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大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究被引量：6: 1; 作者何新崔碧峰 +3 位作者刘梦涵李莎孔真真黄欣竹《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期805-808,共4页; 针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退... 展开更多; 关键词激光器大功率半导体激光器腔面钝化离子铣灾变性光学损伤(cod); 在线阅读下载PDF 职称材料

808nm大功率半导体激光器腔面膜的制备被引量：9: 2; 作者套格套尧舜 +4 位作者张云鹏路国光初国强刘云王立军《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页; 采用等离子体辅助电子束蒸发方法在 80 8nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2 /SiO2 系前后腔面膜用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值增透膜的反射率为 12 .2 % ,高反膜的反射率为 97.9% 对于 10 0 μ... 展开更多; 关键词半导体激光器等离子体辅助电子束蒸发高反膜增透膜灾变性光学损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 3; 作者刘斌张敬明 +1 位作者马骁宇肖建伟《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非... 展开更多; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 cod 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量：3: 4; 作者周路王云华 +5 位作者贾宝山白端元张斯钰乔忠良高欣薄报学《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1292-1296,共5页; 提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K... 展开更多; 关键词增透膜折射率溅射灾变性光学损伤; 在线阅读下载PDF 职称材料

带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2: 5; 作者姚南赵懿昊 +1 位作者刘素平马骁宇《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期596-600,共5页; 为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带... 展开更多; 关键词半导体激光器无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD) 非吸收窗口高温退火灾变性光学损伤(cod); 在线阅读下载PDF 职称材料

