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改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
1
作者
陈亮
张万荣
+3 位作者
金冬月
肖盈
王任卿
尤云霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期101-103,共3页
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距S...
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比,在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀,有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。
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关键词
异质结双极晶体管
环境温度
热电反馈模型
结温
耗散功率
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职称材料
题名
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
1
作者
陈亮
张万荣
金冬月
肖盈
王任卿
尤云霞
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期101-103,共3页
基金
国家自然科学基金项目(60776051
61006059
+4 种基金
61006044)
北京市自然科学基金项目(4082007)
北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015
KM200910005001)
北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
文摘
提出了发射极非均匀指间距技术以增强多发射极指SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。通过建立热电反馈模型对采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT进行热稳定性分析,得到多发射极指上的温度分布。结果表明,与传统的均匀发射极指间距SiGe HBT相比,在相同的环境温度及耗散功率下,采用发射极非均匀指间距技术的SiGe HBT,其最高结温明显降低,热阻显著减小,温度分布更加均匀,有效地提高了多发射极指功率SiGe HBT在不同环境温度下的热稳定性。
关键词
异质结双极晶体管
环境温度
热电反馈模型
结温
耗散功率
Keywords
heterojunction bipolar transistor（HBT）
ambient temperature
electro-thermal model
junction temperature
dissipation power
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
改善不同环境温度下SiGe HBT热稳定性的技术
陈亮
张万荣
金冬月
肖盈
王任卿
尤云霞
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
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