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热化学气相沉积法在硅纳米丝上合成碳纳米管(英文) 被引量:6
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作者 李世鸿 张永平 李丽英 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期401-407,共7页
利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使... 利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响。这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势。使用拉曼光谱(Raman)、电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量扩散分光仪(EDS)分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性。结果表明:随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子发射难易程度的改变,进一步影响碳纳米管的场发射特性。 展开更多
关键词 热化学气相沉积 硅纳米丝 碳纳米管 场发射
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二组元酞菁固相混合法裂解合成直立碳纳米管(英文)
2
作者 况云华 李克智 +2 位作者 李贺军 许占位 王永杰 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第6期951-955,共5页
通过向两种金属酞菁的混合物添加一定量的硫粉,在800~950℃裂解合成了大面积的直立碳纳米管。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和拉曼光谱对产物进行了观察和表征,结果显示:所合成的碳纳米管(直径为15~35nm,长度为... 通过向两种金属酞菁的混合物添加一定量的硫粉,在800~950℃裂解合成了大面积的直立碳纳米管。采用场发射扫描电镜(FE-SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和拉曼光谱对产物进行了观察和表征,结果显示:所合成的碳纳米管(直径为15~35nm,长度为200~800nm)管身平直,具有很好的石墨化程度,且杂质很少。采用两种金属酞菁((M(Ⅱ)Pc,M=Fe,Co))进行混合裂解时,既可以提供碳源,而且可以产生相当均匀的催化剂颗粒,有利直立碳纳米管的沉积。这种将两种酞菁进行固相混合裂解的方法,相当安全高效,有利于大规模生产直立碳纳米管。 展开更多
关键词 直立碳纳米管 酞菁 热化学气相沉积
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颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池的研制 被引量:7
3
作者 梁宗存 许颖 +3 位作者 公延宁 沈辉 李仲明 李戬洪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期45-48,共4页
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为... 以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带 (SSP) ,对颗粒硅带表面形态进行分析。以SSP为衬底 ,采用快速热化学气相沉积 (RTCVD)法生长多晶硅薄膜 ,并以此制作出效率为 2 93%的颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池 ,这在国内属首先。并报道了对以SSP为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的初步研究结果 ,同时讨论了该类电源的结构。 展开更多
关键词 颗粒硅带 快速热化学气相沉积 RTCVD 多晶硅薄膜太阳电池 SSP 电源结构 工艺 改进措施
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区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 被引量:4
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作者 李维刚 许颖 +1 位作者 励旭东 姬成周 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期746-749,共4页
研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为... 研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 . 展开更多
关键词 区熔再结晶 多晶硅薄膜 太阳电池 快速热化学气相沉积 制备工艺 转换效率
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颗粒硅带上薄膜太阳电池的研究 被引量:2
5
作者 励旭东 许颖 +3 位作者 李维刚 姬成周 李仲明 马本堃 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期781-784,共4页
采用颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 6 .36 %的薄膜太阳电池 .对衬底特性、电池制作工艺、存在问题及进一步的研究方向做了探讨 .
