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基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT
被引量：
1
1
作者
章军云
王溯源
+1 位作者
林罡
黄念宁
《电子与封装》
2018年第11期36-39,47,共5页
报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19...
报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。
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关键词
248
ninDUV光刻机
烘胶工艺
GaAspHEMT
KA波段
低噪声放大器
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职称材料
基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器
被引量：
3
2
作者
王溯源
章军云
+1 位作者
彭龙新
黄念宁
《电子与封装》
2019年第8期39-43,共5页
报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB...
报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。
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关键词
248
nm扫描光刻机
烘胶工艺
X波段
GAAS
单片限幅低噪声放大器
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职称材料
题名
基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT
被引量：
1
1
作者
章军云
王溯源
林罡
黄念宁
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子与封装》
2018年第11期36-39,47,共5页
文摘
报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。
关键词
248
ninDUV光刻机
烘胶工艺
GaAspHEMT
KA波段
低噪声放大器
Keywords
248 nm DUV lithography
resist thermal reflow process
GaAs pHEMT
Ka band
low noise amplifier
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器
被引量：
3
2
作者
王溯源
章军云
彭龙新
黄念宁
机构
南京电子器件研究所
出处
《电子与封装》
2019年第8期39-43,共5页
文摘
报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。
关键词
248
nm扫描光刻机
烘胶工艺
X波段
GAAS
单片限幅低噪声放大器
Keywords
248 nm scanner
resist thermal reflow process
X band
GaAs
limiter LNA MMIC
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT
章军云
王溯源
林罡
黄念宁
《电子与封装》
2018
1
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职称材料
2
基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器
王溯源
章军云
彭龙新
黄念宁
《电子与封装》
2019
3
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