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功率GaAs-HBT热分布的解析模型
被引量：
1
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作者
王源
张义门
张玉明
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期625-629,共5页
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流...
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流分布和温度分布的影响 .
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关键词
热电耦合解析模型
异质结双极型晶体管
砷化镓
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职称材料
题名
功率GaAs-HBT热分布的解析模型
被引量：
1
1
作者
王源
张义门
张玉明
机构
西安电子科技大学微电子所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期625-629,共5页
基金
国家部委预研基金资助项目 ( 98J8 1 2DZ0 12 2 )
文摘
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流分布和温度分布的影响 .
关键词
热电耦合解析模型
异质结双极型晶体管
砷化镓
Keywords
thermal electric coupled model
heterojunction bipolar transistors
GaAs
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率GaAs-HBT热分布的解析模型
王源
张义门
张玉明
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
1
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