关键词 颗粒硅带 薄膜太阳电池 快速热化学气相沉积 多晶硅薄膜 制作工艺
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模拟非硅衬底上转换效率10%的多晶硅薄膜太阳电池 被引量:1
6
作者 许颖 于元 +1 位作者 励旭东 李仲明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期108-110,共3页
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2 ,开窗口后作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶 (ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池。由于采用了区熔再结晶 (ZMR)的方法 ,获得了取向一致的多晶硅薄膜 ,为薄膜电池的制备... 在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2 ,开窗口后作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶 (ZMR)方法制备多晶硅薄膜太阳电池。由于采用了区熔再结晶 (ZMR)的方法 ,获得了取向一致的多晶硅薄膜 ,为薄膜电池的制备打下了良好的基础 ,转换效率达到 10 2 1%。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 快速热化学气相沉积 区熔再结晶 多晶硅 转换效率 RTCVD ZMR 非硅衬底 模拟
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低纯度颗粒硅带上硅薄膜太阳电池
7
作者 励旭东 许颖 +3 位作者 李维刚 姬成周 李仲明 马本堃 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期290-292,共3页
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。对衬底和薄膜特性、相关工艺及进一步的研究方向做了探讨。
关键词 快速热化学气相沉积 颗粒硅带 多晶硅薄膜 太阳电池
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GaAs微尖上碳纳米管的制备
8
作者 李志明 宋航 +1 位作者 蒋红 吴萃婷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期841-844,共4页
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列... 采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构。在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法。 展开更多
关键词 碳纳米管 热化学气相沉积 GAAS 选择液外延
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铁催化薄膜的微观结构对碳纳米管阵列生长的影响
9
作者 刘华平 程国安 +2 位作者 赵勇 郑瑞廷 梁昌林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期682-686,699,共6页
本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响。研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳... 本文利用热化学气相沉积法(TCVD),系统地研究了NH3预处理对硅基底上沉积的催化剂铁膜的结构及所制备的碳纳米管形态的影响。研究结果表明,利用氨气对硅基底上的催化剂铁膜进行适当的预处理不仅可以将催化剂颗粒细化,还可以使催化剂在碳纳米管的制备过程中保持较高的催化活性,促进分解出的活性碳原子在催化剂中扩散和析出,增强碳纳米管的成核和生长,从而合成出纯度较高、定向性好的碳纳米管阵列。 展开更多
关键词 Fe薄膜 热化学气相沉积 碳纳米管阵列 催化剂
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SiC纳米颗粒的制备与发光特性研究
10
作者 刘霞 曹连振 +1 位作者 蒋红 宋航 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期9093-9096,9101,共5页
采用热化学气相沉积的方法首先合成了SiC纳米颗粒。接着,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线电子能谱和X射线衍射谱等表征了材料的结构和组成。最后,利用光致发光谱和光致发光谱微区成像系统研究了材料的光学性质。实... 采用热化学气相沉积的方法首先合成了SiC纳米颗粒。接着,用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱、X射线电子能谱和X射线衍射谱等表征了材料的结构和组成。最后,利用光致发光谱和光致发光谱微区成像系统研究了材料的光学性质。实验结果表明,制备的纳米材料的尺寸约为70~90 nm;发光带由中心波长分别为530和542 nm的绿光发光峰组成,分析认为分别来自于SiC材料本身和表面缺陷;在相同的激发光强度下,材料最大发光强度相对于相同条件下合成的体材料提高5倍左右。制备的SiC纳米材料在绿光光电子器件领域有着潜在的应用价值。 展开更多
关键词 零维SiC颗粒 热化学气相沉积 光致发光 发光机制
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用热CVD法制备片状碳纳米材料的研究
11
作者 李明华 张海燕 +3 位作者 魏爱香 陈易明 王力 朱清锋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期777-780,789,共5页
采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝(AAO)模板。利用此模板在不负载任何催化剂的条件下,利用热CVD装置制备出片状碳纳米薄膜,并对此片状薄膜做了SEM,TEM显微观察和EDS能谱分析,对其形成条件和生长机理等方面做... 采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝(AAO)模板。利用此模板在不负载任何催化剂的条件下,利用热CVD装置制备出片状碳纳米薄膜,并对此片状薄膜做了SEM,TEM显微观察和EDS能谱分析,对其形成条件和生长机理等方面做了探讨分析,为在氧化铝模板上生长包括管状、片状、棒状等形状的碳纳米材料提供了一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 多孔氧化铝模板 热化学气相沉积 片状碳纳米材料
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裂解酞菁铁和乙烯制备取向碳纳米管阵列 被引量:2
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作者 彭爱平 张浩 +4 位作者 王志永 施祖进 顾镇南 曹高萍 高立军 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期2229-2233,共5页
采用热化学气相沉积(TCVD)法裂解酞菁铁(FePc)和乙烯(C2H4)制备出高210μm的取向碳纳米管阵列(ACNTA).用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)对制备的样品进行了表征,系统研究了反应温度、反应... 采用热化学气相沉积(TCVD)法裂解酞菁铁(FePc)和乙烯(C2H4)制备出高210μm的取向碳纳米管阵列(ACNTA).用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)对制备的样品进行了表征,系统研究了反应温度、反应时间、C2H4流量对ACNTA生长的影响.结果表明,样品具有高取向性且纯度高.800℃是裂解FePc和C2H4制备ACNTA的最优温度,催化剂的活性可以保持较长时间(60 min),通入C2H4促进了ACNTA的快速生长,最适合流量为50 cm3/min. 展开更多
关键词 取向碳纳米管阵列 酞菁铁 热化学气相沉积
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采用电弧和磁控溅射混合工艺的氧化铝涂层技术及应用 被引量:2
13
作者 豪泽 《工具技术》 北大核心 2007年第10期111-114,共4页
关键词 氧化铝薄膜 混合工艺 应用 涂层技术 磁控溅射 热化学气相沉积 电弧 硬质合金刀片
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陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长及区熔再结晶
