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固相烧结后期晶粒和气孔拓扑生长演化的二维相场模拟
被引量：
12
1
作者
景晓宁
赵建华
何陵辉
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期170-173,共4页
本文采用二维相场模型模拟固相陶瓷烧结后期 ,晶粒和气孔耦合生长演化过程。以连续变化的组分参量和长程序参量 (LRO)表征微观烧结体的组分相和晶相扩散拓扑结构 ,由Cahn Hillard(CH)方程和Ginzburg Laudau(TDGL)方程分别控制组分场和...
本文采用二维相场模型模拟固相陶瓷烧结后期 ,晶粒和气孔耦合生长演化过程。以连续变化的组分参量和长程序参量 (LRO)表征微观烧结体的组分相和晶相扩散拓扑结构 ,由Cahn Hillard(CH)方程和Ginzburg Laudau(TDGL)方程分别控制组分场和取向场时间相关的扩散演化 ,并且利用半隐傅立叶频域法高效地模拟了烧结后期晶粒和气孔拓扑形貌的演化过程和统计分析生长参数 ,并通过与完全致密体晶粒生长速率比较 。
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关键词
烧结后期
晶粒
气孔
拓扑生长演化
二维相场模拟
陶瓷
固相
烧结
孔隙耦合生长演化
相场模型
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职称材料
钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
被引量：
4
2
作者
张道礼
翁广安
+1 位作者
龚树萍
周东祥
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期638-642,共5页
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近...
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近体积收缩率基本上达到了最大值 ,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程 。
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关键词
钛酸钡系PTCR陶瓷
计算机模拟
烧结
中
后期
奥氏熟化
晶粒生长
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职称材料
题名
固相烧结后期晶粒和气孔拓扑生长演化的二维相场模拟
被引量：
12
1
作者
景晓宁
赵建华
何陵辉
机构
中国科学技术大学力学与机械工程系
中国科学院材料力学行为和设计重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期170-173,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (50 0 72 0 2 5)
文摘
本文采用二维相场模型模拟固相陶瓷烧结后期 ,晶粒和气孔耦合生长演化过程。以连续变化的组分参量和长程序参量 (LRO)表征微观烧结体的组分相和晶相扩散拓扑结构 ,由Cahn Hillard(CH)方程和Ginzburg Laudau(TDGL)方程分别控制组分场和取向场时间相关的扩散演化 ,并且利用半隐傅立叶频域法高效地模拟了烧结后期晶粒和气孔拓扑形貌的演化过程和统计分析生长参数 ,并通过与完全致密体晶粒生长速率比较 。
关键词
烧结后期
晶粒
气孔
拓扑生长演化
二维相场模拟
陶瓷
固相
烧结
孔隙耦合生长演化
相场模型
Keywords
final stage sintering
phase field model
coupled pore and grain topological evolution
分类号
TQ174.6 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
被引量：
4
2
作者
张道礼
翁广安
龚树萍
周东祥
机构
华中科技大学电子科学与技术系
计算机科学与技术学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期638-642,共5页
基金
国家"8 63"计划资助项目 (71 5 0 0 6 0 0 70 )
文摘
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近体积收缩率基本上达到了最大值 ,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程 。
关键词
钛酸钡系PTCR陶瓷
计算机模拟
烧结
中
后期
奥氏熟化
晶粒生长
Keywords
BaTiO 3 based PTCR ceramics
computer simulation
intermediate and final stages of sintering
ostwald ripening
grain growth
分类号
TQ174.754 [化学工程—陶瓷工业]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
固相烧结后期晶粒和气孔拓扑生长演化的二维相场模拟
景晓宁
赵建华
何陵辉
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
12
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职称材料
2
钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
张道礼
翁广安
龚树萍
周东祥
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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