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题名一种基于点压技术的新型晶圆键合方法
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作者
许维
王盛凯
徐杨
王英辉
陈大鹏
刘洪刚
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机构
中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心
中国科学院微电子研究所智能感知研发中心
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出处
《焊接学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第9期125-128,134,共4页
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文摘
金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热压键合法与点压键合法的键合面积比.对点压键合法的可选择键合性进行了讨论.结果表明,点压键合法工艺步骤简单,工艺稳定性较好,且具有一定的可选择键合特性,在半导体制造领域中将具有广泛的应用前景.
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关键词
晶圆键合
热压键合
金金键合
点压键合法
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Keywords
wafer bonding
thermocompression bonding
Au-Au bonding
spot pressing bonding
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
TG44
[金属学及工艺—焊接]
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