及其异质结因其丰富而优异的物理性质,引起了人们的广泛关注。基于密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了不同宽度碳链N(N=6、8、10)的单氢钝化和双氢钝化的石墨烯纳米带所构成的异质结的热自旋输运特征,在N=6体系中发现了热自旋过滤效应;N=8体系中发现了自旋塞贝克效应;N=10体系中发现了自旋塞贝克效应、负微分自旋塞贝克效应以及热负微分电阻效应,为热自旋纳米电子学器件的研究提供了理论指导。
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关键词
石墨烯纳米带
异质结
热自旋电子学
热自
旋
过滤效应
热
负微分电阻效应
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职称材料
反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
被引量：
2
2
作者
罗健
张小伟
代波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第9期1668-1674,共7页
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微...
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。
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关键词
氧化镍薄膜
自旋
塞贝克效应
反应磁控溅射
热自旋电子学
器件
反铁磁体
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职称材料
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
3
作者
李强
杨贝贝
+1 位作者
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化...
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
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关键词
自旋
相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热自旋电子学
器件
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职称材料
题名
石墨烯纳米带异质结的热自旋输运性质的研究
被引量：
1
1
作者
汤晓琴
叶雪梅
谭兴毅
任达华
机构
湖北民族学院信息工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期642-648,共7页
基金
湖北省自然科学基金(2014CFB342)
湖北民族学院博士科研启动基金(MY2013B020)
国家大学生创新创业训练计划(201710517007)
文摘
石墨烯纳米带及其异质结因其丰富而优异的物理性质,引起了人们的广泛关注。基于密度泛函理论结合非平衡态格林函数方法研究了不同宽度碳链N(N=6、8、10)的单氢钝化和双氢钝化的石墨烯纳米带所构成的异质结的热自旋输运特征,在N=6体系中发现了热自旋过滤效应;N=8体系中发现了自旋塞贝克效应;N=10体系中发现了自旋塞贝克效应、负微分自旋塞贝克效应以及热负微分电阻效应,为热自旋纳米电子学器件的研究提供了理论指导。
关键词
石墨烯纳米带
异质结
热自旋电子学
热自
旋
过滤效应
热
负微分电阻效应
Keywords
graphene nanoribbon
heterojunction
spin caloritronics
thermal spin filtering effect
negative differential resistance effect
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
被引量：
2
2
作者
罗健
张小伟
代波
机构
西南科技大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021年第9期1668-1674,共7页
基金
西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室资助项目(20fksy23)。
文摘
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O_(2)15 mL/min;Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。
关键词
氧化镍薄膜
自旋
塞贝克效应
反应磁控溅射
热自旋电子学
器件
反铁磁体
Keywords
nickel oxide thin film
spin Seebeck effect
reactive magnetron sputtering
thermal spintronics device
antiferromagnet
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
3
作者
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
机构
湖北民族学院新材料与机电工程学院
湖北民族学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期1705-1710,共6页
基金
湖北省自然科学基金(2014CFB619,2014CFB342)
湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006)
湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)。
文摘
热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用。本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件。发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应。而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应。这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导。
关键词
自旋
相关塞贝克效应
SiN-SiC纳米薄膜
热自旋电子学
器件
Keywords
spin-dependent Seebeck effect
SiN-SiC nano thin film
spin caloritronics device
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
石墨烯纳米带异质结的热自旋输运性质的研究
汤晓琴
叶雪梅
谭兴毅
任达华
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
反应磁控溅射氧化镍薄膜的自旋塞贝克效应
罗健
张小伟
代波
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2021
2
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下载PDF
职称材料
3
SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究
李强
杨贝贝
左安友
杨永明
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
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职称材料
已选择
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