-
题名C/SiC材料主被动氧化烧蚀机理及计算方法研究
被引量：10
- 1
-
-
作者
张红军
康宏琳
-
机构
北京空天技术研究所
-
出处
《宇航学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第2期223-230,共8页
-
基金
国家自然科学基金(11802296)
-
文摘
基于热化学平衡方法建立了任意比例C/SiC材料的主被动氧化烧蚀模型,开展了C/SiC材料氧化烧蚀机理的计算研究,并基于典型材料烧蚀试验结果进行了充分验证。计算结果表明,C/SiC材料的氧化烧蚀特性取决于表面温度、氧分压以及组分等因素,可能会出现主动氧化和被动氧化两种破坏机制,目前的烧蚀模型能够预测出任意比例C/SiC材料两种氧化烧蚀机制的转换过程;SiC含量对C/SiC材料的氧化烧蚀特性有明显的影响,随着SiC含量的提升,主/被动氧化转换临界分压会减小,材料的抗氧化性能越好;但当材料均处于主动氧化阶段时,SiC含量越高材料的无量纲烧蚀速率越大,材料的抗烧蚀性能减弱。
-
关键词
C/SiC材料
主动氧化
被动氧化
烧蚀预测模型
-
Keywords
C/SiC composite
Active oxidation
Passive oxidation
Thermochemical ablation model
-
分类号
V445.1
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
V259
[一般工业技术—材料科学与工程]
-
