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热壁外延碲化镉薄膜光学特性的分析及测试被引量：2: 1; 作者陈庭金姚朝晖 +3 位作者王履芳汤叶华夏朝凤袁海荣《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期936-941,共6页; 用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量。对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和透射问题进行了严格的数学处理,给... 展开更多; 关键词热壁外延 CDTE薄膜光学特性测量; 在线阅读下载PDF 职称材料

热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1: 2; 作者王杰吕宏强 +3 位作者沈军李哲深王建宝沈孝良《应用科学学报》 CAS CSCD 1992年第2期161-166,共6页; 作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.; 关键词薄膜热壁外延半磁半导体 ZnMnSe; 在线阅读下载PDF 职称材料

热壁外延ZnSe单晶薄膜: 3; 作者杨玉琨吴连民 +3 位作者孟庆巨王海峰杨慧孙明岩《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期57-60,共4页; 介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。; 关键词热壁外延硒化锌薄膜单晶; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜: 4; 作者陶长远刘达清《红外与激光技术》 EI CSCD 1994年第3期15-17,共3页; 国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑... 展开更多; 关键词砷化镓热壁外延碲锌镉薄膜; 在线阅读下载PDF 职称材料

在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜: 5; 作者涂洁磊陈庭金 +2 位作者章晨静吴长树施兆顺《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期82-85,共4页; 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、... 展开更多; 关键词 GaAs/导电玻璃热壁外延太阳电池薄膜材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究被引量：4: 6; 作者杨玉琨杨易 +3 位作者赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期249-255,共7页; 本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.; 关键词热壁外延薄膜单晶碲化铅; 在线阅读下载PDF 职称材料

HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析: 7; 作者杨爱明吴长树 +1 位作者杨宇唐利斌《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页; 用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,... 展开更多; 关键词热壁外延大面积硅衬底碲镉薄膜结构表面形貌; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热壁外延碲化镉薄膜光学特性的分析及测试被引量：2: 1; 作者陈庭金姚朝晖王履芳汤叶华夏朝凤袁海荣; 机构云南师范大学太阳能研究所; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期936-941,共6页; 基金国家自然科学基金项目(NO.50362003) 云南省自然科学基金项目(NO.200250037); 文摘用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对薄膜的本征吸收光学特性进行了全面的研究分析和测量。对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和透射问题进行了严格的数学处理,给出了总反射率和透射率的表达式。用Cary5000型双光束分光光度计测试了样品薄膜的反射谱和透射谱,据测量结果经数学处理,计算得到了描述薄膜宏观光学特性的重要物理量,即薄膜的本征光学吸收系数、消光系数、折射率和联系宏观可测量与微观量之间桥梁作用的复介电函数ε=ε1-iε2。用"Tauc"作图法,得到了薄膜的光学能隙Egopt,证明了材料是直接带隙结构,得到了薄膜厚度分别为0.12、0.48、0.81μm时相应的多晶晶粒尺寸增大的样品,其光学能隙分别变窄为1.54、1.48和1.46eV,向单晶CdTe能隙值1.44eV逼近。薄膜在本征吸收的可见光区有高的吸收系数。; 关键词热壁外延 CDTE薄膜光学特性测量; Keywords hot wall epitaxy CdTe film optical characteristics measurement; 分类号 TK511 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜被引量：1: 2; 作者王杰吕宏强沈军李哲深王建宝沈孝良; 机构复旦大学; 出处《应用科学学报》 CAS CSCD 1992年第2期161-166,共6页; 文摘作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.; 关键词薄膜热壁外延半磁半导体 ZnMnSe; Keywords hot wall epitaxy, Zni_(1-x)Mn_xSe films, diluted magnetic semiconductors.; 分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名热壁外延ZnSe单晶薄膜: 3; 作者杨玉琨吴连民孟庆巨王海峰杨慧孙明岩; 机构吉林大学分析测试实验中心; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期57-60,共4页; 基金国家高技术计划新概念新构思探索研究资助项目; 文摘介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。; 关键词热壁外延硒化锌薄膜单晶; Keywords hot wall epitaxy (HWE), zinc selenide (ZnSe), epitaxial layers.; 分类号 TN304.25 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜: 4; 作者陶长远刘达清; 机构南开大学物理系; 出处《红外与激光技术》 EI CSCD 1994年第3期15-17,共3页; 文摘国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。; 关键词砷化镓热壁外延碲锌镉薄膜; 分类号 TN304.210 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜: 5; 作者涂洁磊陈庭金章晨静吴长树施兆顺; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期82-85,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(59966002,60266002); 文摘该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.; 关键词 GaAs/导电玻璃热壁外延太阳电池薄膜材料; 分类号 TK51 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究被引量：4: 6; 作者杨玉琨杨易赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰; 机构吉林大学分析测试实验中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期249-255,共7页; 文摘本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.; 关键词热壁外延薄膜单晶碲化铅; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析: 7; 作者杨爱明吴长树杨宇唐利斌; 机构云南大学化学与材料工程学院昆明物理所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期457-459,共3页; 基金云南省教育厅重点项目基金 ( 0 2ZD0 16); 文摘用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,CdTe薄膜较CdZnTe缓冲层表面结构光滑细密 ,即缺陷较CdZnTe缓冲层少很多。通过对该片子照像看出其表面如镜面。; 关键词热壁外延大面积硅衬底碲镉薄膜结构表面形貌; Keywords Hot Wall Epitaxy big area Si substrate CdTe thinfilm structure surface morphology; 分类号 TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	热壁外延碲化镉薄膜光学特性的分析及测试	陈庭金姚朝晖王履芳汤叶华夏朝凤袁海荣	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	热壁外延法生长Zn_(1-x)Mn_xSe半磁半导体薄膜	王杰吕宏强沈军李哲深王建宝沈孝良	《应用科学学报》 CAS CSCD	1992	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	热壁外延ZnSe单晶薄膜	杨玉琨吴连民孟庆巨王海峰杨慧孙明岩	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	1991	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜	陶长远刘达清	《红外与激光技术》 EI CSCD	1994	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜	涂洁磊陈庭金章晨静吴长树施兆顺	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究	杨玉琨杨易赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1992	4	在线阅读下载PDF 职称材料
7	HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析	杨爱明吴长树杨宇唐利斌	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料