14
作者 励旭东 程天 +3 位作者 龚欣 刘维平 许颖 赵玉文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期40-43,共4页
该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>... 该文研究了氮化硼、三氧化二铝、氧化锆陶瓷以及石英和微晶云母等衬底上多晶硅薄膜的一般生长规律和区熔再结晶.实验发现,在氮化硼、三氧化二铝和石英衬底上,可以直接生长晶粒尺寸数微米、致密的多晶硅薄膜.薄膜的优选晶向为<110>向.经区熔再结晶后,可以获得毫米级的晶粒,薄膜的优选晶向为<111>向.同时,薄膜的电学性能也得到改善,迁移率接近50cm2·/V·s.实验显示,衬底材料与薄膜间热膨胀系数的匹配是需首要解决的问题. 展开更多
关键词 太阳电池 多晶硅 薄膜 陶瓷 快速热化学气相沉积 区熔再结晶
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低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池
15
作者 梁宗存 沈辉 +1 位作者 胡芸菲 许宁生 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z1期31-34,共4页
以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电... 以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明:晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm. 展开更多
关键词 晶体硅薄膜电池 颗粒硅带 热化学气相沉积 沉积 衬底
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Influence of methane on hot filament CVD diamond films deposited on high-speed steel substrates with WC-Co interlayer 被引量:1
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作者 王玲 魏秋平 +2 位作者 余志明 王志辉 田孟昆 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS 2011年第6期1819-1824,共6页
Diamond films were deposited on high-speed steel substrates by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. To minimize the early formation of graphite and to enhance the diamond film adhesion, a WC-Co coa... Diamond films were deposited on high-speed steel substrates by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) method. To minimize the early formation of graphite and to enhance the diamond film adhesion, a WC-Co coating was used as an interlayer on the steel substrates by high velocity oxy-fuel spraying. The effects of methane content on nucleation, quality, residual stress and adhesion of diamond films were investigated. The results indicate that the increasing methane content leads to the increase in nucleation density, residual stress, the degradation of quality and adhesion of diamond films. Diamond films deposited on high-speed steel (HSS) substrate with a WC-Co interlayer exhibit high nucleation density and good adhesion under the condition of the methane content initially set to be a higher value (4%, volume fraction) for 30 min, and then reduced to 2% for subsequent growth at pressure of 3 kPa and substrate temperature of 800 ℃. 展开更多
关键词 diamond film WC-Co interlayer METHANE nucleation density ADHESION
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Preparation of diamond/Cu microchannel heat sink by chemical vapor deposition 被引量:2
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作者 刘学璋 罗浩 +1 位作者 苏栩 余志明 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期835-841,共7页
A Ti interlayer with thickness about 300 nm was sputtered on Cu microchannels, followed by an ultrasonic seeding with nanodiamond powders. Adherent diamond film with crystalline grains close to thermal equilibrium sha... A Ti interlayer with thickness about 300 nm was sputtered on Cu microchannels, followed by an ultrasonic seeding with nanodiamond powders. Adherent diamond film with crystalline grains close to thermal equilibrium shape was tightly deposited by hot-filament chemical vapor deposition(HF-CVD). The nucleation and growth of diamond were investigated with micro-Raman spectroscope and field emission scanning electron microscope(FE-SEM) with energy dispersive X-ray detector(EDX). Results show that the nucleation density is found to be up to 1010 cm-2. The enhancement of the nucleation kinetics can be attributed to the nanometer rough Ti interlayer surface. An improved absorption of nanodiamond particles is found, which act as starting points for the diamond nucleation during HF-CVD process. Furthermore, finite element simulation was conducted to understand the thermal management properties of prepared diamond/Cu microchannel heat sink. 展开更多
关键词 chemical vapor deposition microchannel nanoseeding Ti interlayer Cu substrate
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