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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
被引量：
4
1
作者
张道礼
翁广安
+1 位作者
龚树萍
周东祥
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期638-642,共5页
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近...
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近体积收缩率基本上达到了最大值 ,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程 。
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关键词
钛酸钡系PTCR陶瓷
计算机模拟
烧结中后期
奥氏熟化
晶粒生长
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职称材料
题名
钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
被引量：
4
1
作者
张道礼
翁广安
龚树萍
周东祥
机构
华中科技大学电子科学与技术系
计算机科学与技术学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期638-642,共5页
基金
国家"8 63"计划资助项目 (71 5 0 0 6 0 0 70 )
文摘
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近体积收缩率基本上达到了最大值 ,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程 。
关键词
钛酸钡系PTCR陶瓷
计算机模拟
烧结中后期
奥氏熟化
晶粒生长
Keywords
BaTiO 3 based PTCR ceramics
computer simulation
intermediate and final stages of sintering
ostwald ripening
grain growth
分类号
TQ174.754 [化学工程—陶瓷工业]
TP391.9 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长
张道礼
翁广安
龚树萍
周东祥
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
4
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