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N型Skutterudite化合物BayCo4Sb12的合成及热电性能 被引量:1
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作者 罗派峰 熊聪 唐新峰 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1278-1280,1283,共4页
用两步固相反应法合成了单相Ba填充式skutterudite化合物BayCo4Sb12.研究了Ba对skutterudite化合物热电性能的影响:与CoSb3比较电导率大幅度提高了将近20倍,并且随Ba填充分数的增加电导率增大;塞贝克Seebeck系数较CoSb3有小幅度的下降,... 用两步固相反应法合成了单相Ba填充式skutterudite化合物BayCo4Sb12.研究了Ba对skutterudite化合物热电性能的影响:与CoSb3比较电导率大幅度提高了将近20倍,并且随Ba填充分数的增加电导率增大;塞贝克Seebeck系数较CoSb3有小幅度的下降,但在中高温区域却有一定程度的提高,并且随着Ba填充分数的增加而下降;晶格热导率明显下降;对Ba填充量为0.3的Ba0.3Co4Sb12化合物得到的最大热电性能指数ZT达到0.91. 展开更多
关键词 方钴矿 电导率 塞贝克系数 晶格热导率 热电性能指数
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