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超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性
被引量：
2
1
作者
郭春凤
于继平
+1 位作者
王德飞
齐文宗
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期907-911,共5页
考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2μ...
考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2μm厚硅膜内的载流子温度、晶格温度、载流子数密度、热应力和热电子崩力等的变化情况。结果表明:在低能量密度激光条件下,热弹性效应对半导体材料的影响很小;载流子温度达到峰值的时间比激光强度达到峰值的时间早,随后载流子数密度达到峰值,以及激光脉冲作用5 ps以后硅膜趋于总体热平衡;在脉冲辐照早期,非热平衡阶段形成的热电子崩力在超快损伤过程中起主要作用。
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关键词
超短脉冲激光
硅膜
热弹性
热电子崩力
有限差分法
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职称材料
题名
超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性
被引量：
2
1
作者
郭春凤
于继平
王德飞
齐文宗
机构
四川大学电子信息学院
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期907-911,共5页
文摘
考虑到热电子崩力的影响,在基于玻耳兹曼理论弛豫时间近似的非线性自相关模型基础上,将晶格温度与应变速率相耦合,建立了超短脉冲激光作用下半导体材料的超快热弹性模型。在单轴应变条件下,利用有限差分法模拟了500 fs脉冲激光作用下2μm厚硅膜内的载流子温度、晶格温度、载流子数密度、热应力和热电子崩力等的变化情况。结果表明:在低能量密度激光条件下,热弹性效应对半导体材料的影响很小;载流子温度达到峰值的时间比激光强度达到峰值的时间早,随后载流子数密度达到峰值,以及激光脉冲作用5 ps以后硅膜趋于总体热平衡;在脉冲辐照早期,非热平衡阶段形成的热电子崩力在超快损伤过程中起主要作用。
关键词
超短脉冲激光
硅膜
热弹性
热电子崩力
有限差分法
Keywords
Ultra-short pulse laser
Silicon film
Thermoelasticity
Hot-electron blast force
Finite difference method
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
超短脉冲激光辐照硅膜的热弹性
郭春凤
于继平
王德飞
齐文宗
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
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参考文献
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