550 K高温下激光器腔面温度的影响研究: 6; 作者杨振强贾华宇 +1 位作者孙元新罗飚《光通信研究》 2023年第1期63-67,共5页; 针对激光器长期高温工作时腔面温度急剧升高产生灾变性光学损伤(COD)的问题,文章提出在半导体激光器腔面处加入Al2O3膜和陶瓷隔热共同作用,其可以降低激光器腔面温度,防止COD的产生。文章首先建立了半导体激光器简化模型分析固体传热。... 展开更多; 关键词半导体激光器灾变性光学损伤镀膜隔热结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究被引量：6: 1; 作者何新崔碧峰刘梦涵李莎孔真真黄欣竹; 机构北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期805-808,共4页; 基金北京市教委创新能力提升计划(No.TJSHG201310005001) 国家自然科学基金(No.11204009) 北京市自然科学基金项目(No.4142005)资助; 文摘针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。; 关键词激光器大功率半导体激光器腔面钝化离子铣灾变性光学损伤(cod); Keywords lasers high power semiconductor lasers cavity passivation ion bombardment catastrophic optical damage（cod）; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名808nm大功率半导体激光器腔面膜的制备被引量：9: 2; 作者套格套尧舜张云鹏路国光初国强刘云王立军; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期25-28,共4页; 基金中科院"十五重大"(Z0 1Q0 3) 国防科研计划 (A0 2X0 5Z)资助项目; 文摘采用等离子体辅助电子束蒸发方法在 80 8nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO2 /SiO2 系前后腔面膜用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值增透膜的反射率为 12 .2 % ,高反膜的反射率为 97.9% 对于 10 0 μm条宽、10 0 0 μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高 79%、外微分量子效率提高 80 %、功率效率由没镀膜之前的 2 2 .2 %提高到镀膜之后的 39.8%; 关键词半导体激光器等离子体辅助电子束蒸发高反膜增透膜灾变性光学损伤; Keywords Semiconductor laser Plasma assisted electron beem deposition AR coating HR coating Output efficiency Catastrophic optical damage; 分类号 TN247 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 3; 作者刘斌张敬明马骁宇肖建伟; 机构中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-111,共3页; 文摘报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。; 关键词 980nm半导体激光器可靠性质子注入非注入区 cod 灾变性光学损伤阈值掺饵光纤放大器; Keywords 980nm semiconductor lasers,reliability,ion implantation,non-injection regions,cod; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备被引量：3: 4; 作者周路王云华贾宝山白端元张斯钰乔忠良高欣薄报学; 机构长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1292-1296,共5页; 文摘提出了一种新的半导体激光器增透膜———AlN膜,并用matlab软件模拟分析了不同腔面反射率对激光器输出功率的影响,得到激光器最大输出功率时前后腔面的反射率的最佳值。采用反应磁控溅射技术,利用高纯铝靶(99.999%)和N2+Ar的混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜。利用Filmetrics系统对薄膜进行光学性能测试,分析了不同工艺参数对薄膜沉积速率和折射率的影响。将最优条件下制得的AlN单层增透膜用于半导体激光器上,光学灾变损伤阈值和器件输出功率都得到了很大的提高。; 关键词增透膜折射率溅射灾变性光学损伤; Keywords AR film refractivity sputtering cod; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器被引量：2: 5; 作者姚南赵懿昊刘素平马骁宇; 机构中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期596-600,共5页; 基金中国科学院支撑项目(61501060206); 文摘为了实现大功率输出,应用无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD)方法制备带有非吸收窗口结构的915 nm半导体激光器单管。通过实验确定促进和抑制量子阱混合的Si O2和Si3N4薄膜的厚度分别为300和500 nm,退火条件为800℃,90 s。最终制备出的带有非吸收窗口的激光器,与普通激光器的阈值电流和斜率效率几乎一样。但普通激光器在电流为10 A时发生灾变性光学损伤(COD)并失效,而带有非吸收窗口的激光器在电流达到13 A时仍然可以正常工作,相比普通激光器其最大输出功率增加了15%。每种器件各20个在20℃,电流为9 A时进行直流老化试验,普通激光器在老化时间达到100 h时全部失效,而带非吸收窗口器件在老化200 h时仅有两个失效,这表明非吸收窗口结构显著提高了器件的抗COD能力。; 关键词半导体激光器无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD) 非吸收窗口高温退火灾变性光学损伤(cod); Keywords semiconductor laser impurity-free vacancy disordering （IFVD） non-absorbing win- dow rapid thermal annealing catastrophic optical damage （cod）; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名550 K高温下激光器腔面温度的影响研究: 6; 作者杨振强贾华宇孙元新罗飚; 机构太原理工大学电气与动力工程学院武汉光迅科技股份有限公司; 出处《光通信研究》 2023年第1期63-67,共5页; 基金国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200900)。; 文摘针对激光器长期高温工作时腔面温度急剧升高产生灾变性光学损伤(COD)的问题,文章提出在半导体激光器腔面处加入Al2O3膜和陶瓷隔热共同作用,其可以降低激光器腔面温度,防止COD的产生。文章首先建立了半导体激光器简化模型分析固体传热。然后对550 K高温下无镀膜无隔热结构、有镀膜无隔热结构、无镀膜有隔热结构及镀膜与隔热结构共同作用时激光器模型的腔面温度进行仿真。其中镀膜选用Al2O3,隔热结构选用陶瓷隔热,腔面材料选用GaAs,热沉选用Cu热沉,接触层选用AlGaAa。4组对比实验结果表明,镀膜与隔热结构共同作用时,能将激光器的腔面温度控制在393.15 K以下。550 K高温在激光器腔面处镀膜和隔热结构双重作用下,能够有效防止COD产生,提高激光器的使用寿命。; 关键词半导体激光器灾变性光学损伤镀膜隔热结构; Keywords semiconductor laser cod coating thermal insulation structure; 分类号 TN242 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究	何新崔碧峰刘梦涵李莎孔真真黄欣竹	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2016	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	808nm大功率半导体激光器腔面膜的制备	套格套尧舜张云鹏路国光初国强刘云王立军	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	9	在线阅读下载PDF 职称材料
3	980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究	刘斌张敬明马骁宇肖建伟	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2003	8	在线阅读下载PDF 职称材料
4	半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备	周路王云华贾宝山白端元张斯钰乔忠良高欣薄报学	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	带有非吸收窗口的大功率915nm半导体激光器	姚南赵懿昊刘素平马骁宇	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	550 K高温下激光器腔面温度的影响研究	杨振强贾华宇孙元新罗飚	《光通信研究》	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料